サマリー

パワーGaNデバイスの世界市場は、2021年に約1億1030万米ドルと評価され、予測期間2022-2028年には20.00％以上の健全な成長率で成長すると予測されています。パワーGaNデバイスまたは窒化ガリウム（GaN）トランジスタは、シリコンデバイスと比較して、所定の抵抗値および耐圧でよりコンパクトなデバイスを製造できることから、シリコンベースのトランジスタの性能向上代替品として発展してきました。このパワーデバイスは、極めて低い抵抗値で高周波のスイッチングを実現することができます。これらの特性は、高効率電源、電気自動車（EV）、ハイブリッド車（HEV）、太陽光発電インバーター、RFスイッチングなどに活かされています。高速スイッチングデバイスへの需要の高まりと、EVやモビリティ分野での需要の増加が、予測期間を通じてパワーGaNデバイスの採用につながっています。例：IBEFによると、インドのEVは2025年までに5000億ルピー（70億9000万米ドル）のビジネスチャンスをもたらす可能性があります。中期的には、二輪車と三輪車がインドにおける電動化の動きをリードすると思われます。また、HVDCやスマートグリッドに関する政府の取り組みや、商用RFアプリケーションにおけるGaNデバイスの要件の増加により、パワーGaNデバイスの採用や需要が予測期間中に市場成長を拡大させる可能性があります。しかし、GaN材料の入手不足と高コストが、2022-2028年の予測期間における市場の成長を阻害しています。

パワーデバイスの世界市場の調査対象地域は、アジア太平洋地域、北米、欧州、中南米、その他の地域です。北米は、電力網を改善するためにスマートグリッド技術に多額の投資を行っているため、市場シェアにおいて世界の主要地域となっています。一方、アジア太平洋地域は、2022-2028年の予測期間中に最も高い成長率を示すと予測されています。可処分所得の増加や環境への配慮などの要因が、アジア太平洋地域のパワーGaNデバイス市場に有利な成長見通しをもたらすと考えられます。

本レポートに含まれる主な市場プレイヤーは以下の通りです：
VisIC Technologies
テキサス・インスツルメンツ
株式会社エフィシェント・パワー・コンバージョン・コーポレーション
富士通株式会社
株式会社ガーンパワー
GaNシステム
インフィニオン・テクノロジーズ
ナビタスセミコンダクター
半導体をめぐって
パナソニック株式会社

本調査の目的は、近年における様々なセグメント＆国の市場規模を定義し、今後8年間の値を予測することです。本レポートは、本調査の対象である各地域・国において、産業の質的・量的な側面を取り込むよう設計されています。さらに、市場の将来的な成長を規定する推進要因や課題など、重要な側面に関する詳細な情報も提供しています。さらに、本レポートでは、主要企業の競争環境と製品提供の詳細な分析とともに、関係者が投資するためのミクロ市場での利用可能な機会も組み込んでいます。市場の詳細なセグメントとサブセグメントを以下に説明する：
タイプ別
統合パワーデバイス
ディスクリートパワーデバイス
電圧別：
200V以下
200V〜600V
600V以上
地域別
北アメリカ
U.S.
カナダ
ヨーロッパ
連邦王国
ドイツ
フランス
スペイン
イタリア
ROE

アジア太平洋
中国
インド
日本
オーストラリア
南朝鮮
ロアパック
ラテンアメリカ
ブラジル
メキシコ
その他の地域

さらに、本調査で考慮した年は以下の通りです：

歴史的年号-2018年、2019年、2020年
基準年 - 2021年
予測期間 - 2022年～2028年

市場調査におけるパワーGaNデバイスの世界市場のターゲットオーディエンス：

主なコンサルティング会社・アドバイザーのご紹介
大企業・中堅企業・中小企業
ベンチャーキャピタル
付加価値再販業者(VAR)
サードパーティナレッジプロバイダー
投資銀行家
投資家の皆様へ

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目次

Chapter 1. Executive Summary
1.1. Market Snapshot
1.2. Global & Segmental Market Estimates & Forecasts, 2020-2028 (USD Billion)
1.2.1. Power GaN Devices Market, by Region, 2020-2028 (USD Billion)
1.2.2. Power GaN Devices Market, by Type, 2020-2028 (USD Billion)
1.2.3. Power GaN Devices Market, by Voltage, 2020-2028 (USD Billion)
1.3. Key Trends
1.4. Estimation Methodology
1.5. Research Assumption
Chapter 2. Global Power GaN Devices Market Definition and Scope
2.1. Objective of the Study
2.2. Market Definition & Scope
2.2.1. Scope of the Study
2.2.2. Industry Evolution
2.3. Years Considered for the Study
2.4. Currency Conversion Rates
Chapter 3. Global Power GaN Devices Market Dynamics
3.1. Power GaN Devices Market Impact Analysis (2020-2028)
3.1.1. Market Drivers
3.1.1.1. Increasing Demand for Fast Switching Devices
3.1.1.2. Growing Demand from EVs and Mobility Sector
3.1.2. Market Challenges
3.1.2.1. Lack of availability of GaN material
3.1.2.2. High Costs
3.1.3. Market Opportunities
3.1.3.1. Government initiatives in HVDC and smart grid
3.1.3.2. Increase in requirement of GaN devices for commercial RF applications
Chapter 4. Global Power GaN Devices Market Industry Analysis
4.1. Porter’s 5 Force Model
4.1.1. Bargaining Power of Suppliers
4.1.2. Bargaining Power of Buyers
4.1.3. Threat of New Entrants
4.1.4. Threat of Substitutes
4.1.5. Competitive Rivalry
4.1.6. Futuristic Approach to Porter’s 5 Force Model (2019-2028)
4.2. PEST Analysis
4.2.1. Political
4.2.2. Economical
4.2.3. Social
4.2.4. Technological
4.3. Investment Adoption Model
4.4. Analyst Recommendation & Conclusion
4.5. Top investment opportunity
4.6. Top winning strategies
Chapter 5. Risk Assessment: COVID-19 Impact
5.1.1. Assessment of the overall impact of COVID-19 on the industry
5.1.2. Pre COVID-19 and post COVID-19 market scenario
Chapter 6. Global Power GaN Devices Market, by Type
6.1. Market Snapshot
6.2. Global Power GaN Devices Market by Type, Performance - Potential Analysis
6.3. Global Power GaN Devices Market Estimates & Forecasts by Type, 2019-2028 (USD Billion)
6.4. Power GaN Devices Market, Sub Segment Analysis
6.4.1. Integrated Power Device
6.4.2. Discrete Power Device
Chapter 7. Global Power GaN Devices Market, by Voltage
7.1. Market Snapshot
7.2. Global Power GaN Devices Market by Voltage, Performance - Potential Analysis
7.3. Global Power GaN Devices Market Estimates & Forecasts by Voltage, 2019-2028 (USD Billion)
7.4. Power GaN Devices Market, Sub Segment Analysis
7.4.1. Below 200V
7.4.2. 200V to 600V
7.4.3. Above 600V
Chapter 8. Global Power GaN Devices Market, Regional Analysis
8.1. Power GaN Devices Market, Regional Market Snapshot
8.2. North America Power GaN Devices Market
8.2.1. U.S. Power GaN Devices Market
8.2.1.1. Type breakdown estimates & forecasts, 2019-2028
8.2.1.2. Voltage breakdown estimates & forecasts, 2019-2028
8.2.2. Canada Power GaN Devices Market
8.3. Europe Power GaN Devices Market Snapshot
8.3.1. U.K. Power GaN Devices Market
8.3.2. Germany Power GaN Devices Market
8.3.3. France Power GaN Devices Market
8.3.4. Spain Power GaN Devices Market
8.3.5. Italy Power GaN Devices Market
8.3.6. Rest of Europe Power GaN Devices Market
8.4. Asia-Pacific Power GaN Devices Market Snapshot
8.4.1. China Power GaN Devices Market
8.4.2. India Power GaN Devices Market
8.4.3. Japan Power GaN Devices Market
8.4.4. Australia Power GaN Devices Market
8.4.5. South Korea Power GaN Devices Market
8.4.6. Rest of Asia Pacific Power GaN Devices Market
8.5. Latin America Power GaN Devices Market Snapshot
8.5.1. Brazil Power GaN Devices Market
8.5.2. Mexico Power GaN Devices Market
8.6. Rest of The World Power GaN Devices Market

Chapter 9. Competitive Intelligence
9.1. Top Market Strategies
9.2. Company Profiles
9.2.1. VisIC Technologies
9.2.1.1. Key Information
9.2.1.2. Overview
9.2.1.3. Financial (Subject to Data Availability)
9.2.1.4. Product Summary
9.2.1.5. Recent Developments
9.2.2. Texas Instruments
9.2.3. Efficient Power Conversion Corporation, Inc.
9.2.4. Fujitsu limited
9.2.5. GaN Power Inc.
9.2.6. GaN systems
9.2.7. Infineon Technologies
9.2.8. Navitas Semiconductor
9.2.9. On Semiconductors
9.2.10. Panasonic Corporation
Chapter 10. Research Process
10.1. Research Process
10.1.1. Data Mining
10.1.2. Analysis
10.1.3. Market Estimation
10.1.4. Validation
10.1.5. Publishing
10.2. Research Attributes
10.3. Research Assumption