磁気抵抗効果メモリ（MRAM）市場。世界の産業動向、シェア、サイズ、成長、機会、2022-2027年の予測

Magneto Resistive RAM (MRAM) Market: Global Industry Trends, Share, Size, Growth, Opportunity and Forecast 2022-2027

2021年の磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場は2億7,540万米ドルの規模に達しました。今後、IMARCグループは、2027年には3,436.9百万米ドルの市場に達し、2022年から2027年の間に48.60%のCAGRを示すと予測しています。... もっと見る

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出版社	出版年月	電子版価格	ページ数	言語
IMARC Services Private Limited. アイマークサービス	2022年2月12日	US$2,499 シングルユーザライセンス（印刷不可）ライセンス・価格情報・注文方法はこちら	143	英語

サマリー

2021年の磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場は2億7,540万米ドルの規模に達しました。今後、IMARCグループは、2027年には3,436.9百万米ドルの市場に達し、2022年から2027年の間に48.60%のCAGRを示すと予測しています。COVID-19の不確実性を考慮し、当社はパンデミックの直接的および間接的な影響を継続的に追跡・評価しています。これらの洞察は、市場の主要な貢献者として本レポートに記載されています。

MRAM（Magneto Resistive Random Access Memory）または磁気RAMは、磁気の電荷を利用して情報を記憶する不揮発性メモリである。スピントランスファートルクMRAMやトグルMRAMは、一般的に利用されている変種の一部です。MTJは、誘電体層または絶縁体層を介して分離された2つの磁性層から構成されています。高密度RAMであり、キャパシタとトランジスタを含む。従来から使われているDRAM（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ）に比べ、MRAMは電源がなくても記憶した情報を保持でき、コストパフォーマンスが高く、大きなエネルギーを消費するパルスも必要ない。そのため、ロボットや自動車、家電、企業のストレージシステムなどに広く利用されている。

MRAM（Magneto Resistive RAM）の市場動向。
民生用電子機器産業の著しい成長は、市場に明るい見通しをもたらす重要な要因の一つです。MRAMは、ワークステーション、スマートウェアラブル、スマートフォン、デジタルカメラなど、さまざまな電子機器に広く使用されています。さらに、航空宇宙および防衛産業における高温データストレージの製品需要の増加が、市場の成長に好影響を与えています。さらに、耐放射線マイクロチップ用の低消費電力MRAMの開発など、さまざまな製品イノベーションが市場成長の推進力となっています。これらの製品は電力効率に優れ、放射線に耐性があり、温度変化のある環境でも動作します。これに伴い、IoT（Internet of Things）対応デバイスの需要増加や、高度なセンサーやスマートロボットの普及が、市場成長にプラスの影響を与えています。その他、小型化・カスタマイズされた集積回路（IC）の利用が増加していることや、医療上の様々な障害の非侵襲的診断検査にMRAM内蔵医療用センサーが広く採用されていることなどが、市場の成長に向けた推進力になると予想されます。

主な市場細分化。
IMARC Groupは、世界の磁気抵抗RAM（MRAM）市場の各サブセグメントにおける主要トレンドの分析、および2022年から2027年までの世界、地域、国レベルでの予測を提供します。当レポートでは、市場をタイプ、提供、アプリケーションに基づき分類しています。

タイプ別内訳。

トグルMRAM
スピントランスファートルクMRAM(STT-MRAM)

製品別構成比。

スタンドアロン
組込型

アプリケーション別の構成。

コンシューマーエレクトロニクス
ロボティクス
エンタープライズ・ストレージ
車載用
航空宇宙・防衛
その他

地域別構成比

北米
米国
カナダ
アジア太平洋
中国
日本
インド
韓国
オーストラリア
インドネシア
その他
欧州
ドイツ
フランス
イギリス
イタリア
スペイン
ロシア
その他
ラテンアメリカ
ブラジル
メキシコ
その他
中近東・アフリカ

競合の状況。
業界の競争環境についても、Avalanche Technology Inc.、Crocus Nano Electronics LLC、Everspin Technologies Inc.、Honeywell International Inc.、Infineon Technologies AG、Intel Corporation、NVE Corporation、Qualcomm Incorporated、Samsung Electronics Co.Ltd.、スピンメモリー株式会社、株式会社東芝、タワーセミコンダクター株式会社本レポートで回答した主な質問
磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場はこれまでどのように推移し、今後数年間はどのように推移するのか？
COVID-19が世界の磁気抵抗効果メモリ(MRAM)市場に与えた影響は？
主要な地域市場は？
タイプ別の市場構成は？
提供物に基づく市場の内訳は？
アプリケーション別の市場構成は？
業界のバリューチェーンにおける様々なステージとは？
業界における主要な推進要因と課題は何か？
世界の磁気抵抗RAM（MRAM）市場の構造および主要プレイヤーは？
業界内の競争はどの程度か？

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1 Preface
2 Scope and Methodology
2.1 Objectives of the Study
2.2 Stakeholders
2.3 Data Sources
2.3.1 Primary Sources
2.3.2 Secondary Sources
2.4 Market Estimation
2.4.1 Bottom-Up Approach
2.4.2 Top-Down Approach
2.5 Forecasting Methodology
3 Executive Summary
4 Introduction
4.1 Overview
4.2 Key Industry Trends
5 Global Magneto Resistive RAM (MRAM) Market
5.1 Market Overview
5.2 Market Performance
5.3 Impact of COVID-19
5.4 Market Forecast
6 Market Breakup by Type
6.1 Toggle MRAM
6.1.1 Market Trends
6.1.2 Market Forecast
6.2 Spin-Transfer Torque MRAM (STT-MRAM)
6.2.1 Market Trends
6.2.2 Market Forecast
7 Market Breakup by Offering
7.1 Stand-alone
7.1.1 Market Trends
7.1.2 Market Forecast
7.2 Embedded
7.2.1 Market Trends
7.2.2 Market Forecast
8 Market Breakup by Application
8.1 Consumer Electronics
8.1.1 Market Trends
8.1.2 Market Forecast
8.2 Robotics
8.2.1 Market Trends
8.2.2 Market Forecast
8.3 Enterprise Storage
8.3.1 Market Trends
8.3.2 Market Forecast
8.4 Automotive
8.4.1 Market Trends
8.4.2 Market Forecast
8.5 Aerospace and Defense
8.5.1 Market Trends
8.5.2 Market Forecast
8.6 Others
8.6.1 Market Trends
8.6.2 Market Forecast
9 Market Breakup by Region
9.1 North America
9.1.1 United States
9.1.1.1 Market Trends
9.1.1.2 Market Forecast
9.1.2 Canada
9.1.2.1 Market Trends
9.1.2.2 Market Forecast
9.2 Asia-Pacific
9.2.1 China
9.2.1.1 Market Trends
9.2.1.2 Market Forecast
9.2.2 Japan
9.2.2.1 Market Trends
9.2.2.2 Market Forecast
9.2.3 India
9.2.3.1 Market Trends
9.2.3.2 Market Forecast
9.2.4 South Korea
9.2.4.1 Market Trends
9.2.4.2 Market Forecast
9.2.5 Australia
9.2.5.1 Market Trends
9.2.5.2 Market Forecast
9.2.6 Indonesia
9.2.6.1 Market Trends
9.2.6.2 Market Forecast
9.2.7 Others
9.2.7.1 Market Trends
9.2.7.2 Market Forecast
9.3 Europe
9.3.1 Germany
9.3.1.1 Market Trends
9.3.1.2 Market Forecast
9.3.2 France
9.3.2.1 Market Trends
9.3.2.2 Market Forecast
9.3.3 United Kingdom
9.3.3.1 Market Trends
9.3.3.2 Market Forecast
9.3.4 Italy
9.3.4.1 Market Trends
9.3.4.2 Market Forecast
9.3.5 Spain
9.3.5.1 Market Trends
9.3.5.2 Market Forecast
9.3.6 Russia
9.3.6.1 Market Trends
9.3.6.2 Market Forecast
9.3.7 Others
9.3.7.1 Market Trends
9.3.7.2 Market Forecast
9.4 Latin America
9.4.1 Brazil
9.4.1.1 Market Trends
9.4.1.2 Market Forecast
9.4.2 Mexico
9.4.2.1 Market Trends
9.4.2.2 Market Forecast
9.4.3 Others
9.4.3.1 Market Trends
9.4.3.2 Market Forecast
9.5 Middle East and Africa
9.5.1 Market Trends
9.5.2 Market Breakup by Country
9.5.3 Market Forecast
10 SWOT Analysis
10.1 Overview
10.2 Strengths
10.3 Weaknesses
10.4 Opportunities
10.5 Threats
11 Value Chain Analysis
12 Porters Five Forces Analysis
12.1 Overview
12.2 Bargaining Power of Buyers
12.3 Bargaining Power of Suppliers
12.4 Degree of Competition
12.5 Threat of New Entrants
12.6 Threat of Substitutes
13 Price Analysis
14 Competitive Landscape
14.1 Market Structure
14.2 Key Players
14.3 Profiles of Key Players
14.3.1 Avalanche Technology Inc.
14.3.1.1 Company Overview
14.3.1.2 Product Portfolio
14.3.2 Crocus Nano Electronics LLC
14.3.2.1 Company Overview
14.3.2.2 Product Portfolio
14.3.3 Everspin Technologies Inc.
14.3.3.1 Company Overview
14.3.3.2 Product Portfolio
14.3.3.3 Financials
14.3.4 Honeywell International Inc.
14.3.4.1 Company Overview
14.3.4.2 Product Portfolio
14.3.4.3 Financials
14.3.4.4 SWOT Analysis
14.3.5 Infineon Technologies AG
14.3.5.1 Company Overview
14.3.5.2 Product Portfolio
14.3.5.3 Financials
14.3.5.4 SWOT Analysis
14.3.6 Intel Corporation
14.3.6.1 Company Overview
14.3.6.2 Product Portfolio
14.3.6.3 Financials
14.3.6.4 SWOT Analysis
14.3.7 NVE Corporation
14.3.7.1 Company Overview
14.3.7.2 Product Portfolio
14.3.7.3 Financials
14.3.8 Qualcomm Incorporated
14.3.8.1 Company Overview
14.3.8.2 Product Portfolio
14.3.8.3 Financials
14.3.8.4 SWOT Analysis
14.3.9 Samsung Electronics Co. Ltd.
14.3.9.1 Company Overview
14.3.9.2 Product Portfolio
14.3.9.3 Financials
14.3.9.4 SWOT Analysis
14.3.10 Spin Memory Inc.
14.3.10.1 Company Overview
14.3.10.2 Product Portfolio
14.3.11 Toshiba Corporation
14.3.11.1 Company Overview
14.3.11.2 Product Portfolio
14.3.11.3 Financials
14.3.11.4 SWOT Analysis
14.3.12 Tower Semiconductor Ltd.
14.3.12.1 Company Overview
14.3.12.2 Product Portfolio
14.3.12.3 Financials

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Table of Contents

Summary

The global magneto resistive RAM (MRAM) market reached a value of US$ 275.4 Million in 2021. Looking forward, IMARC Group expects the market to reach a value of US$ 3,436.9 Million by 2027 exhibiting a CAGR of 48.60% during 2022-2027. Keeping in mind the uncertainties of COVID-19, we are continuously tracking and evaluating the direct as well as the indirect influence of the pandemic. These insights are included in the report as a major market contributor.

Magneto resistive random access memory (MRAM), or magnetic RAM, is a non-volatile memory that uses magnetic charges to store information. Spin-transfer torque and toggle MRAM are some of the commonly available variants. They utilize magnetic tunnel junction (MTJ) that comprises two magnetic layers separated through a dielectric or insulation layer. It is a high-density RAM and it includes a capacitor and a transistor. In comparison to the traditionally used dynamic random-access memory (DRAM), MRAM can retain the information stored in the memory without a power source, is more cost-effective and does not require a large energy-consuming pulse. As a result, it is widely used in robotics, automobiles, consumer electronics and enterprise storage systems.

Magneto Resistive RAM (MRAM) Market Trends:
Significant growth in the consumer electronics industry is one of the key factors creating a positive outlook for the market. MRAM is widely used in various electronic gadgets, such as workstations, smart wearables, smartphones and digital cameras. Additionally, the increasing product demand in the aerospace and defense industries for high-temperature data storage is favoring the market growth. Moreover, various product innovations, such as the development of low-power MRAM variants for radiation-hardened microchips, are providing thrust to the market growth. They are power-efficient, resistant to radiations and can operate under temperature fluctuations. In line with this, the increasing demand for Internet of Things (IoT)-enabled devices and the widespread utilization of advanced sensors and smart robots are positively impacting the market growth. Other factors, including the increasing product utilization in miniaturized and customized integrated circuits (ICs), along with the widespread adoption of MRAM-embedded medical sensors for non-invasive diagnostic testing of medical various disorder, are anticipated to drive the market toward growth.

Key Market Segmentation:
IMARC Group provides an analysis of the key trends in each sub-segment of the global magneto resistive RAM (MRAM) market, along with forecasts at the global, regional and country level from 2022-2027. Our report has categorized the market based on type, offering and application.

Breakup by Type:

Toggle MRAM
Spin-Transfer Torque MRAM (STT-MRAM)

Breakup by Offering:

Stand-alone
Embedded

Breakup by Application:

Consumer Electronics
Robotics
Enterprise Storage
Automotive
Aerospace and Defense
Others

Breakup by Region:

North America
United States
Canada
Asia-Pacific
China
Japan
India
South Korea
Australia
Indonesia
Others
Europe
Germany
France
United Kingdom
Italy
Spain
Russia
Others
Latin America
Brazil
Mexico
Others
Middle East and Africa

Competitive Landscape:
The competitive landscape of the industry has also been examined along with the profiles of the key players being Avalanche Technology Inc., Crocus Nano Electronics LLC, Everspin Technologies Inc., Honeywell International Inc., Infineon Technologies AG, Intel Corporation, NVE Corporation, Qualcomm Incorporated, Samsung Electronics Co. Ltd., Spin Memory Inc., Toshiba Corporation and Tower Semiconductor Ltd. Key Questions Answered in This Report:
How has the global magneto resistive RAM (MRAM) market performed so far and how will it perform in the coming years?
What has been the impact of COVID-19 on the global magneto resistive RAM (MRAM) market?
What are the key regional markets?
What is the breakup of the market based on the type?
What is the breakup of the market based on the offering?
What is the breakup of the market based on the application?
What are the various stages in the value chain of the industry?
What are the key driving factors and challenges in the industry?
What is the structure of the global magneto resistive RAM (MRAM) market and who are the key players?
What is the degree of competition in the industry?

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