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次世代メモリ。2026年までの世界市場


Next Generation Memory: Global Markets to 2026

レポートの範囲 当レポートでは、次世代メモリの世界市場の概要と市場動向を分析しています。2020年を基準年として、2021年から2026年までの予測期間の推定市場データを提供しています。この期間の収益予測は... もっと見る

 

 

出版社 出版年月 電子版価格 ページ数 言語
BCC Research
BCCリサーチ
2021年11月17日 US$5,500
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255 英語

 

サマリー

レポートの範囲

当レポートでは、次世代メモリの世界市場の概要と市場動向を分析しています。2020年を基準年として、2021年から2026年までの予測期間の推定市場データを提供しています。この期間の収益予測は、テクノロジー、ウェハサイズ、アプリケーション、地域に基づいて分類されています。

また、市場に影響を与える主要なトレンドや課題、競合状況にも焦点を当てています。現在の市場動向を解説するとともに、主要企業の詳細なプロフィールや、市場での存在感を高めるために採用している戦略などを紹介しています。レポートでは、2020年の世界の次世代メモリ市場規模を推定し、2026年までの予想市場規模を予測しています。

レポートには以下が含まれます。

- 62のデータテーブルと50の追加テーブル
- 次世代メモリの世界市場の概要
- 2020年のデータ、2021年、2022年、2024年の推定値、2026年までのCAGRの予測による市場規模の推定と世界市場の動向の分析
- 業界内の新たな機会、課題、技術的変化の分析と、技術、ストレージタイプ、アプリケーション、地域別の市場の可能性のハイライト
- 現在の市場動向と予測、新製品の発表と製品の強化、技術革新、今後の技術、業界の技術進歩に関する詳細な分析
- 不揮発性メモリと揮発性メモリの詳細な説明、その種類と利点
- 業界の主要企業の市場シェア分析と、M&A、ジョイントベンチャー、コラボレーションやパートナーシップなどのイベント、およびその他の主要な市場戦略についての報道
- 市場の主要企業の会社概要(例:Samsung Electronics Co.Ltd.、Micron Technology Inc.、KIOXIA Holdings Corp.(旧東芝メモリ株式会社)、Intel Corp.、SK Hynix Inc.、Western Digital Corp.などがあります。

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目次

Table of Contents
Chapter 1 Introduction
Introduction
Study Goals and Objectives
Reasons for Doing This Study
Scope of Report
Information Sources
Methodology
Intended Audience
Geographic Breakdown
Analyst's Credentials
BCC Custom Research
Related BCC Research Reports
Chapter 2 Summary and Highlights
Chapter 3 Market Overview and Background
Market Overview
Market Dynamics
Market Drivers
Market Restraints
Market Opportunities
Market Challenges
Value Chain Analysis
Research and Development
Raw Material Suppliers
System Integrators
Suppliers and Distributors
End Users
COVID-19 Impact Analysis
Chapter 4 Market Breakdown by Technology
Introduction
Non-volatile Memory
Magneto-resistive Random-Access Memory
Ferroelectric Random-Access Memory
Resistive Random-Access Memory
Three-Dimensional XPoint
Nano Random Access Memory
Others
Volatile Memory
High-Bandwidth Memory
Hybrid Memory Cube
Chapter 5 Market Breakdown by Wafer Size
Introduction
200 Millimeters
300 Millimeters
450 Millimeters
Chapter 6 Market Breakdown by Application
Introduction
Consumer Electronics
Enterprise Storage
Industrial
Telecommunications
Automotive and Transportation
Military and Aerospace
Healthcare
Others
Chapter 7 Market Breakdown by Region
Introduction
North American Market Outlook
North American Market by Country
North American Market by Technology
North American Market by Wafer Size
North American Market by Application
European Market Outlook
European Market by Country
European Market by Technology
European Market by Wafer Size
European Market by Application
Asia-Pacific Market Outlook
Asia-Pacific Market by Country
Asia-Pacific Market by Technology
Asia-Pacific Market by Wafer Size
Asia-Pacific Market by Application
Rest of World Market Outlook
RoW Market by Subregion
RoW Market by Technology
RoW Market by Wafer Size
RoW Market by Application
Chapter 8 Competitive Landscape
Market Competition
Strategic Analysis
Product and Technology Launches and Developments
Agreements, Collaborations and Partnerships
Acquisitions, Expansions, and Investment
Chapter 9 Company Profiles
Major Players
4DS MEMORY LTD.
ADVANCED MICRO DEVICES INC.
AVALANCHE TECHNOLOGIES INC.
CROSSBAR INC.
DIALOG SEMICONDUCTOR PLC (ADESTO TECHNOLOGIES CORP.)
EVERSPIN TECHNOLOGIES INC.
FUJITSU LTD.
HONEYWELL INTERNATIONAL INC.
INFINEON TECHNOLOGIES AG (CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP.)
INTEL CORP.
KIOXIA HOLDINGS CORP.
MICRON TECHNOLOGY INC.
NANTERO INC.
NXP SEMICONDUCTORS N.V.
SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.
SANMINA CORP. (VIKING TECHNOLOGY)
SK HYNIX INC.
SPIN MEMORY INC.
SYNOPSYS INC.
WEEBIT NANO LTD.
WESTERN DIGITAL CORP.
Semiconductor Fab Companies
DB HITEK
GLOBALFOUNDRIES
SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL CORP.
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY
TOWER SEMICONDUCTOR LTD.
UNITED MICROELECTRONICS CORP.
Chapter 10 Patent Analysis
Patent Analysis
Patents Granted on Memory Technology (2016-2021)
Magneto-Resistive Random Access Memory (MRAM)
Resistive Random Access Memory (RRAM)
Phase Change Memory/Phase-Change RAM (PCM/PCRAM)
Ferroelectric Random Access Memory (FRAM)
Hybrid Memory Cube (HMC)
Hybrid Bandwidth Memory (HBM)
Chapter 11 Appendix: List of Acronyms

 

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Summary

Report Scope:

This report provides an overview of the global market for next-generation memory and analyzes market trends. Using 2020 as the base year, the report provides estimated market data for the forecast period from 2021 through 2026. Revenue forecasts for this period are segmented based on technology, wafer size, application, and region.

The report also focuses on the major trends and challenges that affect the market and the competitive landscape. It explains the current market trends and provides detailed profiles of the major players and the strategies they adopt to enhance their market presence. The report estimates the size of the global next-generation memory market in 2020 and provides projections of the expected market size through 2026.

Report Includes:

- 62 data tables and 50 additional tables
- An overview of the global market for next generation memory
- Estimation of the market size and analyses of the global market trends, with data from 2020, estimates for 2021, 2022, 2024, with projection of CAGR through 2026
- Analysis of new opportunities, challenges, and technological changes within the industry and highlights of the market potential by technology, storage type, application, and region
- Detailed analysis of the current market trends and forecast, new products launches and product enhancement, technological innovation, upcoming technologies, and the technical progress of the industry
- Detailed description of non-volatile memory and volatile memory, their types, and advantages
- Market share analysis of the key companies of the industry and coverage of events like mergers & acquisitions, joint ventures, collaborations or partnerships, and other key market strategies
- Company profiles of major players in the market, including Samsung Electronics Co. Ltd., Micron Technology Inc., KIOXIA Holdings Corp. (formerly Toshiba Memory Corp.), Intel Corp., SK Hynix Inc. and Western Digital Corp.



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Table of Contents

Table of Contents
Chapter 1 Introduction
Introduction
Study Goals and Objectives
Reasons for Doing This Study
Scope of Report
Information Sources
Methodology
Intended Audience
Geographic Breakdown
Analyst's Credentials
BCC Custom Research
Related BCC Research Reports
Chapter 2 Summary and Highlights
Chapter 3 Market Overview and Background
Market Overview
Market Dynamics
Market Drivers
Market Restraints
Market Opportunities
Market Challenges
Value Chain Analysis
Research and Development
Raw Material Suppliers
System Integrators
Suppliers and Distributors
End Users
COVID-19 Impact Analysis
Chapter 4 Market Breakdown by Technology
Introduction
Non-volatile Memory
Magneto-resistive Random-Access Memory
Ferroelectric Random-Access Memory
Resistive Random-Access Memory
Three-Dimensional XPoint
Nano Random Access Memory
Others
Volatile Memory
High-Bandwidth Memory
Hybrid Memory Cube
Chapter 5 Market Breakdown by Wafer Size
Introduction
200 Millimeters
300 Millimeters
450 Millimeters
Chapter 6 Market Breakdown by Application
Introduction
Consumer Electronics
Enterprise Storage
Industrial
Telecommunications
Automotive and Transportation
Military and Aerospace
Healthcare
Others
Chapter 7 Market Breakdown by Region
Introduction
North American Market Outlook
North American Market by Country
North American Market by Technology
North American Market by Wafer Size
North American Market by Application
European Market Outlook
European Market by Country
European Market by Technology
European Market by Wafer Size
European Market by Application
Asia-Pacific Market Outlook
Asia-Pacific Market by Country
Asia-Pacific Market by Technology
Asia-Pacific Market by Wafer Size
Asia-Pacific Market by Application
Rest of World Market Outlook
RoW Market by Subregion
RoW Market by Technology
RoW Market by Wafer Size
RoW Market by Application
Chapter 8 Competitive Landscape
Market Competition
Strategic Analysis
Product and Technology Launches and Developments
Agreements, Collaborations and Partnerships
Acquisitions, Expansions, and Investment
Chapter 9 Company Profiles
Major Players
4DS MEMORY LTD.
ADVANCED MICRO DEVICES INC.
AVALANCHE TECHNOLOGIES INC.
CROSSBAR INC.
DIALOG SEMICONDUCTOR PLC (ADESTO TECHNOLOGIES CORP.)
EVERSPIN TECHNOLOGIES INC.
FUJITSU LTD.
HONEYWELL INTERNATIONAL INC.
INFINEON TECHNOLOGIES AG (CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP.)
INTEL CORP.
KIOXIA HOLDINGS CORP.
MICRON TECHNOLOGY INC.
NANTERO INC.
NXP SEMICONDUCTORS N.V.
SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.
SANMINA CORP. (VIKING TECHNOLOGY)
SK HYNIX INC.
SPIN MEMORY INC.
SYNOPSYS INC.
WEEBIT NANO LTD.
WESTERN DIGITAL CORP.
Semiconductor Fab Companies
DB HITEK
GLOBALFOUNDRIES
SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL CORP.
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY
TOWER SEMICONDUCTOR LTD.
UNITED MICROELECTRONICS CORP.
Chapter 10 Patent Analysis
Patent Analysis
Patents Granted on Memory Technology (2016-2021)
Magneto-Resistive Random Access Memory (MRAM)
Resistive Random Access Memory (RRAM)
Phase Change Memory/Phase-Change RAM (PCM/PCRAM)
Ferroelectric Random Access Memory (FRAM)
Hybrid Memory Cube (HMC)
Hybrid Bandwidth Memory (HBM)
Chapter 11 Appendix: List of Acronyms

 

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