RF Power Semiconductor Devices for Silicon, Gallium Nitride, and Gallium Arsenide High-Power RF Device Technologies【分析レポート:アプリケーション】シリコン、窒化ガリウム、ガリウム砒素の高出力RFデバイス技術のRFパワー半導体デバイス トランスミッタ回路にRFパワーアンプを使う多くの製品やサービスには、携帯電話などのモバイル機器の無線インフラストラクチャ、ラジオやテレビなどの放送、MRI機器などの医療機器、カーペット繊維や合板など... もっと見る
Summaryトランスミッタ回路にRFパワーアンプを使う多くの製品やサービスには、携帯電話などのモバイル機器の無線インフラストラクチャ、ラジオやテレビなどの放送、MRI機器などの医療機器、カーペット繊維や合板などの硬化材料、レーダ、宇宙・衛星通信、警察・消防無線、軍事用通信、その他のエレクトロニクスなどがある。このようなトランスミッタの多くはRFパワーアンプの出力に半導体を使っている。従来はRFセクションで大規模の真空チューブを使用していた超高出力の放送用トランスミッタも、現在ではソリッドステート機器を使用し始めている。 米国調査会社ABIリサーチの調査レポート「【分析レポート:アプリケーション】シリコン、窒化ガリウム、ガリウム砒素の高出力RFデバイス技術のRFパワー半導体デバイス」は、現在多くの用途で使用されている3ワット以上の出力と4ギガヘルツ以上の周波数を扱うRFパワー半導体機器について調査している。シリコンベースとガリウムベースの機器を調査している。 A myriad of products and services utilize RF power amplifiers in their transmitter circuitry: wireless infrastructure for cell phones and other mobile devices; radio and television broadcasting; medical equipment such as MRI machines; materials curing that includes carpet fibers and plywood; radar; space and satellite communications; police and fire radios; and military communications and electronics of all kinds. Most of these transmitters use semiconductors in the RF power amplifier output stages. Even modern, extremely high-power broadcast transmitters that traditionally have used large vacuum tubes in their RF sections have finally begun to use solid-state devices. This study examines RF power semiconductor devices that have power outputs of greater than three watts and operate at frequencies of up to 4 GHz, which represent the bulk of applications in use today. Both silicon-based and gallium based devices are covered. This application note is a companion narrative to the market data report MD-RFPS-19. Companies Mentioned
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2024/11/21 10:26 156.13 円 165.08 円 200.38 円 |