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誘電体前駆体市場レポート CMR 2024-2025:CVD、ALD、および先進誘電体前駆体


Dielectric Precursors Market Report CMR 2024-2025: CVD, ALD AND ADVANCED DIELECTRICPRECURSORS

米国の半導体材料専門の調査会社テクセット社の調査レポート「誘電体前駆体市場レポート CMR 2024-2025:CVD、ALD、および先進誘電体前駆体」は、半導体デバイス製造に使用される前駆体の市場展望とサプライチ... もっと見る

 

 

出版社 出版年月 電子版価格 ページ数 言語
Techcet
テクセット社
2024年6月14日 US$8,900
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サマリー

米国の半導体材料専門の調査会社テクセット社の調査レポート「誘電体前駆体市場レポート CMR 2024-2025:CVD、ALD、および先進誘電体前駆体」は、半導体デバイス製造に使用される前駆体の市場展望とサプライチェーンを網羅しています。主要サプライヤーに関する情報、材料サプライチェーンにおける課題/動向、サプライヤーの市場シェアに関する予測、材料セグメントに関する予測などが含まれています。

本レポートのポイント

  • CVD、ALD、SODアプリケーション(ILD、低κ誘電体、ハードマスク、サイドウォールスペーサ、エッチングストップ層を含む)に対応した有機および無機プリカーサの市場および技術動向情報を提供。
  • サプライチェーンマネージャー、プロセス統合や研究開発の責任者、事業開発や財務アナリストに焦点を当てた情報を提供。
  • 主要な誘電体プリカーサーの情報、材料サプライチェーンにおける課題やトレンド、サプライヤーのマーケットシェア予測、エレクトロニクス材料セグメントの予測などを網羅。

主な掲載内容(目次より抜粋)

1 エグゼクティブ・サマリー
2 調査範囲、目的、メソドロジー
3 半導体産業市場の現状と展望
4 素材市場の動向
5 供給側の市場環境
6 下層サプライチェーン、前駆体
7 サプライヤーのプロファイル



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目次

CVD、ALDおよび先端誘電体前駆体
サプライチェーンと市場分析 重要素材レポート(CMR)

TECHCET-CMR-dielectrics-061424CY

目次

1 エグゼクティブ・サマリー 11

1.1 前駆体ビジネス ?市場概要 12
1.2 2024年の見通しに影響を与える前駆体市場動向 13
1.3 5年間のセグメント別出荷本数予測誘電体前駆体 14

1.4 プリカーサーの動向 15
1.5 プリカーサの技術動向 16
1.6 誘電体前駆体の競争環境 17
1.7 誘電体前駆体のアナリスト評価 18

2 範囲、目的および方法 19

2.1 範囲 20
2.2 方法論 21
2.3 テクセットが提供する他のCMR(TM)の概要 22

3 半導体産業市場の現状と展望 23

3.1 世界経済と展望 24
3.1.1 世界経済と半導体産業の関係 26
3.1.2 半導体売上高の伸び 27
3.1.3 台湾外注メーカーの月次売上動向 28
3.2 電子機器セグメント別チップ売上高 29
3.2.1 エレクトロニクス産業の展望 30
3.2.2 自動車産業の展望 31
3.2.2.1 電気自動車(EV)市場動向 32
3.2.2.2 自動車向け半導体搭載量の増加 33
3.2.3 スマートフォンの展望 34
3.2.4 PCの展望 35
3.2.5 サーバー/IT市場 36
3.3 半導体製造の成長と拡大 37
3.3.1 チップ拡張のための巨額投資の真っ只中 38
3.3.2 米国における新しいファブ 39
3.3.3 世界のファブ拡大が成長を牽引 40
3.3.4 設備投資動向 41
3.3.5 先端ロジック技術のロードマップ 42
3.3.5.1 ドラム技術のロードマップ 43
3.3.5.2 3Dナンド技術のロードマップ 44
3.3.6 ファブ投資評価 45
3.4 政策と貿易の動向と影響 46
3.5 半導体材料の概要 47
3.5.1 2028年までのテクセットウェーハ生産開始予測 48
3.5.2 2028 年までのテクセット材料市場予測 49

4 素材市場の動向 50

4.1 CVD、ALDメタル、HIGH-Kおよび先進誘電体プリカーサー市場の動向 51
4.1.1 2023年プリカーサー市場は2024年まで続く 52
4.1.2 プリカーサー市場の展望 53
4.1.3 誘電体プリカーサのセグメント別5年間出荷本数予測 54
4.1.4 トップ・サプライヤーの誘電体生産量 55
4.1.5 誘電体の地域別生産量 56
4.1.6 ALD/CVD材料の生産能力拡張 57
4.1.7 投資発表の概要 59
4.2 価格動向 60
4.3 技術トレンド/技術ドライバー - 概要 61
4.3.1 先行技術全般の概要と技術動向 62
4.3.2 顧客主導型技術 63
4.3.3 NANDロードマップと課題-3D NANDレベルとスタック/ティア 64
4.3.4 必要とされる3D NANDプロセスの進歩 65
4.3.5 マイクロンは画期的なNVDRAMを発表:
DRAM に近い性能を持つ二層 32G ビット不揮発性強誘電体メモリ 66
4.3.6 先端ロジックのロードマップと課題?ロジック・トランジスタロードマップ 67
4.3.7 先端ロジック(ファウンドリ)ノードのHVM予測 68
4.3.7.1 半導体対決:サムスンとTSMCのGAA FET対インテルのリボンフェ ット 69
4.3.8 アドバンス・ロジックの将来の技術課題 70
4.3.9 フォトリソグラフィへのアドバンシング・テクノロジーの影響 72
4.3.9.1 フォトリソグラフィへのアドバンシング・テクノロジの影響?DSA 73
4.3.9.2 フォトリソグラフィへのアドバンシング・テクノロジーの導入:
3.9.2 フォトリソグラフィへのアドバンシング・テクノロジー:応用材料によるセンチュラスカルプタ:半導体製造の未来を形作る 75
4.3.9.3 フォトリソグラフィへのアドバンシング・テクノロジー:
成膜によるラインエッジラフネス低減 76
4.3.10 CFETアーキテクチャ:CFETのスケーリングの優位性 77
4.3.10.1 CFETアーキテクチャ:相補型FET(CFET) 78
4.3.10.2 CFETアーキテクチャ:CFETの将来展望 81
4.3.11 無機euvレジスト?スピンオンデポジション 83
4.3.11.1 無機euvレジスト ?ALD蒸着 84
4.3.12 セルフ・アラインド・マルチ・パターニング ?SADP 85
4.3.12.1 セルフ・アラインド・マルチ・パターニング ?SAQP 86
4.3.12.2 セルフ・アラインド・マルチ・パターニング ?ピールド装置 87
4.3.12.3 自己整合型マルチパターニング-SAQPは7nmを超えるEuvをバイパスできるか?
4.3.13 Euv、マルチパターニング、地政学 89
4.3.14 面積選択蒸着(ASD) 90
4.3.14.1 面積選択性蒸着(asd)?プラズマ前処理によるTUアイントホーフェン選択的成膜 91
4.3.15 特殊/新興誘電体とその応用 92
4.3.16 地域的考察 ?誘電体 93
4.3.17 地域的側面と推進力 94
4.4 EHSと貿易・物流問題 ?金属、高誘電率、誘電体 96
4.5 誘電体市場動向のアナリスト評価 97

5 供給側の市場環境 98

5.1 プリカーサ素材市場シェア 99
5.1.1 当四半期の活動 ?メルク 100
5.1.1.1 メルク 101
5.1.2 当四半期の動き ?エア・リキード 103
5.1.2.1 エア・リキード 104
5.1.3 当四半期の活動 ?
5.1.3.1 エンテグリス 106
5.1.4 ADEKA 107
5.1.4.1 アデカ 108
5.2 マンダの活動と提携 109
5.3 工場閉鎖 111
5.4 新規参入 112
5.4.1 MSPがターボII(TM)気化器を発売:半導体製造の次世代効率化 113
5.5 廃止のリスクのあるサプライヤー、部品・製品ライン
製品ライン 114
5.6 テクセットアナリストによるプリカーサプライヤーの評価 115

6 下層サプライチェーン、前駆体 116

6.1 準サプライチェーン:供給源と市場概要 117
6.1.1 サブティアサプライチェーン:供給源と市場概要 ?
第2層の例 ヌリョンとジェレスト 118
6.1.2 サブティアサプライチェーン:供給源と市場の概要 ?
化学およびガス管理システム 119
6.1.3 サブ・ティア供給チェーン:供給源と市場概要 ?
ケミカル・デリバリー・キャビネット 120
6.1.4 サブティアサプライチェーン:供給源と市場概要 ?
バルブマニホールドボックス(VMB) 121
6.1.5 サブティア供給チェーン:供給源と市場の概要 ?
バルク仕様ガスシステム 122
6.1.6 サブティア供給チェーン:供給源と市場概要 ?
ガスキャビネット 123
6.1.7 サブティア供給チェーン:供給源と市場概要 ?
フォーミングガスとドーパントガス混合器 124
6.1.8 サブティアサプライチェーン:供給源と市場の概要
化学 - モニタリングと分析システム 125
6.2 サブティア材料のCVDとALDプリカーサの動向 126
6.3 工業用サブティア材料と半導体グレードの比較 127
6.4 半導体グレードのサブ・ティア材料サプライヤー グローバル・ネットワーク・メルク 128
6.5 半導体グレード下層材料サプライヤー・グローバル・ネットワーク エア・リキード 129
6.6 半導体グレードの副次的材料サプライヤー ニュース 130
6.7 サブティアサプライチェーンの破壊者 132
6.8 サブティアサプライチェーン技術アナリスト評価 133

7 サプライヤーのプロファイル 134

株式会社アデカ
エアリキード(メーカー、清浄機、サプライヤー)
株式会社アズマックス
シティケミカル
株式会社DNF
その他20社以上

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図表リスト

図リスト

図1.1:誘電体プリカーサのセグメント別売上高(百万米ドル)予測 14
図1.2:世界市場シェア - 誘電体前駆体 2023年 (6億8600万米ドル) 17

図3.1:世界経済とエレクトロニクス・サプライチェーン(2023年) 26
図3.2: 世界の半導体売上高 27
図3.3:テックセットの台湾半導体産業指数(TTSI) 28
図3.4: 2023年の半導体チップ・アプリケーション 29
図3.5:世界の軽自動車販売台数(単位:百万台) 31
図3.6:世界地域別電動化トレンド 32
図3.7:自動車用半導体生産 33
図3.8:携帯電話出荷台数(世界推計) 34
図3.9: 世界のパソコンとタブレットの予測 35
図3.10:TSMCフェニックス・キャンパスと背景に見える第2ファブ 37
図3.11:2023-2028年の世界のファブ支出予測 38
図3.12:米国内のファブ拡張 39
図3.13:世界の半導体チップ製造地域 40
図3.14:世界の総設備投資額(百万米ドル)と前年比変化 41
図3.15:先進ロジック・デバイス技術のロードマップ概要 42
図 3.16: ドラム技術のロードマップ概要 43
図 3.17:3D NAND 技術のロードマップ概要 44
図 3.18:2024 年 2 月現在のインテル・オハイオ工場敷地 45
図 3.19: テックセットのノードセグメント別ウェーハスタート予測 48
図 3.20: テクセットの世界材料予測(百万米ドル) 49

図 4.1: 誘電体前駆体のセグメント別売上高(百万米ドル)予測 54
図4.2: 世界市場シェア - 誘電体前駆体 2023年 (686百万米ドル) 55
図4.3: 誘電体前駆体市場の地域別評価 56
図 4.4: 新しいデバイス・プロセスを促進する最終用途アプリケーション 63
図 4.5:3D積層が誘電体および金属プリカーサの量を押し上げる 64
図 4.6: 3d ナンドの進展 65
図 4.7: 1t 1c メモリ層を持つ 32GB NVDRAM 66
図 4.8: ゲート構造のロードマップ 67
図 4.9: 先端ロジック(ファウンドリ)ノードのロードマップ 68
図4.10:リボンフェット 69
図4.11:モノレイヤー・ナノシート・チャンネル 71
図4.12:ナノインプリント・リソグラフィープロセスフロー 72
図4.13:ナノインプリント・リソグラフィのALD/ALE強化 72
図4.14:指向性自己組織化 73
図4.15:企業別のDSA特許出願 74
図4.16:2023年以降のDSA特許出願 74
図4.17:パターン形成とは何か?
図4.18:応用材料によるEuvパターン形成の洗練 76
図4.19:相補型フェット(CFET) 77
図 4.20:CFET はトラック・スケーリングで性能を向上させる 77
図4.21:モノリシックCFETプロセスフローの例 78
図4.22:MCFETの新機能:中間絶縁膜 78
図4.23:低温ゲートスタックオプション例 79
図4.24:低温SD/コンタクト・オプションの例 79
図4.25:BSPDNの利点:IRドロップの減少 80
図4.26:次世代Gaa-FetとCfetで要求されるALDステップ数の増加 81
図 4.27:IMEC のサブ 1nm トランジスタ・ロードマップ、3D 積層 cmos 2.0 計画 82
図 4.28: インプリア Euv モジュール 83
図 4.29: インプリアのスピンオン無機レジストは標準的なフォトレジストのスタックよりはるかに薄い 83
図 4.30: MLD 堆積 euv レジストの特許出願。patbase で検索 84
図4.31:ALDスペーサーを用いたSADPプロセスフロー 85
図4.32: 多種多様なSAQPプロセスフローのひとつ 86
図4.33:プラズマ前処理による選択的ALD 91
図 4.34: ヘテロジニアス・インテグレーションのための特殊/新興誘電体アプリケーション(応用材料) 92
図 4.35: 2023 年誘電体の地域別売上シェア 93

図5.1:2023年前駆体材料サプライヤーの売上高シェア 99
図5.2:メルク・エレクトロニクスの2022~2023年の売上高
(百万ユーロ), 左.半導体ソリューションの年間売上高予測(百万ユーロ)、右 102.
図 5.3: エア・リキード・エレクトロニクス売上高予測(百万ユーロ) 104
図5.4: エンテグリスのMS(マテリアル・ソリューション)部門収益予測 106
図5.5:ADEKAのエレクトロニクス部門売上高予測(億円) 107

図6.1:フォーミングガスブレンダーの構成 124
図6.2:バーサムマテリアルズU.S.L.C.への供給国・地域上位
(パンジバ 2024 年 4 月) 128
図6.3:Aliquide America Corp.にガスを供給している上位の国・地域(Panjeiva 2024年4月) 128
(パンジバ 2024 年 4 月) 129
図6.4:H.C.スタルク社(アメリカ)に製品を供給している上位の国・地域 130

表リスト

表1.1:誘電体前駆体の売上と成長率 14
表1.2:誘電体プリカーサーのサプライヤー別市場シェア(推定) 2023年 17
表3.1:世界のGDPと半導体売上高 24

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プレスリリース

2024年8月1日
先端アプリケーションが牽引する半導体ALD/CVD前駆体

Mo、WF6、Co前駆体が大きく成長
2024年8月1日、カリフォルニア州サンディエゴ発: 
半導体サプライチェーンの回復力を高めるための材料市場情報を提供するアドバイザリー会社TECHCETは、2024年の半導体金属および酸化物前駆体の売上高が17億米ドルに達し、2023年比で15%増加すると予測している。これは全てのフロントプロセス材料セグメントの中で最も高い成長率である。金属/金属酸化物プリカーサは市場の大半を占め、予想収益は9億7200万米ドル、誘電体プリカーサは合計7億4200万米ドルになると予想される。プリカーサ市場は2023年から2028年にかけて年平均成長率9%で増加すると予測される。市場予測とトレンドに関する詳細情報は、ALD/CVD前駆体に関するTECHCETの新しいCritical Materials Reports(TM) に掲載されている。


金属および誘電体前駆体市場の収益予測

次世代ロジック、DRAM、3D NANDデバイスに不可欠なGAA FET、EUVリソグラフィ、High-k/メタルゲートトランジスタなどの先端プロセス技術に多額の投資が行われている。プリカーサの収益成長の回復は、AIと先端技術アプリケーションによって牽引されている。さらに、2nmロジックノード以降のバックサイドパワーデリバリのためのメタライゼーションもメタルプリカーサの成長を押し上げている。

モリブデン(Mo)前駆体、特にMoO2Cl2は、その良好な電気特性と次世代デバイスへの応用により、高い成長が予測される。先端デバイス・ノードと強く結びついている他のプリカーサには、コバルト・プリカーサ(CoCOCpとCCTBA)と六フッ化タングステン(WF6)がある。

より持続可能で効率的な生産方法へのシフトは、環境負荷の低減と製造効率の改善に焦点を当てた新しいプレカーサーの開発に影響を及ぼしている。

業界の大手企業は、増大する需要に対応するため、生産能力を拡大している。エア・リキード、メルク、ジェレスト/三菱化学グループなどの企業は、台湾、韓国、米国などの主要地域で生産設備に多額の投資を行っている。

 

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Summary

Description
This report covers the market landscape and supply-chain for Precursors used in semiconductor device fabrication. It includes information about key suppliers, issues/trends in the material supply chain, estimates on supplier market share, and forecast for the material segments.

  • Provides market and technical trend information on organic and inorganic precursors, addressing CVD, ALD, and SOD applications including ILDs & low-κ dielectrics, hard masks, sidewall spacers and etch stop layers.
  • Provides focused information for supply-chain managers, process integration and R&D directors, as well as business development and financial analysts.
  • Covers information about key dielectric precursor suppliers, issues/trends in the material supply chain, estimates on supplier market share, and forecast for the electronics material segments.


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Table of Contents

CVD, ALD AND ADVANCED DIELECTRIC PRECURSORS
SUPPLY-CHAIN & MARKET ANALYSIS A CRITICAL MATERIALS REPORT

TECHCET-CMR-dielectrics-061424CY

Table of Contents

1 EXECUTIVE SUMMARY 11

1.1 PRECURSORS BUSINESS – MARKET OVERVIEW 12
1.2 PRECURSORS MARKET TRENDS IMPACTING 2024 OUTLOOK 13
1.3 5-YEAR UNIT SHIPMENT FORECAST BY SEGMENT: DIELECTRIC PRECURSORS 14

1.4 PRECURSOR TRENDS 15
1.5 PRECURSOR TECHNOLOGY TRENDS 16
1.6 COMPETITIVE LANDSCAPE DIELECTRIC PRECURSORS 17
1.7 ANALYST ASSESSMENT OF DIELECTRIC PRECURSORS 18

2 SCOPE, PURPOSE AND METHODOLOGY 19

2.1 SCOPE 20
2.2 METHODOLOGY 21
2.3 OVERVIEW OF OTHER TECHCET CMR(TM) OFFERINGS 22

3 SEMICONDUCTOR INDUSTRY MARKET STATUS and OUTLOOK 23

3.1 WORLDWIDE ECONOMY AND OUTLOOK 24
3.1.1 SEMICONDUCTOR INDUSTRIES TIES TO THE GLOBAL ECONOMY 26
3.1.2 SEMICONDUCTOR SALES GROWTH 27
3.1.3 TAIWAN OUTSOURCE MANUFACTURER MONTHLY SALES TRENDS 28
3.2 CHIPS SALES BY ELECTRONIC GOODS SEGMENT 29
3.2.1 ELECTRONICS OUTLOOK 30
3.2.2 AUTOMOTIVE INDUSTRY OUTLOOK 31
3.2.2.1 ELECTRIC VEHICLE (EV) MARKET TRENDS 32
3.2.2.2 INCREASE IN SEMICONDUCTOR CONTENT FOR AUTOS 33
3.2.3 SMARTPHONE OUTLOOK 34
3.2.4 PC OUTLOOK 35
3.2.5 SERVERS / IT MARKET 36
3.3 SEMICONDUCTOR FABRICATION GROWTH and EXPANSION 37
3.3.1 IN THE MIDST OF HUGE INVESTMENT IN CHIP EXPANSIONS 38
3.3.2 NEW FABS IN THE US 39
3.3.3 WW FAB EXPANSION DRIVING GROWTH 40
3.3.4 EQUIPMENT SPENDING TRENDS 41
3.3.5 ADVANCED LOGIC TECHNOLOGY ROADMAPS 42
3.3.5.1 DRAM TECHNOLOGY ROADMAPS 43
3.3.5.2 3D NAND TECHNOLOGY ROADMAPS 44
3.3.6 FAB INVESTMENT ASSESSMENT 45
3.4 POLICY and TRADE TRENDS AND IMPACT 46
3.5 SEMICONDUCTOR MATERIALS OVERVIEW 47
3.5.1 TECHCET WAFER STARTS FORECAST THROUGH 2028 48
3.5.2 TECHCET MATERIALS MARKET FORECAST THROUGH 2028 49

4 MATERIAL MARKETTRENDS 50

4.1 CVD, ALD METAL and HIGH-K AND ADVANCED DIELECTRIC PRECURSORS MARKET TRENDS 51
4.1.1 2023 PRECURSOR MARKET LEADING INTO 2024 52
4.1.2 PRECURSOR MARKET OUTLOOK 53
4.1.3 DIELECTRIC PRECURSORS 5-YEAR UNIT SHIPMENT FORECAST BY SEGMENT 54
4.1.4 DIELECTRIC PRODUCTION OF TOP SUPPLIERS 55
4.1.5 DIELECTRIC PRODUCTION BY REGION 56
4.1.6 ALD/CVD MATERIAL PRODUCTION CAPACITY EXPANSIONS 57
4.1.7 INVESTMENT ANNOUNCEMENTS OVERVIEW 59
4.2 PRICING TRENDS 60
4.3 TECHNOLOGY TRENDS/TECHNICAL DRIVERS - OUTLINE 61
4.3.1 PRECURSOR GENERAL TECHNOLOGY OVERVIEW and TECHNOLOGY TRENDS 62
4.3.2 CUSTOMER DRIVEN TECHNOLOGIES 63
4.3.3 NAND ROADMAPS AND CHALLENGES - 3D NAND LEVELS W/ STACKS/TIERS 64
4.3.4 3D NAND PROCESS ADVANCES REQUIRED 65
4.3.5 MICRON UNVEILS BREAKTHROUGH NVDRAM:
A DUAL-LAYER 32GBIT NON-VOLATILE FERROELECTRIC MEMORY WITH NEAR-DRAM PERFORMANCE 66
4.3.6 ADVANCED LOGIC ROADMAPS AND CHALLENGES – LOGIC TRANSISTOR EST. ROADMAP 67
4.3.7 ADVANCED LOGIC (FOUNDRY) NODE HVM ESTIMATE 68
4.3.7.1 THE SEMICONDUCTOR SHOWDOWN: SAMSUNG AND TSMC'S GAA FETS VS. INTEL'S RIBBONFET 69
4.3.8 ADV LOGIC FUTURE TECHNOLOGY CHALLENGES 70
4.3.9 ADVANCING TECHNOLOGIES IMPLICATION TO PHOTOLITHOGRAPHY 72
4.3.9.1 ADVANCING TECHNOLOGIES IMPLICATION TO PHOTOLITHOGRAPHY – DSA 73
4.3.9.2 ADVANCING TECHNOLOGIES IMPLICATION TO PHOTOLITHOGRAPHY:
CENTURA SCULPTA BY APPLIED MATERIALS:SHAPING THE FUTURE OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING 75
4.3.9.3 ADVANCING TECHNOLOGIES IMPLICATION TO PHOTOLITHOGRAPHY:
LINE EDGE ROUGHNESS REDUCTION THRU DEPOSITION 76
4.3.10 CFET ARCHITECTURE: CFET SCALING ADVANTAGE 77
4.3.10.1 CFET ARCHITECTURE: COMPLEMENTARY FETS (CFETS) 78
4.3.10.2 CFET ARCHITECTURE: CFET FUTURE PROSPECTS 81
4.3.11 INORGANIC EUV RESIST – SPIN ON DEPOSITION 83
4.3.11.1 INORGANIC EUV RESIST – ALD DEPOSITED 84
4.3.12 SELF ALIGNED MULTI PATTERNING – SADP 85
4.3.12.1 SELF ALIGNED MULTI PATTERNING – SAQP 86
4.3.12.2 SELF ALIGNED MULTI PATTERNING – PEALD EQUIPMENT 87
4.3.12.3 SELF ALIGNED MULTI PATTERNING - CAN SAQP BYPASS EUV BEYOND 7 NM? 88
4.3.13 EUV, MULTI PATTERNING AND GEOPOLITICS 89
4.3.14 AREA SELECTIVE DEPOSITION (ASD) 90
4.3.14.1 AREA SELECTIVE DEPOSITION (ASD) – TU EINDHOVEN SELECTIVE ALD ENABLED BY PLASMA PRETREATMENT 91
4.3.15 SPECIALTY/EMERGING DIELECTRIC AND APPLICATIONS 92
4.3.16 REGIONAL CONSIDERATIONS – DIELECTRICS 93
4.3.17 REGIONAL ASPECTS AND DRIVERS 94
4.4 EHS AND TRADE/LOGISTIC ISSUES – METALS, HIGH-K AND DIELECTRICS 96
4.5 ANALYST ASSESSMENT OF DIELECTRIC MARKET TRENDS 97

5 SUPPLY-SIDE MARKET LANDSCAPE 98

5.1 PRECURSOR MATERIAL MARKET SHARE 99
5.1.1 CURRENT QUARTER ACTIVITY – MERCK 100
5.1.1.1 MERCK 101
5.1.2 CURRENT QUARTER ACTIVITY – AIR LIQUIDE 103
5.1.2.1 AIR LIQUIDE 104
5.1.3 CURRENT QUARTER ACTIVITY –ENTEGRIS 105
5.1.3.1 ENTEGRIS 106
5.1.4 ADEKA 107
5.1.4.1 ADEKA 108
5.2 MandA ACTIVITY AND PARTNERSHIPS 109
5.3 PLANT CLOSURES 111
5.4 NEW ENTRANTS 112
5.4.1 MSP LAUNCHES TURBO II(TM) VAPORIZERS: NEXT-GEN EFFICIENCY FOR SEMICONDUCTOR FABRICATION 113
5.5 SUPPLIERS OR PARTS/PRODUCT LINES THAT ARE AT RISK OF
DISCONTINUATIONS 114
5.6 TECHCET ANALYST ASSESSMENT OF PRECURSOR SUPPLIERS 115

6 SUB-TIER SUPPLY-CHAIN, PRECURSORS 116

6.1 SUB-TIER SUPPLY CHAIN: SOURCES and MARKETS OVERVIEW 117
6.1.1 SUB-TIER SUPPLY CHAIN: SOURCES and MARKETS OVERVIEW –
TIER 2 EXAMPLES NOURYON AND GELEST 118
6.1.2 SUB-TIER SUPPLY CHAIN: SOURCES and MARKETS OVERVIEW –
CHEMICAL and GAS MANAGEMENT SYSTEMS 119
6.1.3 SUB-TIER SUPPLY CHAIN: SOURCES and MARKETS OVERVIEW –
CHEMICAL DELIVERY CABINETS 120
6.1.4 SUB-TIER SUPPLY CHAIN: SOURCES and MARKETS OVERVIEW –
VALVE MANIFOLD BOXES (VMB) 121
6.1.5 SUB-TIER SUPPLY CHAIN: SOURCES and MARKETS OVERVIEW –
BULK SPEC GAS SYSTEMS 122
6.1.6 SUB-TIER SUPPLY CHAIN: SOURCES and MARKETS OVERVIEW –
GAS CABINETS 123
6.1.7 SUB-TIER SUPPLY CHAIN: SOURCES and MARKETS OVERVIEW –
FORMING GAS and DOPANT GAS BLENDERS 124
6.1.8 SUB-TIER SUPPLY CHAIN: SOURCES and MARKETS OVERVIEW
CHEMICAL - MONITORING AND ANALYTICAL SYSTEMS 125
6.2 SUB-TIER MATERIAL CVD and ALD PRECURSOR TRENDS 126
6.3 SUB-TIER MATERIAL INDUSTRIAL VS. SEMICONDUCTOR-GRADE 127
6.4 SEMICONDUCTOR-GRADE SUB-TIER MATERIAL SUPPLIER GLOBAL NETWORK MERCK 128
6.5 SEMICONDUCTOR-GRADE SUB-TIER MATERIAL SUPPLIER GLOBAL NETWORK AIR LIQUIDE 129
6.6 SEMICONDUCTOR-GRADE SUB-TIER MATERIAL SUPPLIER NEWS 130
6.7 SUB-TIER SUPPLY-CHAIN DISRUPTORS 132
6.8 SUB-TIER SUPPLY-CHAIN TECHCET ANALYST ASSESSMENT 133

7 SUPPLIER PROFILES 134

ADEKA CORPORATION
AIR LIQUIDE (MAKER, PURIFIER, SUPPLIER)
AZMAX CO., LTD
CITY CHEMICAL LLC
DNF CO., LTD
…AND 20+ MORE

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List of Tables/Graphs

FIGURES

FIGURE 1.1: DIELECTRIC PRECURSOR REVENUE (M USD) FORECAST BY SEGMENT 14
FIGURE 1.2: WW MARKET SHARE - DIELECTRIC PRECURSORS 2023 (U$ 686 M) 17

FIGURE 3.1: GLOBAL ECONOMY AND THE ELECTRONICS SUPPLY CHAIN (2023) 26
FIGURE 3.2: WORLDWIDE SEMICONDUCTOR SALES 27
FIGURE 3.3: TECHCET’S TAIWAN SEMICONDUCTOR INDUSTRY INDEX (TTSI) 28
FIGURE 3.4: 2023 SEMICONDUCTOR CHIP APPLICATIONS 29
FIGURE 3.5: GLOBAL LIGHT VEHICLE UNIT SALES (IN MILLIONS OF UNITS) 31
FIGURE 3.6: ELECTRIFICATION TREND BY WORLD REGION 32
FIGURE 3.7: AUTOMOTIVE SEMICONDUCTOR PRODUCTION 33
FIGURE 3.8: MOBILE PHONE SHIPMENTS, WW ESTIMATES 34
FIGURE 3.9: WORLDWIDE PC AND TABLET FORECAST 35
FIGURE 3.10: TSMC PHOENIX CAMPUS WITH THE 2ND FAB VISIBLE IN THE BACKGROUND 37
FIGURE 3.11: ESTIMATED GLOBAL FAB SPENDING 2023-2028 38
FIGURE 3.12: FAB EXPANSIONS WITHIN THE US 39
FIGURE 3.13: SEMICONDUCTOR CHIP MANUFACTURING REGIONS OF THE WORLD 40
FIGURE 3.14: GLOBAL TOTAL EQUIPMENT SPENDING (US$ M) AND Y-O-Y CHANGE 41
FIGURE 3.15: ADVANCED LOGIC DEVICE TECHNOLOGY ROADMAP OVERVIEW 42
FIGURE 3.16: DRAM TECHNOLOGY ROADMAP OVERVIEW 43
FIGURE 3.17: 3D NAND TECHNOLOGY ROADMAP OVERVIEW 44
FIGURE 3.18: INTEL OHIO PLANT SITE AS OF FEB. 2024 45
FIGURE 3.19: TECHCET WAFER START FORECAST BY NODE SEGMENTS 48
FIGURE 3.20: TECHCET WORLDWIDE MATERIALS FORECAST ($M USD) 49

FIGURE 4.1: DIELECTRIC PRECURSOR REVENUE (M USD) FORECAST BY SEGMENT 54
FIGURE 4.2: WW MARKET SHARE - DIELECTRIC PRECURSORS 2023 (U$ 686 M) 55
FIGURE 4.3: DIELECTRIC PRECURSOR MARKET REGIONAL ASSESSMENT 2023 56
FIGURE 4.4: END USE APPLICATIONS DRIVING NEW DEVICE PROCESSES 63
FIGURE 4.5: 3D NAND STACKING DRIVES DIELECTRICS AND METALS PRECURSOR VOLUME 64
FIGURE 4.6: 3D NAND PROGRESSION 65
FIGURE 4.7: 32 GB NVDRAM WITH 1T 1C MEMORY LAYERS 66
FIGURE 4.8: GATE STRUCTURE ROADMAP 67
FIGURE 4.9: ADVANCED LOGIC (FOUNDRY) NODE ROAD MAP 68
FIGURE 4.10: RIBBON FET 69
FIGURE 4.11: MONO LAYER NANO SHEETS CHANNELS 71
FIGURE 4.12: NANO IMPRINT LITHOGRAPHY PROCESS FLOW 72
FIGURE 4.13: ALD/ALE ENHANCEMENT OF NANO IMPRINT LITHOGRAPHY 72
FIGURE 4.14: DIRECTED SELF-ASSEMBLY 73
FIGURE 4.15: DSA PATENT FILING BY COMPANY 74
FIGURE 4.16: DSA PATEN FILING SINCE 2023 74
FIGURE 4.17: WHAT IS PATTERN SHAPING? 75
FIGURE 4.18: REFINING EUV PATTERNING BY APPLIED MATERIALS 76
FIGURE 4.19: COMPLEMENTARY FET (CFET) 77
FIGURE 4.20: CFET IMPROVES PERFORMANCE IN TRACK SCALING 77
FIGURE 4.21: MONOLITHIC CFET PROCESS FLOW EXAMPLE 78
FIGURE 4.22: MCFET NEW FEATURE: MIDDLE DIELECTRIC ISOLATION 78
FIGURE 4.23: LOW TEMPERATURE GATE STACK OPTION EXAMPLES 79
FIGURE 4.24: LOW TEMPERATURE SD/CONTACT OPTION EXAMPLES 79
FIGURE 4.25: BSPDN ADVANTAGE: IR DROP REDUCTION 80
FIGURE 4.26: INCREASING NUMBER OF ALD STEPS REQUIRED BY NEXT GENERATION GAA-FET AND CFET 81
FIGURE 4.27: IMEC SUB-1NM TRANSISTOR ROADMAP, 3D-STACKED CMOS 2.0 PLANS 82
FIGURE 4.28: INPRIA EUV MOR 83
FIGURE 4.29: INPRIA SPIN ON INORGANIC RESIST IS MUCH THINNER THAN STANDARD STACKS OF PHOTO RESIST 83
FIGURE 4.30: PATENT FILING FOR MLD DEPOSITED EUV RESIST. SEARCH PERFORMED IN PATBASE 84
FIGURE 4.31: SADP PROCESS FLOW USING ALD SPACER 85
FIGURE 4.32: ONE OF MANY FLAVORS OF SAQP PROCESS FLOW 86
FIGURE 4.33: SELECTIVE ALD ENABLED BY PLASMA PRETREATMENT 91
FIGURE 4.34: SPECIALTY/EMERGING DIELECTRIC APPLICATIONS FOR HETEROGENOUS INTEGRATIONS (APPLIED MATERIALS) 92
FIGURE 4.35: 2023 DIELECTRIC REVENUE SHARE BY REGION 93

FIGURE 5.1: 2023 PRECURSOR MATERIAL SUPPLIER MARKET SHARE BY REVENUE 99
FIGURE 5.2: MERCK ELECTRONICS REVENUE 2022-2023
(M EUR), LEFT. SEMICONDUCTOR SOLUTIONS ANNUAL REVENUE FORECAST (M EUR), RIGHT. 102
FIGURE 5.3: AIR LIQUIDE ELECTRONICS REVENUE FORECAST (M EUR) 104
FIGURE 5.4: THE MS (MATERIAL SOLUTIONS) DIVISION OF ENTEGRIS REVENUE FORECAST 106
FIGURE 5.5: ADEKA REVENUE ELECTRONICS REVENUE FORECAST (100M JPY) 107

FIGURE 6.1: FORMING GAS BLENDER CONFIGURATION 124
FIGURE 6.2: TOP COUNTRIES/REGIONS THAT SUPPLY VERSUM MATERIALS US LLC
(PANJIVA APRIL 2024) 128
FIGURE 6.3: TOP COUNTRIES/REGIONS THAT SUPPLY AIR LIQUIDE AMERICA CORP.
(PANJEIVA APRIL 2024) 129
FIGURE 6.4: TOP COUNTRIES/REGIONS THAT SUPPLY H.C. STARCK INC. (USA) 130

TABLES

TABLE 1.1: DIELECTRIC PRECURSOR REVENUES AND GROWTH RATES 14
TABLE 1.2: ESTIMATED DIELECTRIC PRECURSOR MARKET SHARE BY SUPPLIER 2023 17
TABLE 3.1: GLOBAL GDP AND SEMICONDUCTOR REVENUES 24

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Press Release

August 1, 2024
Semiconductor ALD/CVD Precursors Driven by Advanced Applications

Mo, WF6, and Co precursors to see significant growth
San Diego, CA, August 1, 2024: 
TECHCET — the advisory firm providing materials market information for semiconductor supply chain resilience — is forecasting semiconductor metal and oxide precursors to reach US$1.7 B in revenues in 2024, rising 15% over 2023. This is the highest growth rate among all front process materials segments. Metal/Metal-oxide precursors occupy the majority of the market with expected revenues at $972 M, while Dielectric Precursors are expected to total US$742 M. The precursor market is forecasted to increase at a 9% CAGR from 2023-2028. More information on market forecasting and trends is included in TECHCET’s new Critical Materials Reports™ on ALD/CVD Precursors.


Metal and Dielectric Precursor Market Revenue Forecast

Significant investments are being made in advanced process technologies such as GAA FETs, EUV lithography, and high-k/metal gate transistors, all of which are crucial for next-generation Logic, DRAM, and 3D NAND devices. Recovery of precursor revenue growth is being driven by AI and advanced technology applications. Additionally, metallization for backside power delivery at 2nm logic nodes and beyond is also pushing up growth for metal precursors.

Molybdenum (Mo) precursors, specifically MoO2Cl2, are projected to experience high growth due to their favorable electrical properties and application in next-generation devices. Other precursors strongly tied to advanced device nodes include Cobalt precursors (CoCOCp and CCTBA) and Tungsten Hexafluoride (WF6).

The shift towards more sustainable and efficient production methods is influencing the development of new precursors, with a focus on reducing environmental impact and improving manufacturing efficiency.

Major industry players are expanding their production capacities in order to meet growing demand. Companies such as Air Liquide, Merck, and Gelest/Mitsubishi Chemical Group are making significant investments in production facilities in key regions like Taiwan, South Korea, and the US.

 

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