トンネル電界効果トランジスタ(TFET)の世界市場 - 2024-2031Global Tunnel Field-effect Transistor (TFET) Market - 2024-2031 概要 トンネル電界効果トランジスタ(TFET)の世界市場は、2023年に9億4,990万米ドルに達し、2031年には2億2,500万米ドルに達すると予測され、予測期間2024-2031年のCAGRは11.4%で成長する。 グリーン技術、エ... もっと見る
サマリー概要トンネル電界効果トランジスタ(TFET)の世界市場は、2023年に9億4,990万米ドルに達し、2031年には2億2,500万米ドルに達すると予測され、予測期間2024-2031年のCAGRは11.4%で成長する。 グリーン技術、エネルギー効率、半導体技術革新を支援する政府プログラムは、いずれもTFET市場の拡大を後押ししている。資金提供の機会や奨励政策を通じて、研究センターや半導体企業はTFETの開発や商業化の取り組みに参加するよう奨励されている。環境の持続可能性とエネルギー効率を優先する規制も、エネルギー消費量が非常に少ないTFETのような半導体技術の利用を促進している。 研究機関、競合他社、老舗企業を含む半導体業界の競争環境は、TFET技術の革新とチームワークを促進する。業界コンソーシアム、合弁事業、ライセンス契約、戦略的パートナーシップは、TFETの研究開発と市場拡大を推進している。半導体企業、ファウンドリー、装置サプライヤー、研究機関の努力の積み重ねにより、TFETの低価格化が進んでいる。 北米は、米国とカナダにおける半導体産業の急成長により、市場を支配している地域である。米国電気電子学会(Institute of Electrical and Electronics Engineers)のデータによると、テキサス・インスツルメンツ・インコーポレーテッド(Texas Instruments Incorporated)、インテル・コーポレーション(Intel Corporation)、エヌビディア・コーポレーション(NVIDIA Corporation)などが米国の半導体産業の主要参加企業である。北米の半導体部門は、産業需要の増加により急速に拡大している。世界半導体貿易統計によると、2020年には半導体セクターは5.9%の成長が見込まれている。 ダイナミクス 技術の進歩 従来の電界効果トランジスタ(FET)に対するTFET技術の主な利点のひとつは、低消費電力と高いエネルギー効率を達成できることである。リーク電流の最小化、デバイス設計の改善、サブスレッショルド・スイングの低減が、TFET技術進歩の3つの主な目的である。この進歩の結果、消費電力の少ないTFETが生まれ、エネルギー効率の高い電子機器やシステムにとって非常に望ましいものとなっている。さまざまな業界でエネルギー効率の高いソリューションに対する需要が高まっていることが、TFET市場の成長を後押ししている。 技術開発は、総合的な信頼性、オン状態電流、オフ状態リーク、スイッチング速度などのTFET性能指標を向上させる。ドーピング・プロファイル、デバイス・アーキテクチャ、材料、製造技術の向上により、TFETはより高い性能レベルを達成できるようになり、新たな応用の機会が広がっている。性能特性が向上したTFETは市場の関心を集め、採用が進み、市場成長を牽引している。 世界的な半導体産業の急成長 創造性を奨励し、最先端の半導体技術を生み出すため、半導体産業は研究開発に多大なリソースを割いています。TFETの研究、試作、テストはすべてこれに含まれます。技術的な問題に取り組み、性能特性を改善し、TFETが使用されるアプリケーションのスペクトルを広げることで、研究開発費はTFET技術の進歩に役立っている。 IEEEが提供したデータによると、IoTとAIデバイスの使用増加が半導体分野の大きな成長につながっている。半導体の売上高は、需給の変化や国際商取引をめぐる紛争も考慮すると、毎年少しずつ拡大している。半導体セクター全体の成長率が鈍化する中、半導体の売上高は2025年までに6,550億米ドルを超えると予測されている。 開発・生産コストの高さ TFET技術の開発には、TFETデバイスと回路の設計、シミュレーション、試作、テストのための大規模な研究開発努力が必要である。研究開発段階では、材料研究、デバイス・モデリング、製造プロセスの最適化、設備取得、専門人材に関するコストが発生する。研究開発費の高騰は、特に資金力の乏しい新興企業や中小企業にとって、半導体企業の財務に影響を与える。TFETの製造には、特殊な装置、クリーンルーム設備、高度な製造技術を必要とする複雑な工程が伴う。製造設備の設置や維持、半導体製造用設備の取得、工程管理や品質保証の確保などにより、製造コスト全体が増大する。 TFETには、歪みシリコンやIII-V族化合物半導体などの高度な半導体材料やヘテロ構造が頻繁に使用される。これらの材料は、従来のシリコンに比べてコストが高いため、製造コストが増加します。さらに、高品質の材料の調達、材料のサプライチェーンの管理、TFET製造プロセスとの材料の互換性の確保が、コストをさらに増加させる可能性がある。 セグメント分析 世界のトンネル電界効果トランジスタ(TFET)市場は、タイプ、アプリケーション、エンドユーザー、地域によって区分される。 トンネル電界効果トランジスタ(TFET)市場では横方向トンネルが主流 タイプ別に見ると、トンネル電界効果トランジスタ(TFET)市場は横方向トンネル型と縦方向トンネル型に区分される。 横方向TFETは、縦方向TFETや従来の電界効果トランジスタ(FET)よりも性能面で優れている。電子デバイスの消費電力を削減し、エネルギー効率を向上させるために重要な、より低いサブスレッショルド・スイング値を達成することができる。ラテラルTFETの優れた性能特性は、低消費電力動作、高速スイッチング、総合性能の向上を必要とするアプリケーションにとって魅力的です。ラテラルTFETは、その拡張性と集積化能力で知られています。よりコンパクトで高密度、かつ効果的な電子部品を作るために、先進的な半導体プロセスで頻繁に使用されている。 ウェアラブル・エレクトロニクス、モバイル・デバイス、モノのインターネット・デバイスなど、現代の半導体デバイスにおける小型化、高集積化、性能最適化のニーズに対応するためには、この拡張性が極めて重要である。ラテラルTFETはその高速スイッチング能力により、高周波回路や信号処理などの高周波アプリケーションに適している。低消費電力と高い周波数能力は、高速データ処理、高速データ転送、RF信号変調を必要とするアプリケーションに最適です。 地域別普及率 北米がトンネル電界効果トランジスタ(TFET)市場を独占 米国には、半導体装置ベンダーや確立されたサプライチェーン・ネットワークがあり、強固な半導体産業環境がある。効率的な製造、品質管理、拡張性により、この地域で操業するTFETメーカーの市場リーダーシップと競争力を支えている。半導体の研究開発への大規模な投資は北米で行われており、政府からの融資、企業セクターからの投資、学術的パートナーシップによって支えられている。 北米では、エネルギー効率の高い電子機器、IoT機器、電気通信インフラ、データセンター、新興技術に対する強い需要が見られる。低消費電力特性、高速性能、IoTアプリケーションへの適合性で知られるTFETは、家電、ヘルスケア、自動車、航空宇宙、防衛などの分野の市場需要に合致しており、同地域での市場支配に貢献している。同地域のTFET市場は、イノベーション、人材育成、知識移転を刺激するTFETなどの最先端半導体技術を中心とした研究プロジェクトにより成長している。 競争状況 同市場における世界の主要企業には、Qorvo, Inc.、Texas Instruments, Inc.、Infineon Technologies AG、ON Semiconductor Corporation、Broadcom, Inc.、STMicroelectronics N.V.、Advanced Linear Devices, Inc.、Axcera, Inc.、Focus Microwaves, Inc.、Qualcommなどがある。 COVID-19 影響分析 半導体セクターはパンデミック中、サプライチェーンに大きな問題を抱えた。各国の製造拠点の閉鎖や一時的な閉鎖は、半導体材料や部品の生産と流通に支障をきたした。TFETメーカーが必要な部品を見つけるのに苦労し、サプライチェーンの問題、価格の上昇、生産の遅れを招いた可能性がある。 流行病は、消費者行動や新技術の採用傾向を変化させた。家電製品や電話サービスに使われるような一部の半導体デバイスの需要は、流行中に変化した。TFETは低消費電力アプリケーションやエネルギー効率の高いガジェットに有用であるため、効率、接続、デジタルトランスフォーメーションを重視する業界では、TFET需要は安定しているか、あるいは伸びてさえいる。 ロシア・ウクライナ戦争の影響分析 半導体企業にとって、さまざまな国から材料や部品を調達するグローバルサプライチェーンは不可欠である。輸送ラインは紛争によって妨げられており、半導体の流通や製造に遅れや不足が生じている。このため、TFETメーカーにとっては、必要な物資、機械、部品の入手が難しくなり、生産能力の低下やサプライチェーンの強化につながる。地政学的緊張と経済制裁という戦争の帰結は、ロシア、ウクライナ、近隣地域で活動する半導体企業に、商業関係、輸出入法、市場アクセスの面で影響を与える。市場の不安定性、規制の変更、地政学的な不確実性は、これらの地域に事業所や依存関係を持つTFETメーカーに問題をもたらす。こうした課題は、市場戦略や拡大計画に影響を及ぼす。 紛争はエネルギー価格の変動、特に天然ガスや電力といった重要な資源に影響を与える要因にもなっている。エネルギーコストの上昇は、TFETメーカーの製造経費を増加させ、コスト圧力やマージンへの配慮につながる可能性がある。このような市場の変化に対応して、企業は資源管理手順、エネルギー効率の高い技術、コスト最適化の努力を評価しなければならない。ロシア・ウクライナ戦争がもたらす広範な経済的影響には、市場の不安定化、インフレ圧力、通貨変動などが含まれる。マクロ経済の変数は、半導体部門に対する企業の信頼に影響を与えることによって、TFET市場の成長と収益予想に影響を与える。企業は、こうした経済的課題を効果的に乗り切るために、市場戦略、価格設定モデル、リスク管理アプローチを調整する必要がある。 タイプ別 - 横方向トンネル - 垂直トンネル アプリケーション別 - 低電力エレクトロニクス - 高速スイッチング - アナログ回路 エンドユーザー別 - コンシューマー・エレクトロニクス - 通信機器 - 自動車 - ヘルスケア - その他 地域別 - 北米 o 米国 o カナダ メキシコ - ヨーロッパ o ドイツ o イギリス o フランス o イタリア o スペイン o その他のヨーロッパ - 南アメリカ o ブラジル o アルゼンチン o その他の南米諸国 - アジア太平洋 o 中国 o インド o 日本 o オーストラリア o その他のアジア太平洋地域 - 中東およびアフリカ 主要開発 - 2024年1月1日、Amplia Infrastructuresは、トンネル内の損傷した表面を除去する特定のプロジェクト向けにMP 1000HDカッターヘッドを発売した。この製品は、トンネル掘削用にカスタマイズされた35~60トンの掘削機用に設計されており、HDバージョンはMPとは異なる。 - 2021年4月14日、ボーリング・カンパニーはトンネル掘削用の製品とサービスを市場に投入した。その第1号はラスベガスのコンベンションセンターに設置され、「ループ」と呼ばれている。ボーリング・カンパニーによるループ・トンネルは大規模輸送用に設計されており、テスラ・モデル3やモデルXなどの自動車を収容することができる。 レポートを購入する理由 - 世界のトンネル電界効果トランジスタ(TFET)市場をタイプ、用途、エンドユーザー、地域に基づき細分化し、主要な商業資産とプレーヤーを理解する。 - トレンドと共同開発の分析による商機の特定。 - トンネル電界効果トランジスタ(TFET)市場レベルの多数のデータを全セグメントでまとめたエクセルデータシート。 - PDFレポートは、徹底的な定性的インタビューと綿密な調査後の包括的な分析で構成されています。 - 主要プレイヤーの主要製品からなる製品マッピングをエクセルで提供。 世界のトンネル電界効果トランジスタ(TFET)市場レポートは、約62の表、53の図、182ページを提供します。 対象読者 - メーカー/バイヤー - 業界投資家/投資銀行家 - 研究専門家 - 新興企業 目次1.方法論と範囲1.1.調査方法 1.2.調査目的と調査範囲 2.定義と概要 3.エグゼクティブサマリー 3.1.タイプ別スニペット 3.2.用途別スニペット 3.3.エンドユーザー別スニペット 3.4.地域別スニペット 4.ダイナミクス 4.1.影響要因 4.1.1.推進要因 4.1.1.1.技術の進歩 4.1.1.2.世界的な半導体産業の急成長 4.1.2.阻害要因 4.1.2.1.開発・生産コストの高さ 4.1.3.機会 4.1.4.影響分析 5.産業分析 5.1.ポーターのファイブフォース分析 5.2.サプライチェーン分析 5.3.価格分析 5.4.規制分析 5.5.ロシア・ウクライナ戦争影響分析 5.6.DMI意見書 6.COVID-19分析 6.1.COVID-19の分析 6.1.1.COVID-19以前のシナリオ 6.1.2.COVID-19開催中のシナリオ 6.1.3.COVID-19後のシナリオ 6.2.COVID-19中の価格ダイナミクス 6.3.需給スペクトラム 6.4.パンデミック時の市場に関する政府の取り組み 6.5.メーカーの戦略的取り組み 6.6.おわりに 7.タイプ別 7.1.はじめに 7.1.1.タイプ別市場規模分析および前年比成長率分析(%) 7.1.2.市場魅力度指数(タイプ別 7.2.ラテラルトンネリング 7.2.1.はじめに 7.2.2.市場規模分析と前年比成長率分析(%) 7.3.垂直トンネリング 8.用途別 8.1.はじめに 8.1.1.市場規模分析および前年比成長率分析(%), 用途別 8.1.2.市場魅力度指数(用途別 8.2.ローパワーエレクトロニクス 8.2.1.序論 8.2.2.市場規模分析と前年比成長率分析(%) 8.3.高速スイッチング 8.4.アナログ回路 9.エンドユーザー別 9.1.はじめに 9.1.1.市場規模分析および前年比成長率分析(%)、エンドユーザー別 9.1.2.市場魅力度指数(エンドユーザー別 9.2.コンシューマーエレクトロニクス*市場 9.2.1.序論 9.2.2.市場規模分析と前年比成長率分析(%) 9.3.電気通信 9.4.自動車 9.5.ヘルスケア 9.6.その他 10.地域別 10.1.はじめに 10.1.1.地域別市場規模分析および前年比成長率分析(%) 10.1.2.市場魅力度指数、地域別 10.2.北米 10.2.1.はじめに 10.2.2.主な地域別ダイナミクス 10.2.3.タイプ別市場規模分析と前年比成長率分析(%) 2.4. 10.2.4.市場規模分析とYoY成長率分析(%), アプリケーション別 10.2.5.市場規模分析および前年比成長率分析(%):エンドユーザー別 10.2.6.市場規模分析および前年比成長率分析(%), 国別 10.2.6.1.米国 10.2.6.2.カナダ 10.2.6.3.メキシコ 10.3.ヨーロッパ 10.3.1.はじめに 10.3.2.地域別の主な動き 10.3.3.タイプ別市場規模分析と前年比成長率分析(%) 3.4. 10.3.4.市場規模分析とYoY成長率分析(%), アプリケーション別 10.3.5.市場規模分析および前年比成長率分析(%), エンドユーザー別 10.3.6.市場規模分析および前年比成長率分析(%)、国別 10.3.6.1.ドイツ 10.3.6.2.イギリス 10.3.6.3.フランス 10.3.6.4.イタリア 10.3.6.5.スペイン 10.3.6.6.その他のヨーロッパ 10.4.南米 10.4.1.はじめに 10.4.2.地域別主要市場 10.4.3.市場規模分析および前年比成長率分析(%), タイプ別 10.4.4.市場規模分析と前年比成長率分析(%), アプリケーション別 10.4.5.市場規模分析および前年比成長率分析(%):エンドユーザー別 10.4.6.市場規模分析および前年比成長率分析(%)、国別 10.4.6.1.ブラジル 10.4.6.2.アルゼンチン 10.4.6.3.その他の南米地域 10.5.アジア太平洋 10.5.1.はじめに 10.5.2.主な地域別ダイナミクス 10.5.3.市場規模分析および前年比成長率分析(%), タイプ別 10.5.4.市場規模分析とYoY成長率分析(%), アプリケーション別 10.5.5.市場規模分析および前年比成長率分析(%), エンドユーザー別 10.5.6.市場規模分析および前年比成長率分析(%)、国別 10.5.6.1.中国 10.5.6.2.インド 10.5.6.3.日本 10.5.6.4.オーストラリア 10.5.6.5.その他のアジア太平洋地域 10.6.中東・アフリカ 10.6.1.はじめに 10.6.2.地域別の主な動き 10.6.3.市場規模分析および前年比成長率分析(%), タイプ別 10.6.4.市場規模分析と前年比成長率分析(%), アプリケーション別 10.6.5.市場規模分析および前年比成長率分析(%):エンドユーザー別 11.競争環境 11.1.競争シナリオ 11.2.市場ポジショニング/シェア分析 11.3.M&A分析 12.企業プロフィール 12.1.Qorvo, Inc.*. 12.1.1.会社概要 12.1.2.製品ポートフォリオと説明 12.1.3.財務概要 12.1.4.主な展開 12.2.テキサス・インスツルメンツ 12.3.インフィニオン・テクノロジーズAG 12.4.オン・セミコンダクター・コーポレーション 12.5.ブロードコム 12.6.STマイクロエレクトロニクスN.V. 12.7.アドバンスト・リニア・デバイス 12.8.アクセラ 12.9.フォーカスマイクロウェーブ 12.10.クアルコム リストは網羅的ではありません 13.付録 13.1.クアルコムについて 13.2.お問い合わせ
SummaryOverview Table of Contents1. Methodology and Scope
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2024/11/15 10:26 157.84 円 166.62 円 202.61 円 |