次世代メモリ市場。世界の産業動向、シェア、規模、成長、機会、2022-2027年の予測

Next Generation Memory Market: Global Industry Trends, Share, Size, Growth, Opportunity and Forecast 2022-2027

世界の次世代メモリ市場は、2021年に36億8000万米ドルの規模に達しました。今後、IMARCグループは、2022年から2027年の間にCAGR27.60％を示し、2027年までに169億8000万米ドルの市場に達すると予想しています。CO... もっと見る

出版社	出版年月	電子版価格	ページ数	言語
IMARC Services Private Limited. アイマークサービス	2022年6月13日	US$2,499 シングルユーザライセンス（印刷不可）ライセンス・価格情報・注文方法はこちら	145	英語

サマリー

世界の次世代メモリ市場は、2021年に36億8000万米ドルの規模に達しました。今後、IMARCグループは、2022年から2027年の間にCAGR27.60％を示し、2027年までに169億8000万米ドルの市場に達すると予想しています。COVID-19の不確実性を念頭に置き、我々は様々な最終使用産業に対するパンデミックの直接的および間接的な影響を継続的に追跡・評価しています。これらの洞察は、市場の主要な貢献者として本レポートに含まれています。

次世代メモリとは、シリコンチップよりも多くのデータを保存できる、高速で効率的かつ費用対効果の高いストレージソリューションのことである。そのため、世界中の通信、情報技術（IT）、銀行、金融サービス、保険（BFSI）の各業界で幅広い用途が見出されています。現在、人工知能（AI）、モノのインターネット（IoT）、ビッグデータなどの技術を活用し、高帯域幅、低消費電力、拡張性の高いメモリーデバイスへの要求が急速に高まっています。このことが、次世代メモリの需要を喚起しています。

次世代メモリの市場動向。
現在、世界的にユニバーサルメモリの牽引力が大幅に上昇しています。このことは、エレクトロニクス産業の急成長と相まって、市場の成長を後押しする重要な要因の1つとなっています。また、スマートフォンやタブレット端末、USBドライブ、SSD（ソリッドステートドライブ）などの販売拡大に伴い、データを保持するためにエネルギーを必要としない不揮発性ストレージ技術の一種であるNAND型フラッシュメモリへの需要も高まってきています。このほか、グラフィックス用の次世代メモリ技術であるHBM（High Bandwidth Memory）は、最先端のグラフィックス、ネットワーキング、HPC（High Performance Computing）、AI（Artificial Intelligence）システムで急速に利用が進んでいる。例えば、デコーダー、完全自律走行車、ニューラルネットワーク設計など、低消費電力と膨大な帯域幅を必要とする高度なアプリケーションに利用されています。このことは、ウェアラブルデバイスの使用率の上昇と相まって、市場の成長を促進しています。その他にも、コネクテッドカーの利用拡大やIT産業の大幅な成長など、今後数年間は市場に明るい見通しが生まれると予測されます。

主な市場細分化
IMARC Groupは、世界の次世代メモリ市場の各サブセグメントにおける主要トレンドの分析と、2022年から2027年までの世界、地域、国レベルでの予測を行っています。当レポートでは、技術、ウェハサイズ、ストレージタイプ、アプリケーションに基づいて市場を分類しています。

技術別の内訳

不揮発性
磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)
強誘電体メモリ(FRAM)
抵抗変化型メモリ(ReRAM)
3次元Xpoint
ナノRAM
その他不揮発性技術（相変化型RAM、STT-RAM、SRAM)
揮発性
ハイブリッド・メモリー・キューブ（HMC）
高バンド幅メモリ(HBM)

ウェーハサイズ別構成比:

200mm
300mm
450mm

収納タイプ別構成比。

大容量記憶装置
組込型ストレージ
その他

アプリケーション別構成比

BFSI
コンシューマーエレクトロニクス
政府機関
電気通信
情報技術
その他

地域別構成比

北米
米国
カナダ
アジア・パシフィック
中国
日本
インド
韓国
オーストラリア
インドネシア
その他
欧州
ドイツ
フランス
イギリス
イタリア
スペイン
ロシア
その他
中南米
ブラジル
メキシコ
その他
中近東・アフリカ

競合状況。
Avalanche Technology、Crossbar Inc.、富士通株式会社、Honeywell International Inc.、Infineon Technologies AG、Intel Corporation、Micron Technology Inc.、Nantero Inc.、Samsung Electronics Co.Ltd.、SK hynix Inc.、Spin Memory Inc.、Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.Ltd.

本レポートで回答した主な質問
次世代メモリの世界市場はこれまでどのように推移し、今後数年間はどのように推移するのか？
COVID-19は世界の次世代メモリ市場にどのような影響を与えたか？
主要な地域別市場とは？
技術に基づく市場のブレークアップは？
ウェーハサイズに基づく市場のブレークアップは？
ストレージタイプ別の市場ブレークアップは？
アプリケーション別の市場構成は？
業界のバリューチェーンにおける様々なステージとは？
業界における主要な推進要因と課題は何か？
次世代メモリの世界市場の構造と主要プレイヤーは？
業界内の競争はどの程度か？

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1 Preface
2 Scope and Methodology
2.1 Objectives of the Study
2.2 Stakeholders
2.3 Data Sources
2.3.1 Primary Sources
2.3.2 Secondary Sources
2.4 Market Estimation
2.4.1 Bottom-Up Approach
2.4.2 Top-Down Approach
2.5 Forecasting Methodology
3 Executive Summary
4 Introduction
4.1 Overview
4.2 Key Industry Trends
5 Global Next Generation Memory Market
5.1 Market Overview
5.2 Market Performance
5.3 Impact of COVID-19
5.4 Market Forecast
6 Market Breakup by Technology
6.1 Non-Volatile
6.1.1 Market Trends
6.1.2 Key Segments
6.1.2.1 Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM)
6.1.2.2 Ferroelectric RAM (FRAM)
6.1.2.3 Resistive Random-Access Memory (ReRAM)
6.1.2.4 3D Xpoint
6.1.2.5 Nano RAM
6.1.2.6 Other Non-Volatile Technologies (Phase change RAM, STT-RAM, and SRAM)
6.1.3 Market Forecast
6.2 Volatile
6.2.1 Market Trends
6.2.2 Key Segments
6.2.2.1 Hybrid Memory Cube (HMC)
6.2.2.2 High-Bandwidth Memory (HBM)
6.2.3 Market Forecast
7 Market Breakup by Wafer Size
7.1 200 mm
7.1.1 Market Trends
7.1.2 Market Forecast
7.2 300 mm
7.2.1 Market Trends
7.2.2 Market Forecast
7.3 450 mm
7.3.1 Market Trends
7.3.2 Market Forecast
8 Market Breakup by Storage Type
8.1 Mass Storage
8.1.1 Market Trends
8.1.2 Market Forecast
8.2 Embedded Storage
8.2.1 Market Trends
8.2.2 Market Forecast
8.3 Others
8.3.1 Market Trends
8.3.2 Market Forecast
9 Market Breakup by Application
9.1 BFSI
9.1.1 Market Trends
9.1.2 Market Forecast
9.2 Consumer Electronics
9.2.1 Market Trends
9.2.2 Market Forecast
9.3 Government
9.3.1 Market Trends
9.3.2 Market Forecast
9.4 Telecommunications
9.4.1 Market Trends
9.4.2 Market Forecast
9.5 Information Technology
9.5.1 Market Trends
9.5.2 Market Forecast
9.6 Others
9.6.1 Market Trends
9.6.2 Market Forecast
10 Market Breakup by Region
10.1 North America
10.1.1 United States
10.1.1.1 Market Trends
10.1.1.2 Market Forecast
10.1.2 Canada
10.1.2.1 Market Trends
10.1.2.2 Market Forecast
10.2 Asia-Pacific
10.2.1 China
10.2.1.1 Market Trends
10.2.1.2 Market Forecast
10.2.2 Japan
10.2.2.1 Market Trends
10.2.2.2 Market Forecast
10.2.3 India
10.2.3.1 Market Trends
10.2.3.2 Market Forecast
10.2.4 South Korea
10.2.4.1 Market Trends
10.2.4.2 Market Forecast
10.2.5 Australia
10.2.5.1 Market Trends
10.2.5.2 Market Forecast
10.2.6 Indonesia
10.2.6.1 Market Trends
10.2.6.2 Market Forecast
10.2.7 Others
10.2.7.1 Market Trends
10.2.7.2 Market Forecast
10.3 Europe
10.3.1 Germany
10.3.1.1 Market Trends
10.3.1.2 Market Forecast
10.3.2 France
10.3.2.1 Market Trends
10.3.2.2 Market Forecast
10.3.3 United Kingdom
10.3.3.1 Market Trends
10.3.3.2 Market Forecast
10.3.4 Italy
10.3.4.1 Market Trends
10.3.4.2 Market Forecast
10.3.5 Spain
10.3.5.1 Market Trends
10.3.5.2 Market Forecast
10.3.6 Russia
10.3.6.1 Market Trends
10.3.6.2 Market Forecast
10.3.7 Others
10.3.7.1 Market Trends
10.3.7.2 Market Forecast
10.4 Latin America
10.4.1 Brazil
10.4.1.1 Market Trends
10.4.1.2 Market Forecast
10.4.2 Mexico
10.4.2.1 Market Trends
10.4.2.2 Market Forecast
10.4.3 Others
10.4.3.1 Market Trends
10.4.3.2 Market Forecast
10.5 Middle East and Africa
10.5.1 Market Trends
10.5.2 Market Breakup by Country
10.5.3 Market Forecast
11 SWOT Analysis
11.1 Overview
11.2 Strengths
11.3 Weaknesses
11.4 Opportunities
11.5 Threats
12 Value Chain Analysis
13 Porters Five Forces Analysis
13.1 Overview
13.2 Bargaining Power of Buyers
13.3 Bargaining Power of Suppliers
13.4 Degree of Competition
13.5 Threat of New Entrants
13.6 Threat of Substitutes
14 Price Analysis
15 Competitive Landscape
15.1 Market Structure
15.2 Key Players
15.3 Profiles of Key Players
15.3.1 Avalanche Technology
15.3.1.1 Company Overview
15.3.1.2 Product Portfolio
15.3.2 Crossbar Inc.
15.3.2.1 Company Overview
15.3.2.2 Product Portfolio
15.3.3 Fujitsu Limited
15.3.3.1 Company Overview
15.3.3.2 Product Portfolio
15.3.3.3 Financials
15.3.3.4 SWOT Analysis
15.3.4 Honeywell International Inc.
15.3.4.1 Company Overview
15.3.4.2 Product Portfolio
15.3.4.3 Financials
15.3.4.4 SWOT Analysis
15.3.5 Infineon Technologies AG
15.3.5.1 Company Overview
15.3.5.2 Product Portfolio
15.3.5.3 Financials
15.3.5.4 SWOT Analysis
15.3.6 Intel Corporation
15.3.6.1 Company Overview
15.3.6.2 Product Portfolio
15.3.6.3 Financials
15.3.6.4 SWOT Analysis
15.3.7 Micron Technology Inc.
15.3.7.1 Company Overview
15.3.7.2 Product Portfolio
15.3.7.3 Financials
15.3.7.4 SWOT Analysis
15.3.8 Nantero Inc.
15.3.8.1 Company Overview
15.3.8.2 Product Portfolio
15.3.9 Samsung Electronics Co. Ltd.
15.3.9.1 Company Overview
15.3.9.2 Product Portfolio
15.3.9.3 Financials
15.3.10 SK hynix Inc.
15.3.10.1 Company Overview
15.3.10.2 Product Portfolio
15.3.10.3 Financials
15.3.10.4 SWOT Analysis
15.3.11 Spin Memory Inc.
15.3.11.1 Company Overview
15.3.11.2 Product Portfolio
15.3.12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd.
15.3.12.1 Company Overview
15.3.12.2 Product Portfolio
15.3.12.3 Financials
15.3.12.4 SWOT Analysis

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Table of Contents

Summary

The global next generation memory market reached a value of US$ 3.68 Billion in 2021. Looking forward, IMARC Group expects the market to reach a value of US$ 16.98 Billion by 2027, exhibiting a CAGR of 27.60% during 2022-2027. Keeping in mind the uncertainties of COVID-19, we are continuously tracking and evaluating the direct as well as the indirect influence of the pandemic on different end use industries. These insights are included in the report as a major market contributor.

Next generation memory refers to a fast, efficient and cost-effective storage solution that can store more data than silicon chips. It consequently finds extensive applications in the telecommunications, information technology (IT), and banking, financial services and insurance (BFSI) industries across the globe. At present, there is a surge in the requirement for high bandwidth, low power consumption, and highly scalable memory devices that rely on artificial intelligence (AI), the Internet of things (IoT), big data and other technologies. This, in turn, is catalyzing the demand for next generation memory.

Next Generation Memory Market Trends:
There is presently a significant rise in the traction of universal memory worldwide. This, in confluence with the burgeoning electronics industry, represents one of the key factors bolstering the growth of the market. Apart from this, with the growing sales of smartphones, tablets, universal serial bus (USB) drives, and solid-state drives (SSD), the demand for NOT-AND (NAND) flash memory, which is a type of non-volatile storage technology that does not need energy to retain data is also increasing. Besides this, high-bandwidth memory (HBM), a next generation memory technology for graphics, is rapidly being used in leading-edge graphics, networking, high-performance computing (HPC), and artificial intelligence (AI) systems. For instance, it is utilized in decoders, fully autonomous vehicles, neural network designs, and other advanced applications that require low power and enormous bandwidth. This, coupled with the rising usage of wearable devices, is facilitating the growth of the market. Other factors, such as the increasing use of connected cars and considerable growth in the IT industry, are projected to create a positive outlook for the market in the upcoming years.

Key Market Segmentation:
IMARC Group provides an analysis of the key trends in each sub-segment of the global next generation memory market, along with forecasts at the global, regional and country level from 2022-2027. Our report has categorized the market based on technology, wafer size, storage type and application

Breakup by Technology:

Non-Volatile
Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM)
Ferroelectric RAM (FRAM)
Resistive Random-Access Memory (ReRAM)
3D Xpoint
Nano RAM
Other Non-Volatile Technologies (Phase change RAM, STT-RAM, and SRAM)
Volatile
Hybrid Memory Cube (HMC)
High-Bandwidth Memory (HBM)

Breakup by Wafer Size:

200 mm
300 mm
450 mm

Breakup by Storage Type:

Mass Storage
Embedded Storage
Others

Breakup by Application:

BFSI
Consumer Electronics
Government
Telecommunications
Information Technology
Others

Breakup by Region:

North America
United States
Canada
Asia-Pacific
China
Japan
India
South Korea
Australia
Indonesia
Others
Europe
Germany
France
United Kingdom
Italy
Spain
Russia
Others
Latin America
Brazil
Mexico
Others
Middle East and Africa

Competitive Landscape:
The competitive landscape of the industry has also been examined along with the profiles of the key players being Avalanche Technology, Crossbar Inc., Fujitsu Limited, Honeywell International Inc., Infineon Technologies AG, Intel Corporation, Micron Technology Inc., Nantero Inc., Samsung Electronics Co. Ltd., SK hynix Inc., Spin Memory Inc. and Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd.

Key Questions Answered in This Report:
How has the global next generation memory market performed so far and how will it perform in the coming years?
What has been the impact of COVID-19 on the global next generation memory market?
What are the key regional markets?
What is the breakup of the market based on the technology?
What is the breakup of the market based on the wafer size?
What is the breakup of the market based on the storage type?
What is the breakup of the market based on the application?
What are the various stages in the value chain of the industry?
What are the key driving factors and challenges in the industry?
What is the structure of the global next generation memory market and who are the key players?
What is the degree of competition in the industry?

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