新興不揮発性メモリの世界市場 - 成長、トレンド、COVID-19の影響、予測(2022年~2027年)Global Emerging Non-Volatile Memory Market - Growth, Trends, COVID-19 Impact, and Forecasts (2022 - 2027) 新興不揮発性メモリ市場は、予測期間(2022年~2027年)に約22.8%の年平均成長率を記録すると予測されています。不揮発性メモリの新興市場は、家電、企業、産業など幅広いエンドユーザー産業でメモリデバイスとし... もっと見る
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サマリー新興不揮発性メモリ市場は、予測期間(2022年~2027年)に約22.8%の年平均成長率を記録すると予測されています。不揮発性メモリの新興市場は、家電、企業、産業など幅広いエンドユーザー産業でメモリデバイスとして受け入れられるようになったことで、大きな成長が見込まれています。主な注目点 高速アクセスかつ低消費電力のメモリデバイスに対する需要の高まりや、コネクテッドデバイスやウェアラブルデバイスにおける不揮発性メモリの需要の増加が、市場の成長を促進する主な要因の1つとなっています。しかし、不揮発性メモリデバイスの設計や製造は非常に複雑であるため、予測期間中の市場成長の妨げになると予想されます。 数年にわたる開発期間を経て、組み込み型不揮発性メモリ技術はかなり成熟してきました。2021年には、GlobalFoundriesのeMRAMを搭載したGreenWaveのAIプロセッサ(22nm FDSOI)や、NumenとGyrfalcon(TSMCの22nm ULL)が設計・開発したエッジAIアクセラレータなど、多くの組み込み型MRAMベースのデバイスが量産に入りました。 この分野での研究活動の活発化が、市場の成長を後押ししています。例えば、Samsungは2021年に、書き込み速度と密度を高めるために設計されているフラッシュ型組み込みMRAMに対応するために14nmプロセスを進めるとともに、同社のMRAMのMTJ機能の向上を発表している。また、IC新興不揮発性メモリの用途として、ウェアラブル、マイコン、IoTデバイスをターゲットにしています。 世界的なロックダウンを伴うCOVID-19パンデミックは、メモリ市場に複合的な影響を及ぼした。ノートパソコンとデータセンターの需要は伸びたが、スマートフォンと車載は減速に直面した。その結果、メモリ需要は比較的バランスよく推移しました。現在、新興不揮発性メモリ市場は、3D XPointによるストレージクラスメモリ(SCM)アプリケーションを中心にデータセンター市場で拡大しているため、新興不揮発性メモリ市場全体の進化にマイナスの影響を与えることはないだろう。2020年前半にパンデミックによるサプライチェーンの混乱が発生したが、2020年後半にはほぼ解消された。 主な市場動向 データセンターの需要拡大 データセンターにおけるメモリへの要求を背景としたメモリデバイスの需要増は、新興の不揮発性メモリの需要を牽引すると予想されます。 このデータセンターの需要は、ハイパフォーマンスコンピューティング、エッジコンピューティング、ビッグデータ、クラウドアプリケーションの需要増に後押しされています。機械学習や人工知能の導入が進み、ベンダーはより高速で大容量のデータを選択するようになりました。さらに、リモートワーク、オンライン教育クラス、パンデミック時のオンライン医療支援などの急速な採用が、成長を補完しています。 さらに、Google、Amazon Web Service、Facebook、Microsoft Azureが実施する新しいデータセンター建設プロジェクトに対応して、IntelとAMDはここ数年、新しいサーバープロセッサを発表しています。同様の傾向は、市場を牽引するものと期待されます。 アジア太平洋地域のデータセンター市場は、中国とインドの経済発展によって支えられています。中国のデータセンター市場の成長は、政府の支援策と国際的な投資によって後押しされると予想されます。政府がセキュリティやインテリジェンス用途でAIを推進していることが、新興の不揮発性メモリの需要をさらに強めている。 NASSCOMによると、インドは現在、80のサードパーティデータセンターをサポートしている。2025年までに年間46億米ドルに達すると予想される国内外のプレーヤーからの投資を目の当たりにしている。 予測期間中、アジア太平洋地域の市場シェアが大幅に拡大 アジア太平洋地域は、新興不揮発性メモリの世界的な最大市場の1つです。この地域は、中国、インド、インドネシアなどの発展途上国におけるスマートフォンの需要に牽引され、ほぼすべてのエンドユーザー用途で非常に高い需要があります。 インドは携帯電話の消費者層が厚く、携帯電話端末の生産額は21年度の3,000万米ドルから26年度には1億2,600万米ドルに増加するとインド政府の投資促進・円滑化機関であるInvest in Indiaは発表しています。 さらに、中国では、オンラインエンターテインメント、在宅勤務、ビデオ・音声通話サービスの需要増を背景に、データセンターを含む新たなインフラ整備が進んでいます。デジタル経済の急速な発展に伴い、同国では大規模なビッグデータセンターの建設が目立ってきています。このため、このようなデータセンターにおける不揮発性メモリの利用が新たに増加しており、停電やシステムクラッシュ事象によるダウンタイムの短縮に貢献し、大きな経済的価値を提供しています。 中国、韓国、シンガポールなどでは、半導体製造設備が非常に活発です。中国市場には、多国籍メモリメーカーが膨大な資金を投入しており、特に「Made in China 2025」などの政府の取り組みが後押ししている。中国政府は、2030年までに半導体生産量を3,050億ドルに拡大し、国内半導体需要の約80%を賄うことを目標としています。このような背景から、予測期間中、同国への投資はさらに増加することが予想されます。 さらに、この地域の主要な研究機関や大学では、新興の不揮発性メモリに関連するさまざまな技術開発が行われています。例えば、2022年1月、東京工業大学電気電子工学科のPham Nam Hai准教授が率いる国際研究チームは、カリフォルニア大学の他の研究者とともに、磁気トンネル接合(MTJ)とトポロジカル絶縁体を統合したスピン軌道トルク磁気抵抗RAM(SOT-MRAM)デバイスを作成しました。比較的高いトンネル磁気抵抗効果による読み出しと、トポロジカル絶縁体による低電流密度を利用した書き込みを実証しました。 このように、アジア太平洋地域の売上高は、他の地域よりも高い成長率を示すと予想されます。 競合他社の状況 世界の新興不揮発性メモリ市場は、TSMC、Texas Instruments Inc.、Intel Corporation、Microchip Technology Inc.、Infineon Technologies AG、富士通株式会社、GlobalFoundries Inc、CrossBar Incなど、複数の主要企業による緩やかな競争が繰り広げられています。市場シェアの観点からは、現在、少数の主要プレイヤーが市場を支配しています。しかし、イノベーションと技術の進歩に伴い、多くの企業が有機的・無機的な成長戦略や、新規市場の開拓によって市場での存在感を高めています。最近の市場動向としては、以下のようなものがあります。 2022年3月 - 富士通株式会社は、富士通のReRAM製品ファミリーの中で最大密度の12Mbit ReRAM(抵抗ランダムアクセスメモリ)「MB85AS12MT」を発売しました。本製品は、2mm×3mm程度の超小型パッケージで12Mbitという大記憶密度を実現した不揮発性メモリです。また、スマートウォッチや補聴器などのウェアラブルデバイスへの搭載にも適しています。 2021年10月 - CrossBar Inc.は、同社の抵抗変化型メモリ(ReRAM)技術の新しい用途として、ワンタイム・プログラマブル(OTP)および少数回プログラマブル(FTP)不揮発性メモリ(NVM)アプリケーションへの適用を発表しました。 その他の利点 市場推定(ME)シート(Excel形式 3ヶ月間のアナリストサポート 目次1 INTRODUCTION1.1 Study Assumption and Market Definition 1.2 Scope Of The Study 2 RESEARCH METHODOLOGY 3 EXECUTIVE SUMMARY 4 MARKET INSIGHTS 4.1 Market Overview 4.2 Industry Attractiveness - Porter's Five Forces Analysis 4.2.1 Bargaining Power Of Suppliers 4.2.2 Bargaining Power Of Buyers 4.2.3 Threat Of New Entrants 4.2.4 Threat Of Substitute 4.2.5 Intensity Of Competition Rivarly 4.3 Industry Value Chain Analysis 4.4 Assessment of Impact of COVID-19 on the Market 5 MARKET DYNAMICS 5.1 Drivers 5.1.1 Rising demand for fast access and low power consuming memory devices 5.1.2 Increasing demand for non-volatile memory in connected and wearable devices 5.2 Restraints 5.2.1 High complexity in designing and manufacturing emerging non-volatile memory devices 6 MARKET SEGMENTATION 6.1 Type 6.1.1 Stand-alone 6.1.2 Embedded 6.2 End-user Industry 6.2.1 Industrial 6.2.2 Consumer Electronics 6.2.3 Enterprise 6.2.4 Others 6.3 Geography 6.3.1 North America 6.3.2 Europe 6.3.3 Asia Pacific 6.3.4 Rest of the World 7 COMPETITIVE LANDSCAPE 7.1 Company Profiles 7.1.1 TSMC 7.1.2 Samsung Electronics Co. Ltd. 7.1.3 GlobalFoundries Inc. 7.1.4 Texas Instruments Inc. 7.1.5 Fujitsu Ltd. 7.1.6 SK Hynix Inc. 7.1.7 Western Digital Corp. 7.1.8 CrossBar Inc. 7.1.9 Microchip Technology Inc. 7.1.10 Intel Corporation 7.1.11 Infineon Technologies AG 7.1.12 United Microelectronics Corporation (UMC) 7.1.13 Toshiba Corp. 7.1.14 Nantero Inc. 8 INVESTMENT ANALYSIS 9 MARKET OPPORTUNITES AND FUTURE TRENDS 10 ABOUT US
SummaryThe emerging non-volatile memory market is expected to register a CAGR of approximately 22.8% during the forecast period (2022 - 2027). The emerging non-volatile memory market is anticipated to witness a significant growth owing to an increase in the acceptance as memory devices across a wide range of end-user industries, including consumer electronics, enterprise, industrial, and others. Table of Contents1 INTRODUCTION1.1 Study Assumption and Market Definition 1.2 Scope Of The Study 2 RESEARCH METHODOLOGY 3 EXECUTIVE SUMMARY 4 MARKET INSIGHTS 4.1 Market Overview 4.2 Industry Attractiveness - Porter's Five Forces Analysis 4.2.1 Bargaining Power Of Suppliers 4.2.2 Bargaining Power Of Buyers 4.2.3 Threat Of New Entrants 4.2.4 Threat Of Substitute 4.2.5 Intensity Of Competition Rivarly 4.3 Industry Value Chain Analysis 4.4 Assessment of Impact of COVID-19 on the Market 5 MARKET DYNAMICS 5.1 Drivers 5.1.1 Rising demand for fast access and low power consuming memory devices 5.1.2 Increasing demand for non-volatile memory in connected and wearable devices 5.2 Restraints 5.2.1 High complexity in designing and manufacturing emerging non-volatile memory devices 6 MARKET SEGMENTATION 6.1 Type 6.1.1 Stand-alone 6.1.2 Embedded 6.2 End-user Industry 6.2.1 Industrial 6.2.2 Consumer Electronics 6.2.3 Enterprise 6.2.4 Others 6.3 Geography 6.3.1 North America 6.3.2 Europe 6.3.3 Asia Pacific 6.3.4 Rest of the World 7 COMPETITIVE LANDSCAPE 7.1 Company Profiles 7.1.1 TSMC 7.1.2 Samsung Electronics Co. Ltd. 7.1.3 GlobalFoundries Inc. 7.1.4 Texas Instruments Inc. 7.1.5 Fujitsu Ltd. 7.1.6 SK Hynix Inc. 7.1.7 Western Digital Corp. 7.1.8 CrossBar Inc. 7.1.9 Microchip Technology Inc. 7.1.10 Intel Corporation 7.1.11 Infineon Technologies AG 7.1.12 United Microelectronics Corporation (UMC) 7.1.13 Toshiba Corp. 7.1.14 Nantero Inc. 8 INVESTMENT ANALYSIS 9 MARKET OPPORTUNITES AND FUTURE TRENDS 10 ABOUT US
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