次世代メモリ。2026年までの世界市場Next Generation Memory: Global Markets to 2026 レポートの範囲 当レポートでは、次世代メモリの世界市場の概要と市場動向を分析しています。2020年を基準年として、2021年から2026年までの予測期間の推定市場データを提供しています。この期間の収益予測は... もっと見る
サマリーレポートの範囲当レポートでは、次世代メモリの世界市場の概要と市場動向を分析しています。2020年を基準年として、2021年から2026年までの予測期間の推定市場データを提供しています。この期間の収益予測は、テクノロジー、ウェハサイズ、アプリケーション、地域に基づいて分類されています。 また、市場に影響を与える主要なトレンドや課題、競合状況にも焦点を当てています。現在の市場動向を解説するとともに、主要企業の詳細なプロフィールや、市場での存在感を高めるために採用している戦略などを紹介しています。レポートでは、2020年の世界の次世代メモリ市場規模を推定し、2026年までの予想市場規模を予測しています。 レポートには以下が含まれます。 - 62のデータテーブルと50の追加テーブル - 次世代メモリの世界市場の概要 - 2020年のデータ、2021年、2022年、2024年の推定値、2026年までのCAGRの予測による市場規模の推定と世界市場の動向の分析 - 業界内の新たな機会、課題、技術的変化の分析と、技術、ストレージタイプ、アプリケーション、地域別の市場の可能性のハイライト - 現在の市場動向と予測、新製品の発表と製品の強化、技術革新、今後の技術、業界の技術進歩に関する詳細な分析 - 不揮発性メモリと揮発性メモリの詳細な説明、その種類と利点 - 業界の主要企業の市場シェア分析と、M&A、ジョイントベンチャー、コラボレーションやパートナーシップなどのイベント、およびその他の主要な市場戦略についての報道 - 市場の主要企業の会社概要(例:Samsung Electronics Co.Ltd.、Micron Technology Inc.、KIOXIA Holdings Corp.(旧東芝メモリ株式会社)、Intel Corp.、SK Hynix Inc.、Western Digital Corp.などがあります。 目次Table of ContentsChapter 1 Introduction Introduction Study Goals and Objectives Reasons for Doing This Study Scope of Report Information Sources Methodology Intended Audience Geographic Breakdown Analyst's Credentials BCC Custom Research Related BCC Research Reports Chapter 2 Summary and Highlights Chapter 3 Market Overview and Background Market Overview Market Dynamics Market Drivers Market Restraints Market Opportunities Market Challenges Value Chain Analysis Research and Development Raw Material Suppliers System Integrators Suppliers and Distributors End Users COVID-19 Impact Analysis Chapter 4 Market Breakdown by Technology Introduction Non-volatile Memory Magneto-resistive Random-Access Memory Ferroelectric Random-Access Memory Resistive Random-Access Memory Three-Dimensional XPoint Nano Random Access Memory Others Volatile Memory High-Bandwidth Memory Hybrid Memory Cube Chapter 5 Market Breakdown by Wafer Size Introduction 200 Millimeters 300 Millimeters 450 Millimeters Chapter 6 Market Breakdown by Application Introduction Consumer Electronics Enterprise Storage Industrial Telecommunications Automotive and Transportation Military and Aerospace Healthcare Others Chapter 7 Market Breakdown by Region Introduction North American Market Outlook North American Market by Country North American Market by Technology North American Market by Wafer Size North American Market by Application European Market Outlook European Market by Country European Market by Technology European Market by Wafer Size European Market by Application Asia-Pacific Market Outlook Asia-Pacific Market by Country Asia-Pacific Market by Technology Asia-Pacific Market by Wafer Size Asia-Pacific Market by Application Rest of World Market Outlook RoW Market by Subregion RoW Market by Technology RoW Market by Wafer Size RoW Market by Application Chapter 8 Competitive Landscape Market Competition Strategic Analysis Product and Technology Launches and Developments Agreements, Collaborations and Partnerships Acquisitions, Expansions, and Investment Chapter 9 Company Profiles Major Players 4DS MEMORY LTD. ADVANCED MICRO DEVICES INC. AVALANCHE TECHNOLOGIES INC. CROSSBAR INC. DIALOG SEMICONDUCTOR PLC (ADESTO TECHNOLOGIES CORP.) EVERSPIN TECHNOLOGIES INC. FUJITSU LTD. HONEYWELL INTERNATIONAL INC. INFINEON TECHNOLOGIES AG (CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP.) INTEL CORP. KIOXIA HOLDINGS CORP. MICRON TECHNOLOGY INC. NANTERO INC. NXP SEMICONDUCTORS N.V. SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. SANMINA CORP. (VIKING TECHNOLOGY) SK HYNIX INC. SPIN MEMORY INC. SYNOPSYS INC. WEEBIT NANO LTD. WESTERN DIGITAL CORP. Semiconductor Fab Companies DB HITEK GLOBALFOUNDRIES SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL CORP. TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY TOWER SEMICONDUCTOR LTD. UNITED MICROELECTRONICS CORP. Chapter 10 Patent Analysis Patent Analysis Patents Granted on Memory Technology (2016-2021) Magneto-Resistive Random Access Memory (MRAM) Resistive Random Access Memory (RRAM) Phase Change Memory/Phase-Change RAM (PCM/PCRAM) Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) Hybrid Memory Cube (HMC) Hybrid Bandwidth Memory (HBM) Chapter 11 Appendix: List of Acronyms
SummaryReport Scope: Table of ContentsTable of ContentsChapter 1 Introduction Introduction Study Goals and Objectives Reasons for Doing This Study Scope of Report Information Sources Methodology Intended Audience Geographic Breakdown Analyst's Credentials BCC Custom Research Related BCC Research Reports Chapter 2 Summary and Highlights Chapter 3 Market Overview and Background Market Overview Market Dynamics Market Drivers Market Restraints Market Opportunities Market Challenges Value Chain Analysis Research and Development Raw Material Suppliers System Integrators Suppliers and Distributors End Users COVID-19 Impact Analysis Chapter 4 Market Breakdown by Technology Introduction Non-volatile Memory Magneto-resistive Random-Access Memory Ferroelectric Random-Access Memory Resistive Random-Access Memory Three-Dimensional XPoint Nano Random Access Memory Others Volatile Memory High-Bandwidth Memory Hybrid Memory Cube Chapter 5 Market Breakdown by Wafer Size Introduction 200 Millimeters 300 Millimeters 450 Millimeters Chapter 6 Market Breakdown by Application Introduction Consumer Electronics Enterprise Storage Industrial Telecommunications Automotive and Transportation Military and Aerospace Healthcare Others Chapter 7 Market Breakdown by Region Introduction North American Market Outlook North American Market by Country North American Market by Technology North American Market by Wafer Size North American Market by Application European Market Outlook European Market by Country European Market by Technology European Market by Wafer Size European Market by Application Asia-Pacific Market Outlook Asia-Pacific Market by Country Asia-Pacific Market by Technology Asia-Pacific Market by Wafer Size Asia-Pacific Market by Application Rest of World Market Outlook RoW Market by Subregion RoW Market by Technology RoW Market by Wafer Size RoW Market by Application Chapter 8 Competitive Landscape Market Competition Strategic Analysis Product and Technology Launches and Developments Agreements, Collaborations and Partnerships Acquisitions, Expansions, and Investment Chapter 9 Company Profiles Major Players 4DS MEMORY LTD. ADVANCED MICRO DEVICES INC. AVALANCHE TECHNOLOGIES INC. CROSSBAR INC. DIALOG SEMICONDUCTOR PLC (ADESTO TECHNOLOGIES CORP.) EVERSPIN TECHNOLOGIES INC. FUJITSU LTD. HONEYWELL INTERNATIONAL INC. INFINEON TECHNOLOGIES AG (CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP.) INTEL CORP. KIOXIA HOLDINGS CORP. MICRON TECHNOLOGY INC. NANTERO INC. NXP SEMICONDUCTORS N.V. SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. SANMINA CORP. (VIKING TECHNOLOGY) SK HYNIX INC. SPIN MEMORY INC. SYNOPSYS INC. WEEBIT NANO LTD. WESTERN DIGITAL CORP. Semiconductor Fab Companies DB HITEK GLOBALFOUNDRIES SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL CORP. TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY TOWER SEMICONDUCTOR LTD. UNITED MICROELECTRONICS CORP. Chapter 10 Patent Analysis Patent Analysis Patents Granted on Memory Technology (2016-2021) Magneto-Resistive Random Access Memory (MRAM) Resistive Random Access Memory (RRAM) Phase Change Memory/Phase-Change RAM (PCM/PCRAM) Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) Hybrid Memory Cube (HMC) Hybrid Bandwidth Memory (HBM) Chapter 11 Appendix: List of Acronyms
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よくあるご質問BCC Research社はどのような調査会社ですか?BCCリサーチ(BCC Research)は1971年に設立され、様々な業界経験を持つアナリストと編集者によりトップクラスの市場情報源を長年提供している調査会社です。 設立初期は先端材料とプラ... もっと見る 調査レポートの納品までの日数はどの程度ですか?在庫のあるものは速納となりますが、平均的には 3-4日と見て下さい。
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