絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)の世界市場規模調査、用途別(エネルギー・電力、家電、インバータ・UPS、電気自動車、産業システム、その他)、タイプ別(ディスクリートIGBT、IGBTモジュール)、地域別予測 2022-2028Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market Size study, by Application (Energy & Power, Consumer Electronics, Inverter & UPS, Electric Vehicle, Industrial System, Others), by Type (Discrete IGBT, IGBT Module) and Regional Forecasts 2022-2028 世界の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)市場は、2021年に約XX億米ドルと評価され、予測期間2022-2028年にはXX %以上の健全な成長率で成長すると予測されています。絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ... もっと見る
サマリー世界の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)市場は、2021年に約XX億米ドルと評価され、予測期間2022-2028年にはXX %以上の健全な成長率で成長すると予測されています。絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)は、電子スイッチデバイスとして使用されるパワー半導体の一種です。少数キャリアデバイスとしても知られ、より高速なスイッチング速度を可能にし、より高い効率を提供します。電気自動車の需要が増加し、自動車の排気ガスや再生不可能なエネルギーの枯渇に対する懸念が高まっていることから、予測期間中、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)の採用が進んでいます。例として:IBEFによると、現在および将来のインドにおけるEV普及率を考慮すると、インドのEVは2025年までに5000億ルピー(70億9000万米ドル)のビジネスチャンスとなる可能性があります。中期的には、二輪車と三輪車がインドにおける電動化の動きをリードしていくでしょう。また、HVDCやスマートグリッドの確立に向けた政府の取り組みにより、IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)の採用や需要が予測期間中に市場成長を拡大させると考えられます。しかし、高温時の電流リークが、2022-2028年の予測期間における市場の成長を阻害しています。絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)の世界市場調査において考慮した主要地域は、アジア太平洋、北米、欧州、中南米、その他の地域です。欧州は、バッテリー電気自動車(BEV)、ハイブリッド電気自動車(HEV)、プラグインハイブリッド電気自動車(PHEV)などの電気自動車のインフラ整備への投資により、市場シェアにおいて世界の主要地域となっています。一方、アジア太平洋地域は、予測期間2022年から2028年にかけて最も高い成長率を示すと予測されています。人口の増加、発電所などの電気自動車インフラへの投資の増加などの要因が、アジア太平洋地域の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)市場に有利な成長見通しをもたらすと考えられます。 本レポートに含まれる主な市場プレイヤーは以下の通りです: NXPセミコンダクターズN.V. ABBグループ STMicroelectronics N.V. 株式会社東芝 株式会社IXYS ルネサスエレクトロニクス株式会社 セミクロン・インターナショナルGmbH 三菱電機株式会社 インフィニオン・テクノロジーズAG 富士電機株式会社富士電機株式会社 本調査の目的は、近年における様々なセグメント&国の市場規模を定義し、今後8年間の値を予測することです。本レポートは、本調査の対象である各地域・国において、産業の質的・量的な側面を取り込むよう設計されています。さらに、市場の将来的な成長を規定する推進要因や課題など、重要な側面に関する詳細な情報も提供しています。さらに、本レポートでは、主要企業の競争環境と製品提供の詳細な分析とともに、関係者が投資するためのミクロ市場での利用可能な機会も組み込んでいます。市場の詳細なセグメントとサブセグメントを以下に説明する: アプリケーション別 エネルギー・電力 コンシューマーエレクトロニクス インバーター&UPS 電気自動車 産業用システム その他 タイプ別 ディスクリートIGBT IGBTモジュール 地域別 北アメリカ U.S. カナダ ヨーロッパ 連邦王国 ドイツ フランス スペイン イタリア ROE アジア太平洋 中国 インド 日本 オーストラリア 南朝鮮 ロアパック ラテンアメリカ ブラジル メキシコ その他の地域 さらに、本調査で考慮した年は以下の通りです: 歴史的年号-2018年、2019年、2020年 基準年 - 2021年 予測期間 - 2022年~2028年 市場調査における絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)の世界市場のターゲットオーディエンス: 主なコンサルティング会社・アドバイザーのご紹介 大企業・中堅企業・中小企業 ベンチャーキャピタル 付加価値再販業者(VAR) サードパーティナレッジプロバイダー 投資銀行家 投資家の皆様へ 目次Chapter 1. Executive Summary1.1. Market Snapshot 1.2. Global & Segmental Market Estimates & Forecasts, 2020-2028 (USD Billion) 1.2.1. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market, by Region, 2020-2028 (USD Billion) 1.2.2. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market, by Application, 2020-2028 (USD Billion) 1.2.3. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market, by Type, 2020-2028 (USD Billion) 1.3. Key Trends 1.4. Estimation Methodology 1.5. Research Assumption Chapter 2. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market Definition and Scope 2.1. Objective of the Study 2.2. Market Definition & Scope 2.2.1. Scope of the Study 2.2.2. Industry Evolution 2.3. Years Considered for the Study 2.4. Currency Conversion Rates Chapter 3. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market Dynamics 3.1. Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market Impact Analysis (2020-2028) 3.1.1. Market Drivers 3.1.1.1. Increasing demand for electric vehicle 3.1.1.2. Increasing concerns regarding vehicular emissions and depletion of non-renewable energy 3.1.2. Market Challenges 3.1.2.1. Current leakage at high temperature 3.1.3. Market Opportunities 3.1.3.1. Government initiatives to establish HVDC and smart grid Chapter 4. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market Industry Analysis 4.1. Porter’s 5 Force Model 4.1.1. Bargaining Power of Suppliers 4.1.2. Bargaining Power of Buyers 4.1.3. Threat of New Entrants 4.1.4. Threat of Substitutes 4.1.5. Competitive Rivalry 4.1.6. Futuristic Approach to Porter’s 5 Force Model (2019-2028) 4.2. PEST Analysis 4.2.1. Political 4.2.2. Economical 4.2.3. Social 4.2.4. Technological 4.3. Investment Adoption Model 4.4. Analyst Recommendation & Conclusion 4.5. Top investment opportunity 4.6. Top winning strategies Chapter 5. Risk Assessment: COVID-19 Impact 5.1.1. Assessment of the overall impact of COVID-19 on the industry 5.1.2. Pre COVID-19 and post COVID-19 market scenario Chapter 6. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market, by Application 6.1. Market Snapshot 6.2. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market by Application, Performance - Potential Analysis 6.3. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market Estimates & Forecasts by Application, 2019-2028 (USD Billion) 6.4. Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market, Sub Segment Analysis 6.4.1. Energy & Power 6.4.2. Consumer Electronics 6.4.3. Inverter & UPS 6.4.4. Electric Vehicle 6.4.5. Industrial System 6.4.6. Others Chapter 7. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market, by Type 7.1. Market Snapshot 7.2. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market by Type, Performance - Potential Analysis 7.3. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market Estimates & Forecasts by Type, 2019-2028 (USD Billion) 7.4. Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market, Sub Segment Analysis 7.4.1. Discrete IGBT 7.4.2. IGBT Module Chapter 8. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market, Regional Analysis 8.1. Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market, Regional Market Snapshot 8.2. North America Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.2.1. U.S. Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.2.1.1. Application breakdown estimates & forecasts, 2019-2028 8.2.1.2. Type breakdown estimates & forecasts, 2019-2028 8.2.2. Canada Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.3. Europe Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market Snapshot 8.3.1. U.K. Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.3.2. Germany Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.3.3. France Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.3.4. Spain Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.3.5. Italy Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.3.6. Rest of Europe Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.4. Asia-Pacific Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market Snapshot 8.4.1. China Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.4.2. India Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.4.3. Japan Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.4.4. Australia Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.4.5. South Korea Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.4.6. Rest of Asia Pacific Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.5. Latin America Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market Snapshot 8.5.1. Brazil Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.5.2. Mexico Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.6. Rest of The World Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market Chapter 9. Competitive Intelligence 9.1. Top Market Strategies 9.2. Company Profiles 9.2.1. NXP Semiconductors N.V. 9.2.1.1. Key Information 9.2.1.2. Overview 9.2.1.3. Financial (Subject to Data Availability) 9.2.1.4. Product Summary 9.2.1.5. Recent Developments 9.2.2. ABB Group 9.2.3. STMicroelectronics N.V. 9.2.4. Toshiba Corporation 9.2.5. IXYS Corporation 9.2.6. Renesas Electronics Corp. 9.2.7. Semikron International GmbH 9.2.8. Mitsubishi Electric Corp. 9.2.9. Infineon Technologies AG 9.2.10. Fuji Electric Co. Ltd. Chapter 10. Research Process 10.1. Research Process 10.1.1. Data Mining 10.1.2. Analysis 10.1.3. Market Estimation 10.1.4. Validation 10.1.5. Publishing 10.2. Research Attributes 10.3. Research Assumption
SummaryGlobal Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market is valued at approximately USD XX billion in 2021 and is anticipated to grow with a healthy growth rate of more than XX % over the forecast period 2022-2028. Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) is a type of power semiconductor that is used as an electronic switch device. It is also known as minority carrier device that enables faster switching rate and offers greater efficiency. The increasing demand for electric vehicles and increasing concerns regarding vehicular emissions and depletion of non-renewable energy has led to the adoption of Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) across the forecast period. For Instance: As per the IBEF, With the present and projected level of EV penetration in the country, EVs in India could represent a Rs 500 billion (US$ 7.09 billion) opportunity by 2025. Two- and three-wheelers will lead the electrification movement in India in the medium term. Also, with the Government initiatives to establish HVDC and smart grid, the adoption & demand for Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) is likely to increase the market growth during the forecast period. However, current leakage at high temperature impedes the growth of the market over the forecast period of 2022-2028. Table of ContentsChapter 1. Executive Summary1.1. Market Snapshot 1.2. Global & Segmental Market Estimates & Forecasts, 2020-2028 (USD Billion) 1.2.1. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market, by Region, 2020-2028 (USD Billion) 1.2.2. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market, by Application, 2020-2028 (USD Billion) 1.2.3. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market, by Type, 2020-2028 (USD Billion) 1.3. Key Trends 1.4. Estimation Methodology 1.5. Research Assumption Chapter 2. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market Definition and Scope 2.1. Objective of the Study 2.2. Market Definition & Scope 2.2.1. Scope of the Study 2.2.2. Industry Evolution 2.3. Years Considered for the Study 2.4. Currency Conversion Rates Chapter 3. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market Dynamics 3.1. Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market Impact Analysis (2020-2028) 3.1.1. Market Drivers 3.1.1.1. Increasing demand for electric vehicle 3.1.1.2. Increasing concerns regarding vehicular emissions and depletion of non-renewable energy 3.1.2. Market Challenges 3.1.2.1. Current leakage at high temperature 3.1.3. Market Opportunities 3.1.3.1. Government initiatives to establish HVDC and smart grid Chapter 4. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market Industry Analysis 4.1. Porter’s 5 Force Model 4.1.1. Bargaining Power of Suppliers 4.1.2. Bargaining Power of Buyers 4.1.3. Threat of New Entrants 4.1.4. Threat of Substitutes 4.1.5. Competitive Rivalry 4.1.6. Futuristic Approach to Porter’s 5 Force Model (2019-2028) 4.2. PEST Analysis 4.2.1. Political 4.2.2. Economical 4.2.3. Social 4.2.4. Technological 4.3. Investment Adoption Model 4.4. Analyst Recommendation & Conclusion 4.5. Top investment opportunity 4.6. Top winning strategies Chapter 5. Risk Assessment: COVID-19 Impact 5.1.1. Assessment of the overall impact of COVID-19 on the industry 5.1.2. Pre COVID-19 and post COVID-19 market scenario Chapter 6. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market, by Application 6.1. Market Snapshot 6.2. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market by Application, Performance - Potential Analysis 6.3. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market Estimates & Forecasts by Application, 2019-2028 (USD Billion) 6.4. Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market, Sub Segment Analysis 6.4.1. Energy & Power 6.4.2. Consumer Electronics 6.4.3. Inverter & UPS 6.4.4. Electric Vehicle 6.4.5. Industrial System 6.4.6. Others Chapter 7. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market, by Type 7.1. Market Snapshot 7.2. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market by Type, Performance - Potential Analysis 7.3. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market Estimates & Forecasts by Type, 2019-2028 (USD Billion) 7.4. Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market, Sub Segment Analysis 7.4.1. Discrete IGBT 7.4.2. IGBT Module Chapter 8. Global Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market, Regional Analysis 8.1. Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market, Regional Market Snapshot 8.2. North America Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.2.1. U.S. Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.2.1.1. Application breakdown estimates & forecasts, 2019-2028 8.2.1.2. Type breakdown estimates & forecasts, 2019-2028 8.2.2. Canada Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.3. Europe Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market Snapshot 8.3.1. U.K. Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.3.2. Germany Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.3.3. France Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.3.4. Spain Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.3.5. Italy Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.3.6. Rest of Europe Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.4. Asia-Pacific Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market Snapshot 8.4.1. China Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.4.2. India Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.4.3. Japan Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.4.4. Australia Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.4.5. South Korea Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.4.6. Rest of Asia Pacific Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.5. Latin America Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market Snapshot 8.5.1. Brazil Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.5.2. Mexico Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market 8.6. Rest of The World Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) Market Chapter 9. Competitive Intelligence 9.1. Top Market Strategies 9.2. Company Profiles 9.2.1. NXP Semiconductors N.V. 9.2.1.1. Key Information 9.2.1.2. Overview 9.2.1.3. Financial (Subject to Data Availability) 9.2.1.4. Product Summary 9.2.1.5. Recent Developments 9.2.2. ABB Group 9.2.3. STMicroelectronics N.V. 9.2.4. Toshiba Corporation 9.2.5. IXYS Corporation 9.2.6. Renesas Electronics Corp. 9.2.7. Semikron International GmbH 9.2.8. Mitsubishi Electric Corp. 9.2.9. Infineon Technologies AG 9.2.10. Fuji Electric Co. Ltd. Chapter 10. Research Process 10.1. Research Process 10.1.1. Data Mining 10.1.2. Analysis 10.1.3. Market Estimation 10.1.4. Validation 10.1.5. Publishing 10.2. Research Attributes 10.3. Research Assumption
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