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ALDとHigh-K金属前駆体市場レポート CMR 2024-2025


ALD/ High K Metal Precursors Market Report CMR 2024-2025

この調査レポートは、半導体デバイス製造に使用される前駆体の市場環境とサプライチェーンを網羅しています。主要サプライヤーに関する情報、材料サプライチェーンにおける課題/動向、サプライヤーの市場シェ... もっと見る

 

 

出版社 出版年月 電子版価格 ページ数 言語
Techcet
テクセット社
2024年6月14日 US$8,900
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サマリー

この調査レポートは、半導体デバイス製造に使用される前駆体の市場環境とサプライチェーンを網羅しています。主要サプライヤーに関する情報、材料サプライチェーンにおける課題/動向、サプライヤーの市場シェアに関する予測、材料セグメントに関する予測などが含まれています。

  • 高誘電金属酸化物、バリア層、金属配線、キャッピング層などを含むCVD、ALDアプリケーションに対応する有機および無機前駆体の市場と技術動向情報を提供
  • サプライチェーンマネージャー、プロセスインテグレーションや研究開発の責任者、事業開発や財務アナリストに焦点を当てた情報を提供
  • 主要サプライヤーの情報、エレクトロニクス材料のサプライチェーンにおける課題やトレンド、サプライヤーのマーケットシェア予測、エレクトロニクス材料セグメントの予測などを網羅

【主な内容(目次抜粋)】

1 前駆体ビジネス-市場概要
2 範囲、目的及び方法論
3 半導体産業市場の現状と展望
4 素材市場の動向
5 供給サイドの市場展望
6 サブティア・サプライチェーン、前駆物質
7 サプライヤーのプロファイル



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目次

2024 - 2025年 ALD/CVD、Hi-Kおよび金属前駆体
サプライチェーンと市場分析 重要材料レポートシリーズ
(TECHCET-CMR-ALDMetal Hi-k-061424CY)

目次

要旨 12

1.1 前駆体ビジネス-市場概要 13

1.2 2024年の見通しに影響を与える前駆体市場動向 14
1.3 セグメント別5年間出荷本数予測:メタルおよびHigh-kプリカーサ 15
1.4 前駆体の動向 16
1.5 プリカーサー技術動向 17
1.6 競争環境 金属およびHigh-Kプリカーサー 18
1.7 前駆体のEHS、貿易、物流の問題/懸念 19
1.8 金属及びHigh-K前駆体のアナリスト評価 20

2 範囲、目的及び方法論 21

2.1 範囲 22
2.2 方法論 23
2.3 その他のテクセットCMR(TM)製品の概要 24

3 半導体産業市場の現状と展望 25

3.1 世界経済と展望 26
3.1.1 世界経済と半導体産業の関係 28
3.1.2 半導体売上高の伸び 29
3.1.3 台湾外注メーカーの月次売上動向 30
3.2 電子製品セグメント別チップ売上高 31
3.2.1 エレクトロニクス産業の見通し 32
3.2.2 自動車産業の展望 33
3.2.2.1 電気自動車(EV)市場動向 34
3.2.2.2 自動車向け半導体搭載量の増加 35
3.2.3 スマートフォンの展望 36
3.2.4 PCの展望 37
3.2.5 サーバー/IT市場 38
3.3 半導体製造の成長と拡大 39
3.3.1 チップ拡張のための巨額投資の真っ只中 40
3.3.2 米国における新規ファブ 41
3.3.3 世界的なファブ拡大が成長を牽引 42
3.3.4 設備投資動向 43
3.3.5 先端ロジック技術のロードマップ 44
3.3.5.1 ドラム技術のロードマップ 45
3.3.5.2 3Dナンド技術のロードマップ 46
3.3.6 ファブ投資評価 47
3.4 政策と貿易の動向と影響 48
3.5 半導体材料の概要 49
3.5.1 2028年までのテクセット・ウェーハ着工予測 50
3.5.2 2028年までのテクセット材料市場予測 51

4 素材市場の動向

4.1 CVD、ALDメタル、HIGH-Kおよび先端半導体プリカーサー市場の動向 53
4.1.1 2023年プリカーサー市場は2024年までリードする 54
4.1.2 プリカーサー市場の展望 55
4.1.3 メタル及びHigh-kプリカーサのセグメント別5~12年出荷数量予測 56
4.2 プリカーサの供給能力と需要、投資 57
4.2.1 トップサプライヤーの金属およびHigh-Kプリカーサー生産能力 58
4.2.2 地域別の金属およびHIGH-K生産量 59
4.2.3 アルド/CVD 素材の生産能力拡張 60
4.2.4 投資発表の概要 62
4.2.5 前駆体の需給バランス 需要バランス - 概要 63
4.3 価格動向 64
4.4 技術トレンド/技術ドライバー - 概要 65
4.4.1 プリカーサー一般技術の概要と技術動向 66
4.4.2 顧客主導型技術 67
4.4.3 NAND のロードマップと課題 - 3 次元 NAND レベルとスタック/ティア 68
4.4.4 必要とされる3D NANDプロセスの進歩 69
4.4.5 3d nandの微細化を可能にする新材料とエッチング化学 - PF3(G)とMO2CL2(S) 70
4.4.6 モリブデン:ラム研究所による半導体メタライゼーションの新境地 71
4.4.7 要求されるドラマ・プロセスの進歩 72
4.4.8 ドラムの将来技術への挑戦 73
4.4.9 マイクロンは画期的なNVDRAMを発表: 画期的な NVDRAM を発表。
を発表した。
4.4.10 先端ロジックのロードマップと課題 - ロジック・トランジスタ推定値 75 ロードマップ 75
4.4.11 先端ロジック(ファウンドリ)ノードHVM推定値 76
4.4.12 必要なアドバンスト・ロジック・プロセスの進歩 77
4.4.12.1 半導体対決:サムスンとTSMCのGAA FET対インテルのリボンフェ ット。インテルのリボンフェット
4.4.13 アドバンス・ロジックの将来の技術課題 79
4.4.14 先端技術のフォトリソグラフィーへの影響 81
4.4.14.1 フォトリソグラフィへのアドバンシング・テクノロジの影響 - DSA 82
81 4.4.14.2 フォトリソグラフィへのアドバンシング・テクノロジーの導入 - DSA 82
Centura sculpta by applied materials: 半導体製造の未来を形作る 84
4.4.14.3 フォトリソグラフィへのアドバンシング・テクノロジーの影響:
成膜によるラインエッジラフネス低減 85
4.4.15 CFET アーキテクチャ:CFET のスケーリングの優位性 86
4.4.15.1 CFETアーキテクチャ:相補型FET(CFET) 87
4.4.15.2 CFETアーキテクチャ:CFETの将来展望 90
4.4.16 無機euvレジスト-ALD蒸着 92
4.4.17 分子層堆積法(MLD) 93
4.4.17.1 トレンドはALDと組み合わせたMLD 94
4.4.17.2 様々なタイプのMLD前駆体と材料 95
4.4.17.3 MLDアプリケーション 96
4.4.18 面積選択蒸着(ASD) 97
4.4.18.1 面積選択蒸着(asd)-アデカプレゼントasd hf-前駆体 98
4.4.18.2 面積選択性蒸着(asd)-プラズマ前処理によるTUアイントホーフェン選択性ald 99
4.4.20 特殊/新興金属とその応用 100
4.4.21 特殊/新興High-Kとその応用 101
4.5 地域的考察-金属とHigh-K 102
4.5.1 地域的側面と促進要因 103
4.6 EHSと貿易/物流問題-金属、High-K、誘電体 105
4.6.1 金属メッシュ 106
4.6.2 高誘電率樹脂 107
4.6.3 eshのリサイクル 108
4.7 貿易/物流問題-金属材料 109
4.7.1 貿易/物流問題-高品位素材 110
4.8 高誘電率素材の市場動向に関するアナリストの評価 111
4.8.1 金属市場動向に関するアナリスト評価 112

5 供給サイドの市場展望 113

5.1 プリカーサー材料の市場シェア 114
5.1.1 当四半期の動き - メルク 115
5.1.1.1 メルク 116
5.1.2 当四半期の動き - Air liquide 118
5.1.2.1 エアリキード 119
5.1.3 当四半期の活動 - エンテグリス 120
5.1.3.1 エンテグリス 121
5.1.4 アデカ 122
5.1.4.1 アデカ 123
5.2 万田の活動と提携 124
5.3 工場閉鎖 126
5.4 新規参入企業 127
5.4.1 MSPがターボII(TM)気化器を発売:半導体製造の次世代効率化 128
5.4.2 新しいZr前駆体ウェーハ・スケール酸化ジルコニウム膜 129
5.4.3 モリブデン薄膜の進歩:新しい液体前駆体が気相堆積を促進 130
5.4.4 ハンファ、メモリー用途のモリブデン蒸着用アルド装置を供給 131
5.5 廃止リスクのあるサプライヤー、部品・製品ライン 132
5.6 テクセットアナリストによるプリカーサプライヤーの評価 133

6 サブティア・サプライチェーン、前駆物質 134

6.1 サブ・ティア供給チェーン:供給源と市場の概要 135
6.1.1 サブティア・サプライチェーン:供給源と市場の概要
第2層の例 NouryonとGelest 136
6.1.2 サブティア・サプライチェーン:供給源と市場の概要 - 化学物質とガスの管理 136
化学物質とガス管理システム 137
6.1.3 サブ・ティアサプライチェーン:供給源と市場概要 - 化学品配送キャビネット 138
ケミカル・デリバリー・キャビネット 138
6.1.4 サブティアサプライチェーン:供給源と市場の概要
バルブマニホールドボックス(VMB) 139
6.1.5 サブティアサプライチェーン:供給源と市場の概要
バルク仕様ガスシステム
6.1.6 サブティアサプライチェーン:供給源と市場の概要
ガスキャビネット 141
6.1.7 サブティアサプライチェーン:供給源と市場概要 - フォーミングガスとドープガス
フォーミング・ガスとドーパント・ガス・ブレンダー 142
6.1.8 サブティアサプライチェーン:供給源と市場の概要
化学 - モニタリングおよび分析システム 143
6.2 サブティア材料のCVDとALDプリカーサの動向 144
6.3 サブ・ティア材料 産業用と半導体グレードの比較 145
6.4 半導体グレードのサブ・ティア材料サプライヤー
グローバル・ネットワーク・メルク 146
6.5 半導体用サブ-ティア材料サプライヤー
グローバル・ネットワーク・エアリキード 147
6.6 半導体グレードのサブティア・サプライヤー・ニュース 148
6.7 サブ・ティアサプライチェーン:混乱 150
6.8 サブ-ティアサプライチェーン工場最新情報 151
6.9 サブ-ティアサプライチェーン工場最新情報:ダボプロジェクトのハフニアとレオ 152
6.10 半導体産業で使用される鉱物の依存関係 153
6.11 サブ-ティア供給 - チェーン価格動向 - コバルト 154
6.12 サブティア供給チェーンの価格動向:ジルコニウムとハフニウム 156
6.13 サブティア・サプライチェーン価格動向:ハフニウム 157
6.14 サブティア・サプライチェーン価格動向:ガリウム 158
6.15 アルミニウム 160
6.16 チタン 161
6.17 タングステン 162
6.18 モリブデン 163
6.19 ニオブとタンタル 164
6.20 レアアース 165
6.21 サブティア・サプライ・チェーンの価格動向 - PGM 166
6.22 サブティア・サプライチェーン価格動向 - ゲルマニウム 168
6.23 サブティア・サプライ・チェーン技術アナリスト評価 170

7 サプライヤーのプロファイル 171

株式会社ADEKA
エア・リキード (メーカー, 浄水器, サプライヤー)
アズマックス
シティケミカル
株式会社DNF
...その他20社以上

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図表リスト

図表リスト

図リスト

図1.1: 金属プリカーサーと高純度プリカーサーのセグメント別売上予測(百万米ドル) 15
図1.2: 2023年の金属および高純度プリカーサーのWW市場シェア(U$ 811 M) 18

図3.1:世界経済とエレクトロニクスのサプライチェーン(2023年) 28
図3.2: 世界の半導体売上高 29
図3.3: テクセットの台湾半導体産業指数(TTSI) 30
図3.4: 2023年半導体チップ・アプリケーション 31
図3.5:世界の軽自動車販売台数(単位:百万台) 33
図3.6:世界地域別電動化トレンド 34
図3.7:自動車用半導体生産 35
図3.8:携帯電話出荷台数(世界推計) 36
図3.9: 世界のパソコンとタブレットの予測 37
図3.10:TSMCフェニックス・キャンパスと背景に見える第2ファブ 39
図3.11:2023年-2028年の世界のファブ支出予測 40
図3.12:米国内のファブ拡張 41
図3.13: 世界の半導体チップ製造地域 42
図3.14:世界の総設備投資額(百万米ドル)と前年同期比 43
図3.15:先進ロジック・デバイス技術ロードマップの概要 44
図3.16: DRAM技術のロードマップ概要 45
図3.17:3D ナンド技術のロードマップ概要 46
図3.18: 2024 年 2 月現在のインテル・オハイオ工場 47
図3.19: テックセットのノードセグメント別ウェーハスタート予測 50
図3.20: テクセットの世界材料予測(百万米ドル) 51

図4.1: 金属および高誘電率メモリのセグメント別売上高予測 56
図4.2: 2024 年のメモリ需給状況 57
図4.3: WW市場シェア - 金属および高誘電率プリカーサー 2023年 (8億1100万米ドル) 58
図4.4: 地域別市場シェア 59
図4.5:新しいデバイスプロセスを促進する最終用途アプリケーション 67
図4.6:3D NAND スタッキングが誘電体と金属プリカーサの量を牽引 68
図4.7: 3d NANDの進展 69
図4.8: エッチングの深さ 70
図4.9: 東京エレクトロンの新しい低温エッチツール 70
図4.10: ミクロンごとのドラマメッシュ 72
図4.11: 3Dスタックドラム用イメック・キャパシタレス・イグゾ・セル 72
図4.12:2Dから3Dへの移行 73
図4.13:1t 1cメモリ層を持つ32GB NVDRAM 74
図4.14:ゲート構造のロードマップ 75
図4.15:先進ロジック(ファウンドリ)ノードのロードマップ 76
図4.16:ロジックトランジスタの進歩 77
図4.17:リボンフェット 78
図4.18:モノレイヤー・ナノシート・チャンネル 80
図4.19:ナノインプリント・リソグラフィープロセスフロー 81
図4.20:ナノインプリント・リソグラフィのALD/ALE強化 81
図4.21:自己組織化 82
図4.22:企業別のDSA特許出願 83
図4.23:2023年以降のDSA特許出願 83
図4.24:パターン形成とは何か?
図4.25:応用材料によるEuvパターン形成の洗練 85
図4.26:相補型フェット(CFET) 86
図4.27:CFETはトラック・スケーリングで性能を向上させる 86
図4.28: モノリシック CFET プロセスフロー例 87
図4.29:MCFETの新機能:中間絶縁膜 87
図4.30:低温ゲートスタック・オプションの例 88
図4.31:低温SD/コンタクト・オプションの例 88
図4.32:BSPDNの利点:IRドロップの低減 89
図4.33: 次世代 Gaa で必要とされる ALD ステップ数の増加 - フェットと CFET 90
図4.34: IMEC のサブ 1nm トランジスタ・ロードマップ、3D スタックド CMOS 2.0 計画 91
図4.35: mld 堆積 euv レジストに関する特許出願。patbase で検索 92
図4.36: 分子層堆積と原子層堆積の比較 93
図4.37:ALD/MLDの出版物の増加傾向 94
図4.38: アデカASD-HF前駆体 98
図4.39: プラズマ前処理による選択的 ALD 99
図4.40: 特殊/新興金属応用 100
図4.41:特殊/新興高誘電体用途 - NVM ドラマ(ミクロン iedm2023) 101
図4.42:2023 年における金属と高誘電率膜の地域別売上シェア 102
図4.43:EHSの課題-高品位:中国の鉱業 107
図4.44:SK ハイニックスのリサイクル素材と再生可能素材の目標 108

図5.1:2023年前駆体材料サプライヤーの売上高シェア 114
図5.2:メルク・エレクトロニクスの2022-2023年の売上高
(百万ユーロ), 左. 半導体ソリューションの年間売上高予測(百万ユーロ)、右図。117
図5.3: エア・リキード・エレクトロニクス売上高予測(百万ユーロ) 119
図5.4: エンテグリスのMS(マテリアル・ソリューション)部門収益予測 121
図5.5:ADEKAエレクトロニクス売上高予測(億円) 122
図5.6:新しいジルコニウム前駆体クラス 129
図5.7: モリブデン薄膜の進歩: 新しい液体前駆体が気相成長を促進 130

図6.1: フォーミングガスブレンダーの構成 142
図6.2:バーサムマテリアルズU.S.L.C.に供給している上位の国/地域(PANJIVA 2024年4月) 146
図6.3: Air liquide America Corp.に供給している上位の国/地域(Panjeiva 2024 年 4 月) 147
図6.4: H.C.スタルク社(アメリカ)に製品を供給している上位の国/地域 148
図6.5:コバルトの価格動向 155
図6.6: ハフニウムの5年価格 157
図6.7: ガリウムの5年価格推移 159
図6.8: ルテニウムとプラチナ、5年間の価格推移 167
図6.9: ゲルマニウム価格、過去5年 169

表リスト

表1.1:金属と高純度Kプリカーサーの売上と成長率 15
表1.2:金属と高誘電率Kプリカーサーのサプライヤー別市場シェア(推定) 2023年 18
表3.1:世界のGDPと半導体売上高 26
表3.2:世界銀行の経済見通し(2024年1月) 27
表3.3:バッテリー電気自動車(BEV)の地域動向 34
表3.4:データセンター・システムおよび通信サービス市場支出(2023年) 38
表4.1:前駆体の収益と成長率 53
表4.2:金属と高純度Kの前駆体の売上と成長率 56
表4.3:金属および高誘電率前駆体市場のサプライヤー別シェア(推定) 58
表4.4:金属および高純度Kプリカーサー市場の地域別評価 59
表4.5:2023/2024 年に発表される材料サプライヤーの投資概要 62
表4.6:ノード別の最先端ロジック記述(TSMC、インテル) 78
表4.7: 選択蒸着 - 選択蒸着材料 97
表4.8:プリカーサー材料の地域別市場 103
表4.9:プリカーサー材料の地域別市場(続き) 104
表5.1:メルクの四半期財務状況 115
表5.2: Air liquide社の当四半期財務状況 118
表5.3:エンテグリスサプライヤーの当四半期財務状況 120
表6.1:CVDとALD前駆体 145
表6.2:前駆体の原料鉱物の産地 153
表6.3:場所別コバルト採掘と生産量 154
表6.4:ジルコニウムとハフニウム鉱物の場所別生産量 156
表6.5:ガリウム鉱物の生産概要と依存関係 158
表6.6: 場所別アルミニウム鉱物の精製と生産 160
表6.7:チタン鉱石(イルメナイト、ルチル)生産地 161
表6.8:タングステン鉱石の生産地別一覧 162
表6.9:モリブデンの生産量と輸出入 163
表6.10:モリブデンの生産概要 163
表6.11: 場所別ニオブ・タンタル生産量 164
表6.12: ランタンなどレアアースの場所別生産量 165
表6.13:PGMの場所別生産量 166
表6.14:ゲルマニウムの用途別使用量比率 168

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プレスリリース

2024年8月1日
先端アプリケーションが牽引する半導体ALD/CVD前駆体

Mo、WF6、Co前駆体が大きく成長
2024年8月1日、カリフォルニア州サンディエゴ発: 
半導体サプライチェーンの回復力を高めるための材料市場情報を提供するアドバイザリー会社TECHCETは、2024年の半導体金属および酸化物前駆体の売上高が17億米ドルに達し、2023年比で15%増加すると予測している。これは全てのフロントプロセス材料セグメントの中で最も高い成長率である。金属/金属酸化物プリカーサは市場の大半を占め、予想収益は9億7200万米ドル、誘電体プリカーサは合計7億4200万米ドルになると予想される。プリカーサ市場は2023年から2028年にかけて年平均成長率9%で増加すると予測される。市場予測とトレンドに関する詳細情報は、ALD/CVD前駆体に関するTECHCETの新しいCritical Materials Reports(TM) に掲載されている。

金属および誘電体前駆体市場の収益予測

次世代ロジック、DRAM、3D NANDデバイスに不可欠なGAA FET、EUVリソグラフィ、High-k/メタルゲートトランジスタなどの先端プロセス技術に多額の投資が行われている。プリカーサの収益成長の回復は、AIと先端技術アプリケーションによって牽引されている。さらに、2nmロジックノード以降のバックサイドパワーデリバリのためのメタライゼーションもメタルプリカーサの成長を押し上げている。

モリブデン(Mo)前駆体、特にMoO2Cl2は、その良好な電気特性と次世代デバイスへの応用により、高い成長が予測される。先端デバイス・ノードと強く結びついている他のプリカーサには、コバルト・プリカーサ(CoCOCpとCCTBA)と六フッ化タングステン(WF6)がある。

より持続可能で効率的な生産方法へのシフトは、環境負荷の低減と製造効率の改善に焦点を当てた新しいプレカーサーの開発に影響を及ぼしている。

業界の大手企業は、増大する需要に対応するため、生産能力を拡大している。エア・リキード、メルク、ジェレスト/三菱化学グループなどの企業は、台湾、韓国、米国などの主要地域で生産設備に多額の投資を行っている。

 

 

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Summary

This report covers the market landscape and supply - chain for Precursors used in semiconductor device fabrication. It includes information about key suppliers, issues/trends in the material supply chain, estimates on supplier market share, and forecast for the material segments.

  • Provides market and technical trend information on organic and inorganic precursors, addressing CVD, ALD applications including high κ metal - oxides, barrier layers, metal interconnects, and capping layers, among others.
  • Provides focused information for supply - chain managers, process integration and R&D directors, as well as business development and financial analysts
  • Covers information about key suppliers, issues/trends in the electronics material supply chain, estimates on supplier market share, and forecast for the electronics material segments


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Table of Contents

2024 - 2025 ALD/CVD, HI-K AND METAL PRECURSOR
SUPPLY-CHAIN and MARKET ANALYSIS A CRITICAL MATERIALS REPORT(TM)

Table of Contents

EXECUTIVE SUMMARY 12

1.1 PRECURSORS BUSINESS – MARKET OVERVIEW 13

1.2 PRECURSORS MARKET TRENDS IMPACTING 2024 OUTLOOK 14
1.3 5 - YEAR UNIT SHIPMENT FORECAST BY SEGMENT: METAL AND HIGH-K PRECURSORS 15
1.4 PRECURSOR TRENDS 16
1.5 PRECURSOR TECHNOLOGY TRENDS 17
1.6 COMPETITIVE LANDSCAPE METAL and HIGH-K PRECURSORS 18
1.7 PRECURSOR EHS, TRADE, AND/OR LOGISTICS ISSUES/CONCERNS 19
1.8 ANALYST ASSESSMENT OF METAL AND HIGH-K PRECURSORS 20

2 SCOPE, PURPOSE AND METHODOLOGY 21

2.1 SCOPE 22
2.2 METHODOLOGY 23
2.3 OVERVIEW OF OTHER TECHCET CMR(TM) OFFERINGS 24

3 SEMICONDUCTOR INDUSTRY MARKET STATUS and OUTLOOK 25

3.1 WORLDWIDE ECONOMY AND OUTLOOK 26
3.1.1 SEMICONDUCTOR INDUSTRIES TIES TO THE GLOBAL ECONOMY 28
3.1.2 SEMICONDUCTOR SALES GROWTH 29
3.1.3 TAIWAN OUTSOURCE MANUFACTURER MONTHLY SALES TRENDS 30
3.2 CHIPS SALES BY ELECTRONIC GOODS SEGMENT 31
3.2.1 ELECTRONICS OUTLOOK 32
3.2.2 AUTOMOTIVE INDUSTRY OUTLOOK 33
3.2.2.1 ELECTRIC VEHICLE (EV) MARKET TRENDS 34
3.2.2.2 INCREASE IN SEMICONDUCTOR CONTENT FOR AUTOS 35
3.2.3 SMARTPHONE OUTLOOK 36
3.2.4 PC OUTLOOK 37
3.2.5 SERVERS / IT MARKET 38
3.3 SEMICONDUCTOR FABRICATION GROWTH and EXPANSION 39
3.3.1 IN THE MIDST OF HUGE INVESTMENT IN CHIP EXPANSIONS 40
3.3.2 NEW FABS IN THE US 41
3.3.3 WW FAB EXPANSION DRIVING GROWTH 42
3.3.4 EQUIPMENT SPENDING TRENDS 43
3.3.5 ADVANCED LOGIC TECHNOLOGY ROADMAPS 44
3.3.5.1 DRAM TECHNOLOGY ROADMAPS 45
3.3.5.2 3D NAND TECHNOLOGY ROADMAPS 46
3.3.6 FAB INVESTMENT ASSESSMENT 47
3.4 POLICY and TRADE TRENDS AND IMPACT 48
3.5 SEMICONDUCTOR MATERIALS OVERVIEW 49
3.5.1 TECHCET WAFER STARTS FORECAST THROUGH 2028 50
3.5.2 TECHCET MATERIALS MARKET FORECAST THROUGH 2028 51

4 MATERIAL MARKETTRENDS 52

4.1 CVD, ALD METAL and HIGH-K AND ADVANCED DIELECTRIC PRECURSORS MARKET TRENDS 53
4.1.1 2023 PRECURSOR MARKET LEADING INTO 2024 54
4.1.2 PRECURSOR MARKET OUTLOOK 55
4.1.3 METAL AND HIGH - K PRECURSORS 5 - YEAR UNIT SHIPMENT FORECAST BY SEGMENT 56
4.2 PRECURSORS SUPPLY CAPACITY AND DEMAND, INVESTMENTS 57
4.2.1 METAL and HIGH - K PRECURSOR PRODUCTION CAPACITY OF TOP SUPPLIERS 58
4.2.2 METAL and HIGH - K PRODUCTION BY REGION 59
4.2.3 ALD/CVD MATERIAL PRODUCTION CAPACITY EXPANSIONS 60
4.2.4 INVESTMENT ANNOUNCEMENTS OVERVIEW 62
4.2.5 PRECURSORS SUPPLY VS. DEMAND BALANCE – OVERVIEW 63
4.3 PRICING TRENDS 64
4.4 TECHNOLOGY TRENDS/TECHNICAL DRIVERS  -  OUTLINE 65
4.4.1 PRECURSOR GENERAL TECHNOLOGY OVERVIEW and TECHNOLOGY TRENDS 66
4.4.2 CUSTOMER DRIVEN TECHNOLOGIES 67
4.4.3 NAND ROADMAPS AND CHALLENGES  -  3D NAND LEVELS W/ STACKS/TIERS 68
4.4.4 3D NAND PROCESS ADVANCES REQUIRED 69
4.4.5 NEW MATERIALS AND ETCH CHEMISTRIES ENABLE 3D NAND SCALING – PF3(G) AND MOO2CL2(S) 70
4.4.6 MOLYBDENUM: THE NEW FRONTIER IN SEMICONDUCTOR METALLIZATION ACCORDING TO LAM RESEARCH 71
4.4.7 DRAM PROCESS ADVANCES REQUIRED 72
4.4.8 DRAM FUTURE TECHNOLOGY CHALLENGES 73
4.4.9 MICRON UNVEILS BREAKTHROUGH NVDRAM: A DUAL - LAYER 32GBIT NON -
VOLATILE FERROELECTRIC MEMORY WITH NEAR - DRAM PERFORMANCE 74
4.4.10 ADVANCED LOGIC ROADMAPS AND CHALLENGES – LOGIC TRANSISTOR EST. ROADMAP 75
4.4.11 ADVANCED LOGIC (FOUNDRY) NODE HVM ESTIMATE 76
4.4.12 ADV LOGIC PROCESS ADVANCES REQUIRED 77
4.4.12.1 THE SEMICONDUCTOR SHOWDOWN: SAMSUNG AND TSMC'S GAA FETS VS. INTEL'S RIBBONFET 78
4.4.13 ADV LOGIC FUTURE TECHNOLOGY CHALLENGES 79
4.4.14 ADVANCING TECHNOLOGIES IMPLICATION TO PHOTOLITHOGRAPHY 81
4.4.14.1 ADVANCING TECHNOLOGIES IMPLICATION TO PHOTOLITHOGRAPHY – DSA 82
4.4.14.2 ADVANCING TECHNOLOGIES IMPLICATION TO PHOTOLITHOGRAPHY:
CENTURA SCULPTA BY APPLIED MATERIALS: SHAPING THE FUTURE OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING 84
4.4.14.3 ADVANCING TECHNOLOGIES IMPLICATION TO PHOTOLITHOGRAPHY:
LINE EDGE ROUGHNESS REDUCTION THRU DEPOSITION 85
4.4.15 CFET ARCHITECTURE: CFET SCALING ADVANTAGE 86
4.4.15.1 CFET ARCHITECTURE: COMPLEMENTARY FETS (CFETS) 87
4.4.15.2 CFET ARCHITECTURE: CFET FUTURE PROSPECTS 90
4.4.16 INORGANIC EUV RESIST – ALD DEPOSITED 92
4.4.17 MOLECULAR LAYER DEPOSITION (MLD) 93
4.4.17.1 TREND IS MLD COMBINED WITH ALD 94
4.4.17.2 DIFFERENT TYPES OF MLD PRECURSORS AND MATERIALS 95
4.4.17.3 MLD APPLICATIONS 96
4.4.18 AREA SELECTIVE DEPOSITION (ASD) 97
4.4.18.1 AREA SELECTIVE DEPOSITION (ASD) – ADEKA PRESENT ASD HF - PRECURSOR 98
4.4.18.2 AREA SELECTIVE DEPOSITION (ASD) – TU EINDHOVEN SELECTIVE ALD ENABLED BY PLASMA PRETREATMENT 99
4.4.20 SPECIALTY/EMERGING METAL AND APPLICATIONS 100
4.4.21 SPECIALTY/EMERGING HIGH - K AND APPLICATIONS 101
4.5 REGIONAL CONSIDERATIONS – METAL AND HIGH - K 102
4.5.1 REGIONAL ASPECTS AND DRIVERS 103
4.6 EHS AND TRADE/LOGISTIC ISSUES – METALS, HIGH - K AND DIELECTRICS 105
4.6.1 ESH METALS 106
4.6.2 ESH HIGH - K 107
4.6.3 ESH RECYCLING 108
4.7 TRADE/LOGISTICS ISSUES – METAL MATERIALS 109
4.7.1 TRADE/LOGISTICS ISSUES – HIGH - K MATERIALS 110
4.8 ANALYST ASSESSMENT OF HIGH - K MARKET TRENDS 111
4.8.1 ANALYST ASSESSMENT OF METAL MARKET TRENDS 112

5 SUPPLY - SIDE MARKET LANDSCAPE 113

5.1 PRECURSOR MATERIAL MARKET SHARE 114
5.1.1 CURRENT QUARTER ACTIVITY – MERCK 115
5.1.1.1 MERCK 116
5.1.2 CURRENT QUARTER ACTIVITY – AIR LIQUIDE 118
5.1.2.1 AIR LIQUIDE 119
5.1.3 CURRENT QUARTER ACTIVITY –ENTEGRIS 120
5.1.3.1 ENTEGRIS 121
5.1.4 ADEKA 122
5.1.4.1 ADEKA 123
5.2 MandA ACTIVITY AND PARTNERSHIPS 124
5.3 PLANT CLOSURES 126
5.4 NEW ENTRANTS 127
5.4.1 MSP LAUNCHES TURBO II(TM) VAPORIZERS: NEXT - GEN EFFICIENCY FOR SEMICONDUCTOR FABRICATION 128
5.4.2 A NEW ZR PRECURSOR WAFER - SCALE ZIRCONIUM DIOXIDE FILMS 129
5.4.3 ADVANCES IN MOLYBDENUM THIN FILMS: NEW LIQUID PRECURSORS BOOST VAPOR PHASE DEPOSITION 130
5.4.4 HANWHA TO SUPPLY ALD EQUIPMENT FOR MOLYBDENUM DEPOSITION FOR MEMORY APPLICATIONS 131
5.5 SUPPLIERS OR PARTS/PRODUCT LINES THAT ARE AT RISK OF DISCONTINUATIONS 132
5.6 TECHCET ANALYST ASSESSMENT OF PRECURSOR SUPPLIERS 133

6 SUB - TIER SUPPLY - CHAIN, PRECURSORS 134

6.1 SUB - TIER SUPPLY CHAIN: SOURCES and MARKETS OVERVIEW 135
6.1.1 SUB - TIER SUPPLY CHAIN: SOURCES and MARKETS OVERVIEW –
TIER 2 EXAMPLES NOURYON AND GELEST 136
6.1.2 SUB - TIER SUPPLY CHAIN: SOURCES and MARKETS OVERVIEW –
CHEMICAL and GAS MANAGEMENT SYSTEMS 137
6.1.3 SUB - TIER SUPPLY CHAIN: SOURCES and MARKETS OVERVIEW –
CHEMICAL DELIVERY CABINETS 138
6.1.4 SUB - TIER SUPPLY CHAIN: SOURCES and MARKETS OVERVIEW –
VALVE MANIFOLD BOXES (VMB) 139
6.1.5 SUB - TIER SUPPLY CHAIN: SOURCES and MARKETS OVERVIEW –
BULK SPEC GAS SYSTEMS 140
6.1.6 SUB - TIER SUPPLY CHAIN: SOURCES and MARKETS OVERVIEW –
GAS CABINETS 141
6.1.7 SUB - TIER SUPPLY CHAIN: SOURCES and MARKETS OVERVIEW –
FORMING GAS and DOPANT GAS BLENDERS 142
6.1.8 SUB - TIER SUPPLY CHAIN: SOURCES and MARKETS OVERVIEW –
CHEMICAL  -  MONITORING AND ANALYTICAL SYSTEMS 143
6.2 SUB - TIER MATERIAL CVD and ALD PRECURSOR TRENDS 144
6.3 SUB - TIER MATERIAL INDUSTRIAL VS. SEMICONDUCTOR - GRADE 145
6.4 SEMICONDUCTOR - GRADE SUB - TIER MATERIAL SUPPLIER
GLOBAL NETWORK MERCK 146
6.5 SEMICONDUCTOR - GRADE SUB - TIER MATERIAL SUPPLIER
GLOBAL NETWORK AIR LIQUIDE 147
6.6 SEMICONDUCTOR - GRADE SUB - TIER MATERIAL SUPPLIER NEWS 148
6.7 SUB - TIER SUPPLY - CHAIN: DISRUPTIONS 150
6.8 SUB - TIER SUPPLY - CHAIN PLANT UPDATES 151
6.9 SUB - TIER SUPPLY - CHAIN PLANT UPDATES – HAFNIA AND REO FROM THE DUBBO PROJECT 152
6.10 MINERAL USED IN THE SEMICONDUCTOR INDUSTRY DEPENDENCIES 153
6.11 SUB - TIER SUPPLY - CHAIN PRICING TRENDS  -  COBALT 154
6.12 SUB - TIER SUPPLY - CHAIN PRICING TRENDS: ZIRCONIUM AND HAFNIUM 156
6.13 SUB - TIER SUPPLY - CHAIN PRICING TRENDS – HAFNIUM 157
6.14 SUB - TIER SUPPLY - CHAIN PRICING TRENDS  -  GALLIUM 158
6.15 ALUMINUM 160
6.16 TITANIUM 161
6.17 TUNGSTEN 162
6.18 MOLYBDENUM 163
6.19 NIOBIUM AND TANTALUM 164
6.20 RARE EARTHS 165
6.21 SUB - TIER SUPPLY - CHAIN PRICING TRENDS  -  PGM 166
6.22 SUB - TIER SUPPLY - CHAIN PRICING TRENDS  -  GERMANIUM 168
6.23 SUB - TIER SUPPLY - CHAIN TECHCET ANALYST ASSESSMENT 170

7 SUPPLIER PROFILES 171

ADEKA CORPORATION
AIR LIQUIDE (MAKER, PURIFIER, SUPPLIER)
AZMAX CO., LTD
CITY CHEMICAL LLC
DNF CO., LTD
…AND 20+ MORE

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List of Tables/Graphs

FIGURES and TABLES

FIGURES

FIGURE 1.1: METAL and HIGH - K PRECURSOR REVENUE (M USD) FORECAST BY SEGMENT 15
FIGURE 1.2: WW MARKET SHARE  -  METAL and HIGH - K PRECURSORS 2023 (U$ 811 M) 18

FIGURE 3.1: GLOBAL ECONOMY AND THE ELECTRONICS SUPPLY CHAIN (2023) 28
FIGURE 3.2: WORLDWIDE SEMICONDUCTOR SALES 29
FIGURE 3.3: TECHCET’S TAIWAN SEMICONDUCTOR INDUSTRY INDEX (TTSI) 30
FIGURE 3.4: 2023 SEMICONDUCTOR CHIP APPLICATIONS 31
FIGURE 3.5: GLOBAL LIGHT VEHICLE UNIT SALES (IN MILLIONS OF UNITS) 33
FIGURE 3.6: ELECTRIFICATION TREND BY WORLD REGION 34
FIGURE 3.7: AUTOMOTIVE SEMICONDUCTOR PRODUCTION 35
FIGURE 3.8: MOBILE PHONE SHIPMENTS, WW ESTIMATES 36
FIGURE 3.9: WORLDWIDE PC AND TABLET FORECAST 37
FIGURE 3.10: TSMC PHOENIX CAMPUS WITH THE 2ND FAB VISIBLE IN THE BACKGROUND 39
FIGURE 3.11: ESTIMATED GLOBAL FAB SPENDING 2023 - 2028 40
FIGURE 3.12: FAB EXPANSIONS WITHIN THE US 41
FIGURE 3.13: SEMICONDUCTOR CHIP MANUFACTURING REGIONS OF THE WORLD 42
FIGURE 3.14: GLOBAL TOTAL EQUIPMENT SPENDING (US$ M) AND Y - O - Y CHANGE 43
FIGURE 3.15: ADVANCED LOGIC DEVICE TECHNOLOGY ROADMAP OVERVIEW 44
FIGURE 3.16: DRAM TECHNOLOGY ROADMAP OVERVIEW 45
FIGURE 3.17: 3D NAND TECHNOLOGY ROADMAP OVERVIEW 46
FIGURE 3.18: INTEL OHIO PLANT SITE AS OF FEB. 2024 47
FIGURE 3.19: TECHCET WAFER START FORECAST BY NODE SEGMENTS 50
FIGURE 3.20: TECHCET WORLDWIDE MATERIALS FORECAST ($M USD) 51

FIGURE 4.1: METAL and HIGH - K PRECURSOR REVENUE (M USD) FORECAST BY SEGMENT 56
FIGURE 4.2: MEMORY SUPPLY/DEMAND SITUATION 2024 57
FIGURE 4.3: WW MARKET SHARE  -  METAL and HIGH - K PRECURSORS 2023 (U$ 811 M) 58
FIGURE 4.4: REGIONAL MARKET SHARES 59
FIGURE 4.5: END USE APPLICATIONS DRIVING NEW DEVICE PROCESSES 67
FIGURE 4.6: 3D NAND STACKING DRIVES DIELECTRICS AND METALS PRECURSOR VOLUME 68
FIGURE 4.7: 3D NAND PROGRESSION 69
FIGURE 4.8: ETCH DEPTH PERFORMANCE 70
FIGURE 4.9: TOKYO ELECTRON’S NEW CRYOGENIC ETCH TOOL 70
FIGURE 4.10: DRAM MESH BY MICRON 72
FIGURE 4.11: IMEC CAPACITORLESS IGZO CELL FOR 3D STACKED DRAM 72
FIGURE 4.12: TRANSITION FROM 2D TO 3D DRAM 73
FIGURE 4.13: 32 GB NVDRAM WITH 1T 1C MEMORY LAYERS 74
FIGURE 4.14: GATE STRUCTURE ROADMAP 75
FIGURE 4.15: ADVANCED LOGIC (FOUNDRY) NODE ROAD MAP 76
FIGURE 4.16: LOGIC TRANSISTOR PROGRESSION 77
FIGURE 4.17: RIBBON FET 78
FIGURE 4.18: MONO LAYER NANO SHEETS CHANNELS 80
FIGURE 4.19: NANO IMPRINT LITHOGRAPHY PROCESS FLOW 81
FIGURE 4.20: ALD/ALE ENHANCEMENT OF NANO IMPRINT LITHOGRAPHY 81
FIGURE 4.21: DIRECTED SELF - ASSEMBLY 82
FIGURE 4.22: DSA PATENT FILING BY COMPANY 83
FIGURE 4.23: DSA PATEN FILING SINCE 2023 83
FIGURE 4.24: WHAT IS PATTERN SHAPING? 84
FIGURE 4.25: REFINING EUV PATTERNING BY APPLIED MATERIALS 85
FIGURE 4.26: COMPLEMENTARY FET (CFET) 86
FIGURE 4.27: CFET IMPROVES PERFORMANCE IN TRACK SCALING 86
FIGURE 4.28: MONOLITHIC CFET PROCESS FLOW EXAMPLE 87
FIGURE 4.29: MCFET NEW FEATURE: MIDDLE DIELECTRIC ISOLATION 87
FIGURE 4.30: LOW TEMPERATURE GATE STACK OPTION EXAMPLES 88
FIGURE 4.31: LOW TEMPERATURE SD/CONTACT OPTION EXAMPLES 88
FIGURE 4.32: BSPDN ADVANTAGE: IR DROP REDUCTION 89
FIGURE 4.33: INCREASING NUMBER OF ALD STEPS REQUIRED BY NEXT GENERATION GAA - FET AND CFET 90
FIGURE 4.34: IMEC SUB - 1NM TRANSISTOR ROADMAP, 3D - STACKED CMOS 2.0 PLANS 91
FIGURE 4.35: PATENT FILING FOR MLD DEPOSITED EUV RESIST. SEARCH PERFORMED IN PATBASE 92
FIGURE 4.36: MOLECULAR LAYER DEPOSITION VS ATOMIC LAYER DEPOSITION 93
FIGURE 4.37: INCREASING TREND OF ALD/MLD PUBLICATIONS 94
FIGURE 4.38: ADEKA ASD - HF PRECURSORS 98
FIGURE 4.39: SELECTIVE ALD ENABLED BY PLASMA PRETREATMENT 99
FIGURE 4.40: SPECIALTY/EMERGING METAL APPLICATIONS 100
FIGURE 4.41: SPECIALTY/EMERGING HIGH - K APPLICATIONS – NVM DRAM (MICRON IEDM2023) 101
FIGURE 4.42: 2023 METAL and HIGH - K REVENUE SHARE BY REGION 102
FIGURE 4.43: EHS ISSUES – HIGH - K: MINING IN CHINA 107
FIGURE 4.44: SK HYNIX’S RECYCLED AND RENEWABLE MATERIALS TARGETS 108

FIGURE 5.1: 2023 PRECURSOR MATERIAL SUPPLIER MARKET SHARE BY REVENUE 114
FIGURE 5.2: MERCK ELECTRONICS REVENUE 2022 - 2023
(M EUR), LEFT. SEMICONDUCTOR SOLUTIONS ANNUAL REVENUE FORECAST (M EUR), RIGHT. 117
FIGURE 5.3: AIR LIQUIDE ELECTRONICS REVENUE FORECAST (M EUR) 119
FIGURE 5.4: THE MS (MATERIAL SOLUTIONS) DIVISION OF ENTEGRIS REVENUE FORECAST 121
FIGURE 5.5: ADEKA REVENUE ELECTRONICS REVENUE FORECAST (100M JPY) 122
FIGURE 5.6: NEW ZIRCONIUM PRECURSOR CLASS 129
FIGURE 5.7: ADVANCES IN MOLYBDENUM THIN FILMS: NEW LIQUID PRECURSORS BOOST VAPOR PHASE DEPOSITION 130

FIGURE 6.1: FORMING GAS BLENDER CONFIGURATION 142
FIGURE 6.2: TOP COUNTRIES/REGIONS THAT SUPPLY VERSUM MATERIALS US LLC (PANJIVA APRIL 2024) 146
FIGURE 6.3: TOP COUNTRIES/REGIONS THAT SUPPLY AIR LIQUIDE AMERICA CORP. (PANJEIVA APRIL 2024) 147
FIGURE 6.4: TOP COUNTRIES/REGIONS THAT SUPPLY H.C. STARCK INC. (USA) 148
FIGURE 6.5: PRICE TREND IN COBALT 155
FIGURE 6.6: HAFNIUM 5 - YEAR PRICING 157
FIGURE 6.7: GALLIUM PRICE, 5 YEAR HISTORICAL 159
FIGURE 6.8: RUTHENIUM AND PLATINUM, 5 - YEAR HISTORICAL PRICING 167
FIGURE 6.9: GERMANIUM PRICE, 5 - YEAR HISTORICAL 169

TABLES

TABLE 1.1: METAL AND HI - K PRECURSORS REVENUES AND GROWTH RATES 15
TABLE 1.2: ESTIMATED METAL AND HIGH - K PRECURSOR MARKET SHARE BY SUPPLIER 2023 18
TABLE 3.1: GLOBAL GDP AND SEMICONDUCTOR REVENUES 26
TABLE 3.2: WORLD BANK ECONOMIC OUTLOOK (JANUARY 2024) 27
TABLE 3.3: BATTERY ELECTRIC VEHICLE (BEV) REGIONAL TRENDS 34
TABLE 3.4: DATA CENTER SYSTEMS AND COMMUNICATION SERVICES MARKET SPENDING 2023 38
TABLE 4.1: PRECURSORS REVENUE AND GROWTH RATES 53
TABLE 4.2: METAL AND HI - K PRECURSORS REVENUES AND GROWTH RATES 56
TABLE 4.3: ESTIMATED METAL AND HIGH - K PRECURSOR MARKET SHARE BY SUPPLIER 2023 58
TABLE 4.4: METAL and HIGH - K PRECURSOR MARKET REGIONAL ASSESSMENT 2023 59
TABLE 4.5: OVERVIEW OF ANNOUNCED 2023/2024 MATERIAL SUPPLIER INVESTMENTS 62
TABLE 4.6: LEADING EDGE LOGIC DESCRIPTIONS BY NODE (TSMC, INTEL) 78
TABLE 4.7: SELECTIVE DEPOSITION  -  SELECTIVELY DEPOSITED MATERIALS 97
TABLE 4.8: REGIONAL PRECURSOR MATERIAL MARKETS 103
TABLE 4.9: REGIONAL PRECURSOR MATERIAL MARKETS, CONTINUED 104
TABLE 5.1: MERCK QUARTER FINANCIALS 115
TABLE 5.2: AIR LIQUIDE CURRENT QUARTER FINANCIALS 118
TABLE 5.3: ENTEGRIS SUPPLIER CURRENT QUARTER FINANCIALS 120
TABLE 6.1: CVD AND ALD PRECURSOR 145
TABLE 6.2: ORIGIN OF MINERALS USED TO MAKE PRECURSORS 153
TABLE 6.3: COBALT MINING AND PRODUCTION BY LOCATION 154
TABLE 6.4: ZIRCONIUM AND HAFNIUM MINERAL PRODUCTION BY LOCATION 156
TABLE 6.5: GALLIUM MINERAL PRODUCTION DESCRIPTION AND DEPENDENCIES 158
TABLE 6.6: ALUMINUM MINERAL REFINING AND PRODUCTION BY LOCATION 160
TABLE 6.7: TITANIUM ORE (ILMENITE AND RUTILE) PRODUCTION LOCATIONS 161
TABLE 6.8: TUNGSTEN ORE PRODUCTION BY LOCATION 162
TABLE 6.9: MOLYBDENUM PRODUCTION AND IMPORT AND EXPORTS 163
TABLE 6.10: MOLYBDENUM PRODUCTION DESCRIPTIONS 163
TABLE 6.11: NIOBIUM AND TANTALUM PRODUCTION BY LOCATION 164
TABLE 6.12: RARE EARTHS PRODUCTION BY LOCATION , I.E. LANTHANUM 165
TABLE 6.13: PGM PRODUCTION BY LOCATION 166
TABLE 6.14: GERMANIUM APPLICATIONS BY PERCENTAGE VOLUME 168

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Press Release

August 1, 2024
Semiconductor ALD/CVD Precursors Driven by Advanced Applications

Mo, WF6, and Co precursors to see significant growth
San Diego, CA, August 1, 2024: 
TECHCET — the advisory firm providing materials market information for semiconductor supply chain resilience — is forecasting semiconductor metal and oxide precursors to reach US$1.7 B in revenues in 2024, rising 15% over 2023. This is the highest growth rate among all front process materials segments. Metal/Metal-oxide precursors occupy the majority of the market with expected revenues at $972 M, while Dielectric Precursors are expected to total US$742 M. The precursor market is forecasted to increase at a 9% CAGR from 2023-2028. More information on market forecasting and trends is included in TECHCET’s new Critical Materials Reports™ on ALD/CVD Precursors.

Metal and Dielectric Precursor Market Revenue Forecast

Significant investments are being made in advanced process technologies such as GAA FETs, EUV lithography, and high-k/metal gate transistors, all of which are crucial for next-generation Logic, DRAM, and 3D NAND devices. Recovery of precursor revenue growth is being driven by AI and advanced technology applications. Additionally, metallization for backside power delivery at 2nm logic nodes and beyond is also pushing up growth for metal precursors.

Molybdenum (Mo) precursors, specifically MoO2Cl2, are projected to experience high growth due to their favorable electrical properties and application in next-generation devices. Other precursors strongly tied to advanced device nodes include Cobalt precursors (CoCOCp and CCTBA) and Tungsten Hexafluoride (WF6).

The shift towards more sustainable and efficient production methods is influencing the development of new precursors, with a focus on reducing environmental impact and improving manufacturing efficiency.

Major industry players are expanding their production capacities in order to meet growing demand. Companies such as Air Liquide, Merck, and Gelest/Mitsubishi Chemical Group are making significant investments in production facilities in key regions like Taiwan, South Korea, and the US.

 

 

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