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プラズマエッチング:市場分析と戦略課題


Plasma Etching: Market Analysis and Strategic Issues

この調査レポートは、プラズマエッチングから半導体産業までのユーザとサプライヤの両方に影響を与える戦略的課題について解説しています。ドライエッチングとストリッピング市場の分析と予測も行っています。 もっと見る

 

 

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2024年6月21日 US$4,995
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サマリー

この調査レポートは、プラズマエッチングから半導体産業までのユーザとサプライヤの両方に影響を与える戦略的課題について解説しています。ドライエッチングとストリッピング市場の分析と予測も行っています。

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目次

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第1章 はじめに 1-1


1.1 本レポートの必要性 1-1


第2章 エグゼクティブ・サマリー 2-1


2.1 技術的問題のまとめ 2-1
2.2 ユーザー問題のまとめ 2-2
2.3 サプライヤー問題のまとめ 2-3
2.4 市場予測のまとめ 2-4


第3章 技術的課題と動向 3-1


3.1 はじめに 3-1
3.2 処理に関する問題 3-14
3.2.1 塩素プロセスとフッ素プロセス 3-19
3.2.2 マルチレベル構造 3-32
3.2.3 新材料 3-42
3.2.4 GaAsプロセス 3-45
3.3 プラズマ剥離 3-46
3.3.1 フォトレジスト剥離 3-46
3.3.2 Low-K除去 3-67
3.4 安全性の問題 3-68
3.4.1 システム設計上の考慮事項 3-68
3.4.2 ガス処理 3-69
3.4.3 リアクターの洗浄 3-71


第4章 市場予測 4-1


4.1 技術動向が機器市場に与える影響 4-1
4.2 市場予測の前提 4-5
4.3 市場予測 4-6


第5章 戦略的課題ユーザー 5-1


5.1 ユーザー・ニーズの評価 5-1
5.1.1 デバイス・アーキテクチャ 5-1
5.1.2 ウェーハスタートとスループット要件 5-5
5.1.3 ウエハーサイズ 5-6
5.2 ベンダーのベンチマーク 5-7
5.2.1 価格設定 5-7
5.2.2 ベンダーのコミットメントと姿勢 5-9
5.2.3 ベンダーの能力 5-10
5.2.4 システム能力 5-12
5.3 コスト分析 5-14
5.3.1 装置価格 5-14
5.3.2 導入コスト 5-17
5.3.3 保守費用 5-18
5.3.4 維持コスト 5-19
5.3.5 隠れたコスト 5-19
5.4 ユーザーとサプライヤーの相乗効果 5-20
5.4.1 機器評価時のフィードバック 5-20
5.4.2 機器製造時のフィードバック 5-21


第6章 戦略的課題サプライヤー 6-1


6.1 競争 6-1
6.2 顧客との交流 6-3
6.2.1 顧客サポート 6-3
6.2.2 アプリケーションラボにおけるクリーンルームのニーズ 6-6
6.3 クラス1クリーンルームにおける機器の互換性 6-7
6.3.1 フットプリントと保守性 6-7
6.3.2 微粒子発生 6-7
6.3.3 自動化 6-17
6.3.4 エッチングツール 6-20

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図表リスト

図表一覧


3.1 様々な強化設計 (a) ヘリコン、(b) マルチプルECR、(c) ヘリカル共振器 3-4
3.2 誘導結合プラズマ源の概略図 3-6
3.3 HReソースの概略図 3-9
3.4 双極磁石ソースの概略図 3-10
3.5 化学下流エッチングの概略図 3-11
3.6 シリコントレンチ構造 3-21
3.7 Fin/STIエッチングの要件 3-34
3.8 FinFETゲートエッチングの要件 3-36
3.9 デュアルダマシンエッチングアプローチ 3-38
4.1 ダイナミックRAMSの最小フィーチャーサイズの傾向 4-4
4.2 ドライエッチング装置の市場シェア 4-7
4.3 ストリップ装置の市場シェア 4-10
4.4 タイプ別エッチング売上高分布 4-14
4.5 装置別エッチング売上高分布 4-16
4.6 装置購入の地域別分布 4-18
5.1 代表的な初年度枚葉システムコスト分析 5-16
6.1 デバイスの歩留まりとパーティクルの関係 6-9
6.2 パーティクルの発生源 6-12
6.3 ダイ歩留まりとチップサイズの関係 6-16


テーブル一覧


3.1 シリコンウェハーの使用 3-2
3.2 プラズマソースの比較 3-13
3.3 代表的なプロセス仕様 3-18
4.1 世界のドライエッチング市場シェア 4-8
4.2 世界のドライストリップ市場シェア 4-11
4.3 プラズマエッチング装置の世界市場予測 4-12
4.4 ベンダー別デバイス別エッチング売上高分布 4-15
4.5 エッチング層数 4-19
5.1 ダイナミックラムの集積レベル 5-3
5.2 ロジックデバイスの相互接続レベル 5-4
6.1 エッチングプロセス仕様 6-21

 

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Summary

This report addresses the strategic issues impacting both the user and supplier of plasma etching equipment to the semiconductor industry. Markets for dry etching and stripping are analyzed and projected. Market shares of suppliers of etch and strip equipment are presented.

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Table of Contents

Chapter 1 Introduction 1-1


1.1 The Need For This Report 1-1


Chapter 2 Executive Summary 2-1


2.1 Summary of Technical Issues 2-1
2.2 Summary of User Issues 2-2
2.3 Summary of Supplier Issues 2-3
2.4 Summary of Market Forecasts 2-4


Chapter 3 Technical Issues and Trends 3-1


3.1 Introduction 3-1
3.2 Processing Issues 3-14
3.2.1 Chlorine Versus Fluorine Processes 3-19
3.2.2 Multilevel Structures 3-32
3.2.3 New Materials 3-42
3.2.4 GaAs Processing 3-45
3.3 Plasma Stripping 3-46
3.3.1 Photoresist Stripping 3-46
3.3.2 Low-K Removal 3-67
3.4 Safety Issues 3-68
3.4.1 System Design Considerations 3-68
3.4.2 Gas Handling 3-69
3.4.3 Reactor Cleaning 3-71


Chapter 4 Market Forecast 4-1


4.1 Influence of Technology Trends on the Equipment Market 4-1
4.2 Market Forecast Assumptions 4-5
4.3 Market Forecast 4-6


Chapter 5 Strategic Issues: Users 5-1


5.1 Evaluating User Needs 5-1
5.1.1 Device Architecture 5-1
5.1.2 Wafer Starts and Throughput Requirements 5-5
5.1.3 Wafer Size 5-6
5.2 Benchmarking a Vendor 5-7
5.2.1 Pricing 5-7
5.2.2 Vendor Commitment and Attitudes 5-9
5.2.3 Vendor Capabilities 5-10
5.2.4 System Capabilities 5-12
5.3 Cost Analysis 5-14
5.3.1 Equipment Price 5-14
5.3.2 Installation Costs 5-17
5.3.3 Maintenance Costs 5-18
5.3.4 Sustaining Costs 5-19
5.3.5 Hidden Costs 5-19
5.4 User - Supplier Synergy 5-20
5.4.1 Feedback During Equipment Evaluation 5-20
5.4.2 Feedback During Device Production 5-21


Chapter 6 Strategic Issues: Suppliers 6-1


6.1 Competition 6-1
6.2 Customer Interaction 6-3
6.2.1 Customer Support 6-3
6.2.2 Cleanroom Needs in the Applications Lab 6-6
6.3 Equipment Compatibility in Class 1 Cleanrooms 6-7
6.3.1 Footprint Versus Serviceability 6-7
6.3.2 Particulate Generation 6-7
6.3.3 Automation 6-17
6.3.4 Etch Tools 6-20

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List of Tables/Graphs

List of Figures


3.1 Various Enhanced Designs (a) Helicon, (b) Multiple ECR, (c) Helical Resonator 3-4
3.2 Schematic of Inductively Coupled Plasma Source 3-6
3.3 Schematic of the HRe Source 3-9
3.4 Schematic of the Dipole Magnet Source 3-10
3.5 Schematic of Chemical Downstream Etch 3-11
3.6 Silicon Trench Structure 3-21
3.7 fin/STI Etch Requirements 3-34
3.8 FinFET Gate Etch Requirements 3-36
3.9 Dual Damascene Dielectric Etch Approaches 3-38
4.1 Trends in Minimum Feature Size for Dynamic RAMS 4-4
4.2 Market Shares for Dry Etch Equipment 4-7
4.3 Market Shares for Strip Equipment 4-10
4.4 Distribution of Etch Sales by Type 4-14
4.5 Distribution of Etch Sales by Device 4-16
4.6 Geographical Distribution of Equipment Purchases 4-18
5.1 Typical First Year Single Wafer System Cost Analysis 5-16
6.1 Relationship Between Device Yield and Particles 6-9
6.2 Sources of Particles 6-12
6.3 Relationship Between Die Yield and Chip Size 6-16


List of Tables


3.1 Silicon Wafer Usage 3-2
3.2 Plasma Source Comparison 3-13
3.3 Typical Process Specifications 3-18
4.1 Worldwide Dry Etch Market Shares 4-8
4.2 Worldwide Dry Strip Market Shares 4-11
4.3 Worldwide Market Forecast of Plasma Etching Systems 4-12
4.4 Distribution of Etch Sales by Device by Vendor 4-15
4.5 Number of Layers To Be Etched 4-19
5.1 Levels of Integration of Dynamic Rams 5-3
5.2 Interconnect Levels of Logic Devices 5-4
6.1 Etch Process Specifications 6-21

 

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