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 プラズマエッチング：市場分析と戦略課題Plasma Etching: Market Analysis and Strategic Issues 本レポートは、半導体産業向けプラズマエッチング装置のユーザーとサプライヤーの双方に影響を与える戦略的課題を取り上げている。ドライエッチングとストリッピングの市場を分析・予測。エッチ装置とストリッ... もっと見る
サマリー本レポートは、半導体産業向けプラズマエッチング装置のユーザーとサプライヤーの双方に影響を与える戦略的課題を取り上げている。ドライエッチングとストリッピングの市場を分析・予測。エッチ装置とストリップ装置のサプライヤーの市場シェアを提示 推進力
半導体製造における重要なプロセスである半導体プラズマエッチングは、業界の進化する要求、技術の進歩、市場ダイナミクスを反映した多数の要因によって推進されています。これらの原動力は、半導体製造の様々な側面と、より広範な半導体エコシステムを包含している：
デバイスの微細化と小型化デバイスの微細化と小型化：ムーアの法則の絶え間ない追求と、より小型で強力な半導体デバイスの需要に伴い、フィーチャーサイズの縮小とデバイス密度の向上が絶えず求められている。プラズマエッチングは、ナノメートルスケールでの精密なパターン転写を可能にし、高精度で高度な半導体構造の製造を容易にします。
複雑なデバイス構造：FinFET、3D NANDフラッシュメモリ、多層配線など、半導体デバイスはますます複雑なアーキテクチャへと進化しています。プラズマエッチングは、多層・多寸法の複雑なデバイス構造のパターニングに必要な柔軟性と制御性を提供します。
材料の互換性と選択性：半導体材料が多様化し、化合物半導体デバイスが脚光を浴びるにつれ、高い選択性と均一性を維持しながら、幅広い材料を効果的にエッチングできるプラズマエッチングプロセスに対するニーズが高まっています。特殊なエッチングケミストリーとプロセスレシピの開発により、材料除去率と側壁プロファイルの精密な制御が可能になり、最適なデバイス性能と信頼性が保証されます。
歩留まり向上とプロセス制御：半導体メーカーは、欠陥を最小限に抑え、デバイス性能を向上させ、生産効率を最適化するために、歩留まり向上とプロセス制御を重視しています。プラズマエッチングは、ばらつきを最小限に抑えて正確なパターン転写を可能にすることで、欠陥密度を低減し、デバイスの均一性を高め、ウェーハの歩留まりを最大化することにより、これらの目標を達成する上で重要な役割を果たしています。
新たなアプリケーションと技術：5Gワイヤレス通信、人工知能(AI)、モノのインターネット(IoT)、自律走行車など、新たなアプリケーションや技術の普及は、特定の性能特性や機能を備えた半導体デバイスへの需要を促進しています。プラズマエッチングは、これらのアプリケーションの要件を満たすデバイス構造のカスタマイズと最適化を可能にし、新たな市場機会を開くとともに、半導体製造における技術革新を促進する。
市場競争と技術革新：半導体業界は競争が激しく、各メーカーが市場シェア、技術的リーダーシップ、技術革新を競い合っている。プラズマエッチング装置、材料、プロセス技術の絶え間ない進歩は、激しい市場競争によって推進され、進化する顧客の要求に応え、競争上の優位性を獲得するために、エッチング能力と性能の限界を押し広げている。
動向
半導体プラズマエッチングの技術動向は、高性能化、高機能化、製造性向上に対する半導体業界の高まる要求に対応するため、継続的に進化している。いくつかの重要なトレンドがプラズマエッチング技術の革新を促進している：
サブナノメーター・フィーチャー制御：サブナノメーター・フィーチャー・コントロール：デバイスの微細化と高密度化が進む中、サブナノメーターのフィーチャー・コントロールを実現するプラズマ・エッチング技術が不可欠となっている。誘導結合プラズマ(ICP)や電子サイクロトロン共鳴(ECR)などの高度なプラズマソースは、イオンエネルギーとフラックスの精密な制御を可能にし、サブナノメートル精度の超微細形状のエッチングを容易にします。
選択的エッチングと材料適合性：半導体デバイスが化合物半導体、誘電体、金属を含むより広範な材料を搭載するにつれて、高い選択性と多様な材料との互換性を提供するプラズマエッチングプロセスへの需要が高まっています。選択的エッチングのケミストリーとプロセスレシピは、下層や界面へのダメージを最小限に抑えながら、ターゲット材料の正確な除去を可能にし、最適なデバイス性能と信頼性を保証します。
異方性エッチングとサイドウォール制御：サイドウォールの粗さを最小限に抑えて垂直なサイドウォールを形成する異方性エッチングは、正確な寸法とプロファイルを持つ高度な半導体構造を製造するために不可欠です。リアクティブイオンエッチング（RIE）やディープリアクティブイオンエッチング（DRIE）などの高度なプラズマエッチング技術は、精密な側壁制御とプロファイルのカスタマイズを可能にし、FinFET、ナノワイヤ、3Dメモリ構造などの複雑なデバイスアーキテクチャの製造を容易にします。
ダメージフリーエッチングとLow-K誘電体保護：信号遅延やクロストークを最小限に抑えるため、半導体デバイスに低誘電率材料を使用することが増えており、このような高感度材料の完全性を維持するダメージフリーエッチング技術が重視されるようになっています。ダウンストリームプラズマエッチングや低温エッチングなどのプラズマエッチングプロセスは、イオンエネルギーと温度を低減し、低誘電体へのダメージを最小限に抑え、電気的特性を維持します。
エッチング深さの均一性とウエハー間のばらつき：均一なエッチング深さを達成し、ウェーハ間のばらつきを最小限に抑えることは、半導体製造において一貫したデバイス性能と歩留まりを確保するために不可欠です。先進のプラズマエッチングシステムは、光学発光分光法（OES）や終点検出などのリアルタイムプロセス監視および制御機能を組み込んでおり、正確なエッチング深さの均一性を達成し、ウェーハ間のばらつきを最小限に抑えることで、プロセスの再現性と歩留まりを向上させます。
高アスペクト比エッチングと貫通電極（TSV）製造：スルーシリコン・ビア（TSV）や微小電気機械システム（MEMS）のような高アスペクト比構造の需要が増加しているため、高アスペクト比で深く狭いフィーチャをエッチングできるプラズマ・エッチング技術が必要とされています。ディープシリコンエッチング（DSE）とボッシュプロセスベースのエッチングは、サイドウォールのプロファイル、アスペクト比、エッチング深さを正確に制御して TSV と MEMS デバイスを製造することを可能にし、3D デバイスアーキテクチャと異種集積の統合を促進します。
本レポートの必要性
半導体産業は技術革新の最前線に位置し、家電からヘルスケア、自動車に至るまで、さまざまな分野の進歩を牽引している。半導体製造の中心にはプラズマエッチングという複雑なプロセスがあり、これはデバイス製造の重要なステップで、最新の半導体デバイスの複雑な特徴と構造を定義します。より小さく、より速く、よりエネルギー効率の高い電子機器への需要が急増し続ける中、先進的な半導体デバイスの製造を可能にする半導体プラズマエッチングの重要性は、いくら強調してもし過ぎることはありません。
プラズマエッチングは、比類のない精度と制御で半導体基板から材料層を選択的に除去することにより、半導体デバイスの製造において極めて重要な役割を果たしている。荷電粒子で構成される高度にイオン化された気体であるプラズマのユニークな特性を利用することで、半導体メーカーは次世代電子アプリケーションに不可欠なサブミクロンのフィーチャーサイズと複雑なデバイスアーキテクチャを実現することができる。ロジックやメモリー・チップから先進的なセンサーやパワー・デバイスに至るまで、プラズマ・エッチング技術は、現代生活の事実上あらゆる場面でイノベーションを推進する幅広い半導体製品の開発を支えている。
急速な技術進歩と市場ニーズの高まりを背景に、半導体プラズマエッチングの状況はかつてない進化と革新を遂げている。装置メーカー、材料サプライヤー、半導体企業は、半導体デバイスの複雑化と性能要件に対応するため、プラズマエッチング技術の限界に挑戦し続けています。プロセスの均一性と生産性の向上から、エッチング可能な材料とデバイス構造の範囲の拡大まで、半導体プラズマエッチング業界は技術革新の最前線にあり、進歩を推進し、エレクトロニクスの未来を形成しています。
半導体プラズマエッチングに関するこの包括的なレポートでは、プラズマエッチング技術の複雑さを掘り下げ、その基本原理、主要なアプリケーション、業界を形成する新たなトレンドを探ります。市場ダイナミクス、技術革新、競合状況の詳細な分析を通じて、本レポートは半導体エコシステム全体の関係者に貴重な洞察と戦略的情報を提供します。半導体装置メーカー、材料サプライヤー、半導体企業、業界アナリストのいずれであっても、本レポートは半導体プラズマエッチングのダイナミックな分野における最新動向と機会を理解するための包括的なガイドとなります。
本レポートについて
本レポートは、市場規模、成長促進要因、課題、機会など、半導体プラズマエッチング市場を包括的に分析した150ページのレポートです。競争環境、主要企業の評価、製品タイプ別、用途別、地域別の市場区分。
主要セグメントを現在と過去の市場シェアとともに予測しています：
本レポートでは、シリコン、化合物半導体、誘電体、金属、その他の材料のエッチングを含む、半導体製造におけるプラズマエッチングの幅広いアプリケーションを調査しています。ロジックデバイス、メモリーデバイス、センサー、パワーデバイス、その他の半導体製品における具体的なアプリケーション。
新興アプリケーション、市場動向、成長機会など、半導体プラズマエッチング技術の将来展望を詳細に洞察。
目次
目次
第1章 序論 1-1
1.1 本報告書の必要性 1-1
第2章 執行要約 2-1
2.1 技術的課題の要約 2-1
2.2 ユーザー課題の要約 2-2
2.3 供給者課題の要約 2-3
2.4 市場予測の要約 2-4
第3章 技術的課題と動向 3-1
3.1 序論 3-1
3.2 プロセス課題 3-14
3.2.1 塩素対フッ素プロセス 3-19
3.2.2 多層構造 3-32
3.2.3 新規材料 3-42
3.2.4 GaAs加工 3-45
3.3 プラズマストリッピング 3-46
3.3.1 フォトレジストストリッピング 3-46
3.3.2 低K除去 3-67
3.4 安全問題 3-68
3.4.1 システム設計上の考慮事項 3-68
3.4.2 ガス取り扱い 3-69
3.4.3 リアクター清掃 3-71
第4章 市場予測 4-1
4.1 技術動向が装置市場に与える影響 4-1
4.2 市場予測の仮定 4-5
4.3 市場予測 4-6
第5章 戦略的課題：ユーザー 5-1
5.1 ユーザーニーズの評価 5-1
5.1.1 デバイスアーキテクチャ 5-1
5.1.2 ウェハスタートとスループット要件 5-5
5.1.3 ウェハサイズ 5-6
5.2 ベンダーのベンチマーク 5-7
5.2.1 価格設定 5-7
5.2.2 ベンダーのコミットメントと姿勢 5-9
5.2.3 ベンダーの能力 5-10
5.2.4 システムの能力 5-12
5.3 コスト分析 5-14
5.3.1 機器価格 5-14
5.3.2 設置コスト 5-17
5.3.3 メンテナンスコスト 5-18
5.3.4 維持コスト 5-19
5.3.5 隠れたコスト 5-19
5.4 ユーザーとサプライヤーのシナジー 5-20
5.4.1 機器評価時のフィードバック 5-20
5.4.2 デバイス製造時のフィードバック 5-21
第6章 戦略的課題：サプライヤー 6-1
6.1 競争 6-1
6.2 顧客との相互作用 6-3
6.2.1 顧客サポート 6-3
6.2.2 アプリケーションラボにおけるクリーンルームの要件 6-6
6.3 クラス1クリーンルームにおける機器の互換性 6-7
6.3.1 設置面積とメンテナンス性 6-7
6.3.2 粒子発生 6-7
6.3.3 自動化 6-17
6.3.4 エッチングツール 6-20
図表リスト図のリスト
3.1 各種強化設計 (a) ヘリコン、(b) 複数ECR、(c) ヘリカル共振器 3-4
3.2 誘導結合プラズマ源の模式図 3-6
3.3 HRe源の模式図 3-9
3.4 ディポール磁石源の模式図 3-10
3.5 化学的ダウンストリームエッチングの模式図 3-11
3.6 シリコントレンチ構造 3-21
3.7 フィン/STIエッチング要件 3-34
3.8 フィンFETゲートエッチング要件 3-36
3.9 デュアルダマスケン絶縁体エッチングアプローチ 3-38
4.1 ダイナミックRAMの最小特徴サイズ動向 4-4
4.2 ドライエッチング装置の市場シェア 4-7
4.3 ストリップ装置の市場シェア 4-10
4.4 エッチング販売のタイプ別分布 4-14
4.5 エッチング販売のデバイス別分布 4-16
4.6 装置購入の地理的分布 4-18
5.1 典型的な初年度単一ウェハシステムコスト分析 5-16
6.1 デバイス収率と粒子の関係 6-9
6.2 粒子の発生源 6-12
6.3 ダイ収率とチップサイズの関連性 6-16
表の一覧
3.1 シリコンウェハの使用状況 3-2
3.2 プラズマソースの比較 3-13
3.3 典型的なプロセス仕様 3-18
4.1 世界的なドライエッチング市場シェア 4-8
4.2 世界的なドライストリップ市場シェア 4-11
4.3 プラズマエッチングシステムの全世界市場予測 4-12
4.4 ベンダー別デバイス別エッチング販売の分布 4-15
4.5 エッチング対象の層数 4-19
5.1 ダイナミックRAMの統合レベル 5-3
5.2 ロジックデバイスのインターコネクトレベル 5-4
6.1 エッチングプロセス仕様 6-21
SummaryThis report addresses the strategic issues impacting both the user and supplier of plasma etching equipment to the semiconductor industry. Markets for dry etching and stripping are analyzed and projected. Market shares of suppliers of etch and strip equipment are presented Driving Forces
Semiconductor plasma etching, a critical process in semiconductor manufacturing, is driven by a multitude of factors that reflect the evolving demands of the industry, technological advancements, and market dynamics. These driving forces encompass various aspects of semiconductor fabrication and the broader semiconductor ecosystem:
Device Scaling and Miniaturization: With the relentless pursuit of Moore's Law and the demand for smaller, more powerful semiconductor devices, there is a continuous need to shrink feature sizes and increase device density. Plasma etching enables precise pattern transfer at nanometer scales, facilitating the fabrication of advanced semiconductor structures with high precision and accuracy.
Complex Device Architectures: The evolution of semiconductor devices towards increasingly complex architectures, such as FinFETs, 3D NAND flash memory, and multi-layer interconnects, necessitates advanced etching techniques to achieve the desired device geometries and functionality. Plasma etching offers the flexibility and control required to pattern intricate device structures with multiple layers and dimensions.
Material Compatibility and Selectivity: As semiconductor materials diversify and compound semiconductor devices gain prominence, there is a growing need for plasma etching processes that can effectively etch a wide range of materials while maintaining high selectivity and uniformity. The development of specialized etching chemistries and process recipes enables precise control over material removal rates and sidewall profiles, ensuring optimal device performance and reliability.
Yield Enhancement and Process Control: Semiconductor manufacturers place a premium on yield enhancement and process control to minimize defects, improve device performance, and optimize production efficiency. Plasma etching plays a critical role in achieving these objectives by enabling precise pattern transfer with minimal variability, thereby reducing defect density,enhancing device uniformity, and maximizing wafer yields.
Emerging Applications and Technologies: The proliferation of emerging applications and technologies, such as 5G wireless communication, artificial intelligence (AI), Internet of Things(IoT), and autonomous vehicles, drives demand for semiconductor devices with specific performance characteristics and functionality. Plasma etching enables the customization and optimization of device structures to meet the requirements of these applications, opening up new market opportunities and driving innovation in semiconductor manufacturing.
Market Competition and Technological Innovation: The semiconductor industry is highly competitive, with manufacturers vying for market share, technological leadership, and innovation. Continuous advancements in plasma etching equipment, materials, and process technologies are driven by intense market competition, pushing the boundaries of etching capabilities and performance to meet evolving customer demands and gain competitive advantage.
Trends
Technological trends in semiconductor plasma etching are continuously evolving to address the growing demands of the semiconductor industry for higher performance, increased functionality, and enhanced manufacturability. Several key trends are driving innovation in plasma etching technologies:
Sub-Nanometer Feature Control: With the ongoing push towards smaller feature sizes and higher device densities, there is a critical need for plasma etching techniques capable of achieving sub-nanometer feature control. Advanced plasma sources, such as inductively coupled plasma (ICP) and electron cyclotron resonance (ECR), enable precise control over ion energy and flux, facilitating the etching of ultrafine features with sub-nanometer accuracy.
Selective Etching and Material Compatibility: As semiconductor devices incorporate a wider range of materials, including compound semiconductors, dielectrics, and metals, there is a growing demand for plasma etching processes that offer high selectivity and compatibility with diverse materials. Selective etching chemistries and process recipes enable the precise removal of target materials while minimizing damage to underlying layers and interfaces, ensuring optimal device performance and reliability.
Anisotropic Etching and Sidewall Control: Anisotropic etching, which produces vertical sidewalls with minimal sidewall roughness, is essential for fabricating advanced semiconductor structures with precise dimensions and profiles. Advanced plasma etching techniques, such as reactive ion etching (RIE) and deep reactive ion etching (DRIE), enable precise sidewall control and profile customization, facilitating the fabrication of complex device architectures, such as FinFETs,nanowires, and 3D memory structures.
Damage-Free Etching and Low-K Dielectric Preservation: With the increasing use of low-k dielectric materials in semiconductor devices to minimize signal delay and crosstalk, there is a growing emphasis on damage-free etching techniques that preserve the integrity of these sensitive materials. Plasma etching processes, such as downstream plasma etching and cryogenic etching, offer reduced ion energy and temperature, minimizing damage to low-k dielectrics and preserving their electrical properties.
Etch-Depth Uniformity and Across-Wafer Variability: Achieving uniform etch depths and minimizing across-wafer variability are critical for ensuring consistent device performance and yield in semiconductor manufacturing. Advanced plasma etching systems incorporate real-time process monitoring and control capabilities, such as optical emission spectroscopy (OES) and endpoint detection, to achieve precise etch-depth uniformity and minimize variations across the wafer, enhancing process repeatability and yield.
High-Aspect-Ratio Etching and Through-Silicon Via (TSV) Fabrication: The increasing demand for high-aspect-ratio structures, such as through-silicon vias (TSVs) and microelectromechanical systems (MEMS), requires plasma etching techniques capable of etching deep, narrow features with high aspect ratios. Deep silicon etching (DSE) and Bosch process-based etching enable the fabrication of TSVs and MEMS devices with precise control over sidewall profiles, aspect ratios,and etch depths, facilitating the integration of 3D device architectures and heterogeneous integration.
The Need for This Report
The semiconductor industry stands at the forefront of technological innovation, driving progress across various sectors from consumer electronics to healthcare and automotive. At the heart of semiconductor manufacturing lies the intricate process of plasma etching, a critical step in device fabrication that defines the intricate features and structures of modern semiconductor devices. As the demand for smaller, faster, and more energy-efficient electronic devices continues to soar, the importance of semiconductor plasma etching in enabling the production of advanced semiconductor devices cannot be overstated.
Plasma etching plays a pivotal role in the fabrication of semiconductor devices by selectively removing material layers from semiconductor substrates with unparalleled precision and control. By harnessing the unique properties of plasma—a highly ionized gas composed of charged particles—semiconductor manufacturers can achieve sub-micron feature sizes and complex device architectures essential for next-generation electronic applications. From logic and memory chips to advanced sensors and power devices, plasma etching technology underpins the development of a wide range of semiconductor products that drive innovation in virtually every aspect of modern life.
Against the backdrop of rapid technological advancements and growing market demands, the semiconductor plasma etching landscape is witnessing unprecedented evolution and innovation. Equipment manufacturers, materials suppliers, and semiconductor companies alike are continually pushing the boundaries of plasma etching technology to address the increasing complexity and performance requirements of semiconductor devices. From enhancing process uniformity and productivity to expanding the range of materials and device structures that can be etched, the semiconductor plasma etching industry is at the forefront of innovation, driving progress and shaping the future of electronics.
In this comprehensive report on semiconductor plasma etching, we delve into the intricacies of plasma etching technology, exploring its fundamental principles, key applications, and emerging trends shaping the industry. Through a detailed analysis of market dynamics, technological innovations, and competitive landscape, this report provides valuable insights and strategic intelligence for stakeholders across the semiconductor ecosystem. Whether you are a semiconductor equipment manufacturer, materials supplier, semiconductor company, or industry analyst, this report serves as a comprehensive guide to understanding the latest developments and opportunities in the dynamic field of semiconductor plasma etching.
About This Report
This 150-page report provides a comprehensive analysis of the semiconductor plasma etching market, including market size, growth drivers, challenges, and opportunities. Assessment of the competitive landscape, key players, market segmentation by product type, application, and geography.
Major segments are forecast with current and historic market shares are:
This report explores the wide range of applications of plasma etching in semiconductor manufacturing, including etching of silicon, compound semiconductors, dielectrics, metals, and other materials. Specific applications in logic devices, memory devices, sensors, power devices,and other semiconductor products.
Insights into the future outlook for semiconductor plasma etching technology, including emerging applications, market trends, and growth opportunities are detailed.
Table of Contents
Table of Contents
Chapter 1 Introduction 1-1
1.1 The Need For This Report 1-1
Chapter 2 Executive Summary 2-1
2.1 Summary of Technical Issues 2-1
2.2 Summary of User Issues 2-2
2.3 Summary of Supplier Issues 2-3
2.4 Summary of Market Forecasts 2-4
Chapter 3 Technical Issues and Trends 3-1
3.1 Introduction 3-1
3.2 Processing Issues 3-14
3.2.1 Chlorine Versus Fluorine Processes 3-19
3.2.2 Multilevel Structures 3-32
3.2.3 New Materials 3-42
3.2.4 GaAs Processing 3-45
3.3 Plasma Stripping 3-46
3.3.1 Photoresist Stripping 3-46
3.3.2 Low-K Removal 3-67
3.4 Safety Issues 3-68
3.4.1 System Design Considerations 3-68
3.4.2 Gas Handling 3-69
3.4.3 Reactor Cleaning 3-71
Chapter 4 Market Forecast 4-1
4.1 Influence of Technology Trends on the Equipment Market 4-1
4.2 Market Forecast Assumptions 4-5
4.3 Market Forecast 4-6
Chapter 5 Strategic Issues: Users 5-1
5.1 Evaluating User Needs 5-1
5.1.1 Device Architecture 5-1
5.1.2 Wafer Starts and Throughput Requirements 5-5
5.1.3 Wafer Size 5-6
5.2 Benchmarking a Vendor 5-7
5.2.1 Pricing 5-7
5.2.2 Vendor Commitment and Attitudes 5-9
5.2.3 Vendor Capabilities 5-10
5.2.4 System Capabilities 5-12
5.3 Cost Analysis 5-14
5.3.1 Equipment Price 5-14
5.3.2 Installation Costs 5-17
5.3.3 Maintenance Costs 5-18
5.3.4 Sustaining Costs 5-19
5.3.5 Hidden Costs 5-19
5.4 User - Supplier Synergy 5-20
5.4.1 Feedback During Equipment Evaluation 5-20
5.4.2 Feedback During Device Production 5-21
Chapter 6 Strategic Issues: Suppliers 6-1
6.1 Competition 6-1
6.2 Customer Interaction 6-3
6.2.1 Customer Support 6-3
6.2.2 Cleanroom Needs in the Applications Lab 6-6
6.3 Equipment Compatibility in Class 1 Cleanrooms 6-7
6.3.1 Footprint Versus Serviceability 6-7
6.3.2 Particulate Generation 6-7
6.3.3 Automation 6-17
6.3.4 Etch Tools 6-20
List of Tables/GraphsList of Figures
3.1 Various Enhanced Designs (a) Helicon, (b) Multiple
ECR, (c) Helical Resonator 3-4
3.2 Schematic of Inductively Coupled Plasma Source 3-6
3.3 Schematic of the HRe Source 3-9
3.4 Schematic of the Dipole Magnet Source 3-10
3.5 Schematic of Chemical Downstream Etch 3-11
3.6 Silicon Trench Structure 3-21
3.7 fin/STI Etch Requirements 3-34
3.8 FinFET Gate Etch Requirements 3-36
3.9 Dual Damascene Dielectric Etch Approaches 3-38
4.1 Trends in Minimum Feature Size for Dynamic RAMS 4-4
4.2 Market Shares for Dry Etch Equipment 4-7
4.3 Market Shares for Strip Equipment 4-10
4.4 Distribution of Etch Sales by Type 4-14
4.5 Distribution of Etch Sales by Device 4-16
4.6 Geographical Distribution of Equipment Purchases 4-18
5.1 Typical First Year Single Wafer System Cost Analysis 5-16
6.1 Relationship Between Device Yield and Particles 6-9
6.2 Sources of Particles 6-12
6.3 Relationship Between Die Yield and Chip Size 6-16
List of Tables
3.1 Silicon Wafer Usage 3-2
3.2 Plasma Source Comparison 3-13
3.3 Typical Process Specifications 3-18
4.1 Worldwide Dry Etch Market Shares 4-8
4.2 Worldwide Dry Strip Market Shares 4-11
4.3 Worldwide Market Forecast of Plasma Etching Systems 4-12
4.4 Distribution of Etch Sales by Device by Vendor 4-15
4.5 Number of Layers To Be Etched 4-19
5.1 Levels of Integration of Dynamic Rams 5-3
5.2 Interconnect Levels of Logic Devices 5-4
6.1 Etch Process Specifications 6-21
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