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パワートランジスタの世界市場 - 成長、トレンド、COVID-19の影響、予測（2022年 - 2027年）Global Power Transistor Market - Growth, Trends, COVID-19 Impact, and Forecasts (2022 - 2027) パワートランジスタは、電力効率の向上、小型化・低コスト化、小型化・スマート化、プロレベルの音質など、家電製品の性能と実用性を高めるために使用されている重要な部品である。 主な特徴 パワートランジ... もっと見る
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サマリーパワートランジスタは、電力効率の向上、小型化・低コスト化、小型化・スマート化、プロレベルの音質など、家電製品の性能と実用性を高めるために使用されている重要な部品である。主な特徴 パワートランジスタは、微弱な電気信号を増幅し、適宜調整するために広く使用されている半導体デバイスである。また、自動車やエネルギー・電力産業など、さまざまな大電力アプリケーションのスイッチとしても使用されることがあります。 通信機器やコネクテッドエレクトロニクス機器におけるパワートランジスタの需要の高まりと、この分野への投資の増加は、カーボンフットプリントを削減し、使用される機器の生産性を向上させるものです。 KOSISによると、韓国のダイオード、トランジスタ、半導体デバイスの製造による全体の収益は、2021年に59億ドルで、2024年末には62億6000万ドルに達すると予想されています。アジア太平洋地域でも同様の傾向が見られ、予測期間中の市場成長を促進するものと思われる。 パワートランジスタは、熱を素早く放散させ、過熱を防ぎ、CO2排出量と電気料金を削減するのに役立つ。このような利点から、パワートランジスタはさまざまな電子製品に欠かせない部品となっています。さらに、人口の増加と化石燃料の消費量の急増により、電力効率の高い電子機器への需要が高まっています。 温度感受性、スイッチング周波数15 kHz以上での動作制限、逆ブロック能力などの制約により、長期的にはパワートランジスタ市場の成長を妨げる可能性があります。 COVID-19の大流行がパワートランジスタ市場に深刻な影響を与えた。半導体とエレクトロニクスの生産設備は、世界的な減速と労働力の確保ができないために停止した。COVID-19は、製造稼働率の大幅かつ長期的な低下、旅行禁止＆製造施設閉鎖を引き起こし、電力伝送産業の成長を低下させた。 主な市場動向 コンシューマエレクトロニクス分野が市場成長を促進すると予想 民生用電子機器は、パワートランジスタの重要なアプリケーション分野です。イヤホン、ラップトップ、スマートフォン、ウェアラブル、その他の携帯機器など、民生用電子機器の採用が急増しており、同分野の成長を後押ししています。 5G技術の登場により、5G対応デバイスの採用が進み、さまざまなファウンドリノードの採用が進んでいます。民生用電子機器では、より優れた効率的な半導体の需要が高まっており、パワートランジスタのニーズが高まっている。Ericsson Mobility Reportによると、5G対応デバイスによる5G契約は2021年第1四半期に7000万件増加し、2021年末には5億8000万件に達すると予測されています。 高精細オーディオ、高速充電、家電製品のよりエネルギー効率の高い設計に対する需要の高まりは、GaN技術の成長を促進します。GaNトランジスタ技術は、デジタル世界の継続的な改善に必要な適応を提供します。 5G対応デバイスは、データ処理の使用量の増加とデータ要件の急増により、今後数年間で市場が急増することが予想されます。5G対応スマートフォンのチップメーカーは、5G対応機器の需要増をサポートするために、5Gチップの需要増に直面することになります。また、半導体チップの増加は、半導体の発展に寄与し、最終的にはパワートランジスタの需要を支えることになります。 パワートランジスタの需要が拡大しているため、半導体の不足が観測され、将来的に強い需要が生まれると考えられています。さらに、米国上院は、家電や自動車産業の需要拡大に伴い、半導体製造能力を拡大するために、半導体メーカーに税額控除を与えるFABS法を導入しています。 アジア太平洋地域が最も高い成長を遂げる見込み アジア太平洋地域は、株式会社東芝や三菱電機株式会社などの大手企業が存在することから、パワートランジスタ市場において世界的に最も急速に成長している地域です。中国、日本、台湾、韓国は、大きな市場シェアを持つ主要国です。また、スマートフォンや5G技術、自動車（特にEV）への投資も盛んである。例えば、窒化ガリウム系パワー半導体メーカーのGaN systems社は、EVの重要なアプリケーションの効率と電力密度を高めるために設計された同社のGaNパワートランジスタについて、BMWと包括的な生産能力契約を締結しました。 電気自動車、家電、エネルギー・電力の需要増に対応するため、この地域全体で電子機器製造が増加しており、パワートランジスタ市場の成長を促進すると予想されます。 中国は半導体市場に大きく寄与しています。電気自動車に対する需要の高まりは、電気自動車における半導体の使用を促進する。 多様な電子機器の中国への移転が続いているため、この地域の他の国々と比べて、日本、韓国、中国で半導体の消費が急速に伸びています。また、世界のトップ5の家電部門は中国に拠点を置いており、推定期間内にこの地域全体で半導体の導入に大きな機会をもたらしています。 競合他社の状況 パワートランジスタ市場は、Fairchild Semiconductor International Inc.、Champion Microelectronics Corp、Renesas Electronics Corporation、Infineon Technologies AG、Texas Instruments Inc、NXP Semiconductors N.V、STMicroelectronics N.V、三菱電機株式会社、Linear Integrated Systems Inc、株式会社東芝といった主要企業の存在によって、非常に競争の激しい市場となっています。 2022年4月 - EPCは、最大RDS(on)80 mΩ、パルス出力電流26 Aの350 V GaNトランジスタの製品EPC2050を発売すると発表しました。この超小型サイズにより、同等のシリコンソリューションに比べて10分の1の面積を占めるパワーソリューションが実現します。EPC2050の高速スイッチング速度と小型サイズによるアプリケーションの利点は、医療用モータなどの120V-150Vモータ制御、航空宇宙アプリケーションなどの120V-160V間のDC-DC変換、400V入力を12V、20Vまたは48V出力に変換するDC-ACインバータ、トーテムポールPFCなどのマルチレベルコンバータなどがあります。 2022年3月 - トランスフォーム社とTDKのグループ会社であるTDKラムダは、AC-DC GaNベースPFH500Fの製品ラインを拡充します。この製品ラインには、TDKの500W AC-DC電源のPFH500F-12とPFH500F-48が含まれます。このシリーズでは、トランスフォーム社の72mΩ、8x8 PQFN GaN FET（TP65H070LDG）を採用しています。このパワートランジスタの高い電力密度により、TDKは薄型ベースプレートでGaN電源の冷却を実現しました。TDK は、過酷な環境で動作するさまざまな産業用アプリケーションをサポートできる、よりスリムで密閉性の高い電源モジュー ルを製造しました。その用途には、カスタムファンレス電源、レーザー、5G 通信、信号、商用オフザシェルフ（COTS）電源、デジタルサイネージ／ディスプレイなどが含まれます。 その他のメリット エクセル形式の市場推定（ME）シート 3ヶ月間のアナリストサポート 目次1 INTRODUCTION1.1 Study Assumptions and Market Definition 1.2 Scope of the Study 2 RESEARCH METHODOLOGY 3 EXECUTIVE SUMMARY 4 MARKET INSIGHTS 4.1 Market Overview 4.2 Industry Attractiveness - Porter's Five Forces Analysis 4.2.1 Bargaining Power of Suppliers 4.2.2 Bargaining Power of Buyers 4.2.3 Threat of New Entrants 4.2.4 Threat of Substitutes 4.2.5 Intensity of Competitive Rivalry 4.3 Assessment of the Impact of COVID-19 on the Market 5 MARKET DYNAMICS 5.1 Market Drivers 5.1.1 Rise in demand for connected devices 5.1.2 Surging usage of fossil fuels has increasing demand for power-efficient electronic devices 5.2 Market Challenges / Restrain 5.2.1 Limitations in Operations due to constraints like temperature, frequency, reverse blocking capacity, etc 6 MARKET SEGMENTATION 6.1 Product 6.1.1 Low-Voltage FETs 6.1.2 IGBT Modules 6.1.3 RF and Microwave Transistors 6.1.4 High Voltage FETs 6.1.5 IGBT Transistors 6.2 Type 6.2.1 Bipolar Junction Transistor 6.2.2 Field Effect Transistor 6.2.3 Heterojunction Bipolar Transistor 6.2.4 Othersc(MOSFET, JFET, NPN Transistor, PNP Transistor, GaN transistor) 6.3 Geography 6.3.1 North America 6.3.2 Europe 6.3.3 Asia Pacific 6.3.4 Latin America 6.3.5 Middle East and Africa 7 COMPETITIVE LANDSCAPE 7.1 Company Profiles* 7.1.1 Champion Microelectronics Corp 7.1.2 Fairchild Semiconductor International Inc. 7.1.3 Infineon Technologies AG 7.1.4 Renesas Electronics Corporation 7.1.5 NXP Semiconductors N.V. 7.1.6 Texas Instruments Inc. 7.1.7 STMicroelectronics N.V. 7.1.8 Linear Integrated Systems Inc. 7.1.9 Mitsubishi Electric Corporation 7.1.10 Toshiba Corporation 8 INVESTMENT ANALYSIS 9 FUTURE OF THE MARKET
SummaryThe power transistor is a crucial component that is used in consumer electronics; their application includes elevating the performance and utility of consumer electronics devices by increasing power efficiency, reducing size and system cost, enabling smaller, sleeker designs, and providing new features such as professional-level audio quality. Table of Contents1 INTRODUCTION1.1 Study Assumptions and Market Definition 1.2 Scope of the Study 2 RESEARCH METHODOLOGY 3 EXECUTIVE SUMMARY 4 MARKET INSIGHTS 4.1 Market Overview 4.2 Industry Attractiveness - Porter's Five Forces Analysis 4.2.1 Bargaining Power of Suppliers 4.2.2 Bargaining Power of Buyers 4.2.3 Threat of New Entrants 4.2.4 Threat of Substitutes 4.2.5 Intensity of Competitive Rivalry 4.3 Assessment of the Impact of COVID-19 on the Market 5 MARKET DYNAMICS 5.1 Market Drivers 5.1.1 Rise in demand for connected devices 5.1.2 Surging usage of fossil fuels has increasing demand for power-efficient electronic devices 5.2 Market Challenges / Restrain 5.2.1 Limitations in Operations due to constraints like temperature, frequency, reverse blocking capacity, etc 6 MARKET SEGMENTATION 6.1 Product 6.1.1 Low-Voltage FETs 6.1.2 IGBT Modules 6.1.3 RF and Microwave Transistors 6.1.4 High Voltage FETs 6.1.5 IGBT Transistors 6.2 Type 6.2.1 Bipolar Junction Transistor 6.2.2 Field Effect Transistor 6.2.3 Heterojunction Bipolar Transistor 6.2.4 Othersc(MOSFET, JFET, NPN Transistor, PNP Transistor, GaN transistor) 6.3 Geography 6.3.1 North America 6.3.2 Europe 6.3.3 Asia Pacific 6.3.4 Latin America 6.3.5 Middle East and Africa 7 COMPETITIVE LANDSCAPE 7.1 Company Profiles* 7.1.1 Champion Microelectronics Corp 7.1.2 Fairchild Semiconductor International Inc. 7.1.3 Infineon Technologies AG 7.1.4 Renesas Electronics Corporation 7.1.5 NXP Semiconductors N.V. 7.1.6 Texas Instruments Inc. 7.1.7 STMicroelectronics N.V. 7.1.8 Linear Integrated Systems Inc. 7.1.9 Mitsubishi Electric Corporation 7.1.10 Toshiba Corporation 8 INVESTMENT ANALYSIS 9 FUTURE OF THE MARKET
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2024/10/04 10:27 147.72 円 163.39 円 196.69 円 |
