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EVパワーエレクトロニクス向け熱管理 2024-2034年:予測、技術、市場、動向


Thermal Management for EV Power Electronics 2024-2034: Forecasts, Technologies, Markets, and Trends

IDTechExは、GM、ヒュンダイ、VW、Lucid Motorsを含むいくつかの自動車OEMによって、800Vプラットフォームとそれ以上へのトレンドが高まっていることを確認している。高電圧で動作するこれらのプラットフォー... もっと見る

 

 

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IDTechEx
アイディーテックエックス
2024年3月25日 US$7,000
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257 英語

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サマリー

IDTechExは、GM、ヒュンダイ、VW、Lucid Motorsを含むいくつかの自動車OEMによって、800Vプラットフォームとそれ以上へのトレンドが高まっていることを確認している。高電圧で動作するこれらのプラットフォームは、ジュールロスを最小化することで効率を高め、高電圧ケーブルの小型化を可能にすることで軽量化を実現している。この移行は、特に炭化ケイ素(SiC)MOSFETなど、両面冷却(DSC)、先進的なAg焼結ダイ・アタッチ、高性能サーマル・インターフェイス材料の使用など、革新的な熱管理技術と材料を組み込んだ新しい技術と材料の採用によって促進されています。
 
従来のシリコンIGBTからSiC MOSFETへの移行には、熱アーキテクチャ設計の変化も伴います。その例として、DSC、銅リボンボンディング、直接液冷の実装があり、サーマルインターフェイス材(TIM)の必要性を排除しています。
 
IDTechExが発行したレポート「EVパワーエレクトロニクス向け熱管理 2024-2034:予測、技術、市場、動向」は、SiC MOSFET、Si IGBT、GaN技術別にパワーエレクトロニクスの熱管理戦略の包括的な市場予測を提供しています。本レポートでは、SiC、Si、GaN別のダイ・アタッチ、基板アタッチ、TIMの面積、数量、市場価値の詳細予測に加え、従来のはんだ、Ag焼結、新興のCu焼結を含むダイ・アタッチ方法の内訳も掲載しています。さらに、空冷、油冷、水-グリコール冷却方式別に区分した液冷インバータ市場もカバーしています。
 
パワーエレクトロニクス熱材料の進化
パワー半導体の電力密度と熱流束が増加し、Si IGBTからSiC MOSFETへの移行と相まって、パワー半導体パッケージングの熱アーキテクチャは大きな変化を遂げると予想される。提供された図は、ダイ接着材料、基板接着材料、ワイヤーボンディング、およびサーマルインターフェイス材料からなる、パワーモジュールの主要な材料レイヤーを示しています。
 
半導体ダイは、ダイ・アタッチ材料を使ってダブル・ボンド・セラミック(DBC)基板に貼り付けられます。その後、DBCは別の基板接着材料を介してベースプレートに接続される。ダイと回路間の通信はワイヤーボンディングによって行われ、従来はアルミニウムが使用されていましたが、最近では銅が好まれるようになってきています。保護と安定性を確保するため、パッケージは熱伝導性シリコーンゲルでポッティングされる。
 
ダイ・アタッチおよび基板アタッチ材料
ダイ・アタッチおよび基板アタッチ材料は通常、SnPbやSAC(Sn-Ag-Cu)などのはんだ合金で構成されています。これらの合金はバルクの熱伝導率が高く、はんだ付け時に部品間に金属間化合物を形成するため、界面熱抵抗が低くなります。これにより、ヒートシンクを機械的に固定すると同時に、パッケージの応力と処理温度を低く保つことができます。はんだ合金の一般的な熱伝導率は約50W/mKで、溶融温度は約200℃です。
 
しかし、Si IGBTからSiC MOSFETへの移行により熱流束が増加するため、接合部温度は175℃を超え、場合によっては200℃を超えることが予想され、従来のはんだでは困難が予想されます。このシフトにより、はんだから焼結ダイアタッチ材料への移行が進んでいます。Tesla、Hyundai、BYDを含む一部の大手自動車OEMは、すでにAg焼結ダイ・アタッチ材料の採用を開始している。それにもかかわらず、Ag焼結ペーストは従来のはんだ合金よりもかなり高価である。コストは顧客との関係、注文量、その他様々な要因に影響されるが、IDTechExはAg焼結ペーストは従来のはんだ合金の5倍以上になると見積もっている。短中期的には、銀焼結ペーストは、コスト削減のための大量生産で交渉力が大きいため、主に大手自動車OEMに採用されると予想される。また、Ag焼結ダイ・アタッチと比較して理論的に低コストであることから、Cu焼結ダイ・アタッチに取って代わる可能性もある。しかし、2024年現在、IDTechExはCu焼結ダイ・アタッチ材料の大規模な商業例を目にしていない。本レポートでは、AgとCu焼結ダイ・アタッチの利点と欠点を比較・分析し、これら2つの技術の市場予測を示している。焼結の利点にもかかわらず、多くの半導体サプライヤーと自動車OEMは、そのコスト削減とアプリケーションの進歩により、はんだ合金を使い続けるでしょう。
 
TIM2:
ベースプレートとヒートシンクの間に使用されるサーマルグリースと、ポッティング材として使用されることの多いサーマルゲルである。2024年の市場では、サーマルグリースの熱伝導率は通常2.5~3.5W/mK、密度は2.5g/ml程度と見られている。しかし、onsemiのVE-Tracに使用されているハネウェルのPTM7000のように、6.5W/mKの熱伝導率を示すTIMの進歩も見られる。IDTechExは、SiC技術の採用による熱流束の増加により、熱伝導率がより高くなる傾向を予測している。さらに、相変化材料(PCM)も、その優れた潜熱容量のおかげで大きな勢いを増している。PCMを使用した熱インピーダンスは、従来のサーマルグリースと比較して50%以上低減できますが、これは使用する材料や構成、その他多くの要因に大きく依存します。本レポートでは、多くの市販TIM2オプションのベンチマークを実施し、その機械的特性のきめ細かな分析を行っています。
 
パワーエレクトロニクスの冷却戦略
EVパワーエレクトロニクスの熱管理」レポートは、熱アーキテクチャの進化における新たなトレンドもまとめています。以下の2つのトレンドを例に挙げます。
1. 両面冷却(DSC): 両面冷却は、ポルシェTaycanやアウディe-tronなど、一部の中高級電気自動車に導入されています。このアプローチは、接合部温度を40%低下させることができる優れた冷却能力を提供する。しかし、両面冷却を採用すると、設計がより複雑で高価になります。片面冷却とは対照的に、DSCはワイヤーボンディングをリードフレームに置き換えるため、ダイ・アタッチとTIMの使用量が倍増する可能性がある。
2. 直接液冷: もう一つの新たなトレンドは、従来の冷却方法から、ピンフィン構造のヒートシンクにダブルボンディング銅(DBC)を直接貼り付ける直接液冷への移行です。この構成では、コールドプレートとサーマルグリースを省くことができます。
 
市場機会
本レポートでは、EV用パワーエレクトロニクス向けのダイ・アタッチ材料、基板アタッチ材料、TIM2を合わせた市場規模は、2034年までに約9億米ドルに達し、大きな市場機会をもたらすと予測している。熱出力が上昇を続ける中、より高度な熱管理戦略が採用され、2024年から2034年にかけて2桁の年間平均成長率(CAGR)で市場成長が加速すると予想される。
 
市場機会、活発なプレーヤー、競争環境、技術ベンチマーク、最近の市場動向の詳細については、IDTechExの最新レポート「EVパワーエレクトロニクス向け熱管理 2024-2034年:予測、技術、市場、動向」を参照されたい。
 
主要な側面
本レポートは、電気自動車パワーエレクトロニクス、特にSi IGBT、SiC MOSFET、GaN向けのダイアタッチはんだ、基板、TIM2の面積、体積、重量、市場価値に関する重要な市場情報を提供します。
 
  • Si IGBT、SiC MOSFET、GaNを含むパワーエレクトロニクスのレビュー。
  • ダイ・アタッチ、基板アタッチ、TIM2など、EVパワーエレクトロニクスにおけるさまざまな層のTIMの分析。
  • 自動車OEMおよび半導体サプライヤーによるSiC MOSFETサプライヤーの概要。
  • 片面冷却と両面冷却の詳細な技術分析と商用ユースケース分析。
  • はんだ、銀焼結 TIM、銅焼結 TIM を含む TIM1(ダイアタッチと基板アタッチ)の詳細な技術分析。銅焼結ペーストサプライヤーの概要。
  • Si IGBTおよびSiC MOSFETにおけるTIM2の技術分析。熱伝導率、厚さ、比重のベンチマーク比較。
  • ワイヤーボンディング技術とトレンド
  • EVパワー半導体/モジュールサプライヤの基板材料と市場シェアのレビュー。
  • 半導体サプライヤー、インバータメーカーや自動車OEMへのパワーモジュールサプライヤーを含むパワーエレクトロニクスサプライチェーンの包括的分析。
  • パワーモジュールの水冷と油冷のレビュー。
  • ダイ・アタッチ、基板アタッチ、TIM2の電力1kW当たりのTIM面積(mm2/kW)の比較。
  • 2024年から2034年までのダイアタッチ材料面積と市場価値予測。
  • 2024年から2034年までの基板実装材料面積と市場価格の予測
  • TIM2の面積と市場価格の予測:2024~2034年
  • 空冷、油冷、水冷グリコによるモーターとインバーターの冷却。

 



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目次

1. 要旨
1.1. パワーエレクトロニクスにおけるTIMの一般的な動向 (1)
1.2. パワーエレクトロニクスにおけるTIMの一般的な動向 (2)
1.3. EVパワーエレクトロニクスのどこでTIMが使用されているか
1.4. 自動車OEMとサプライヤーのSiC MOSFET
1.5. 車載用両面冷却の動向
1.6. 両面液冷への移行
1.7. 片面冷却と両面冷却の市場シェア:2024-2034年
1.8. TIM2の特性の概要
1.9. TIM2のBLT比較
1.10. ダイ・アタッチと基板アタッチの熱膨張係数(CTE)比較
1.11. TIM1の熱伝導率の比較
1.12. 年間ダイ・アタッチ面積予測(1000m2):2024-2034
1.13. タイプ別年間ダイ・アタッチ面積予測(1000m2):2024-2034
1.14. 年間基板実装面積予測(1000m2):2024-2034
1.15. 年間TIM2面積予測(1000m2):2024-2034
1.16. TIMの年間市場規模予測(百万米ドル):2024-2034
1.17. インバータ液冷戦略予測(単位:百万台):2024-2034
2. パワーエレクトロニクス熱管理の概要
2.1. パワーエレクトロニクス用TIMの概要
2.2. 冷却アプローチのまとめ - (1)
2.3. 冷却アプローチのまとめ - (2)
2.4. パワーエレクトロニクスにおける熱管理戦略 (1)
2.5. パワーエレクトロニクスにおける熱管理戦略 (2)
2.6. パワーエレクトロニクスとは?
2.7. 電気自動車におけるパワーエレクトロニクスの使用
2.8. パワーエレクトロニクス材料の進化
2.9. トランジスタの歴史とMOSFETの概要 - 熱管理への影響は?
2.10. ワイドバンドギャップ(WBG)半導体の長所と短所
2.11. シリコン、シリコンカーバイド、窒化ガリウム半導体のベンチマーク
2.12. SiC材料の利点
2.13. SiCへの移行(市場シェア2015-2023年)
2.14. 800VはすべてSiC?アウディe-トロン2018とポルシェTaycan?
2.15. SiCパワーデバイスの限界
2.16. 高電圧に到達するGaNの可能性
2.17. SiCとGaNには大きな改善の余地がある
2.18. 成長する車載用GaNデバイスサプライヤー
2.19. SiCドライブ 800Vプラットフォーム
2.20. GaNが望ましいOBC技術になる
2.21. GaNデバイスの課題
2.22. インバーターの概要
2.23. 従来のEVインバータ・パワーモジュール
2.24. インバータパッケージ設計
2.25. パワーモジュールのパッケージング
2.26. モジュール梱包材寸法
2.27. ミニマム化の傾向
2.28. シングルサイド、デュアルサイド、間接冷却、直接冷却
2.29. ベースプレート、ヒートシンク、封止材
2.30. 冷却コンセプト評価
3. 片面冷却
3.1. 片面冷却の主なまとめ
3.2. 片面冷却の利点と欠点
3.3. 片面冷却のTIM2面積はほぼ同じ
3.4. オンセミ - EliteSiCパワーモジュール
3.5. STマイクロエレクトロニクス - テスラ・モデル3
4. 両面冷却
4.1. 両面冷却(DSC)の主な概要
4.2. 両面冷却の紹介
4.3. 両面冷却の例
4.4. パワーモジュールにおける両面冷却の必要性
4.5. インフィニオンのハイブリッドパックDSC
4.6. ハイブリッドパックDSCの内部構造
4.7. onsemi - VE-Tracファミリモジュール
4.8. CRRC
4.9. 日立インバータ - 両面冷却
4.10. 車載用両面冷却の動向
4.11. 片面冷却と両面冷却の市場シェア:2024-2034年
5. tim1 - はんだと焼結金属
5.1. 概要
5.1.1. TIM1の紹介
5.1.2. フリップチップ実装のTIM1
5.1.3. 3次元半導体パッケージにおけるTIM1の動向
5.1.4. はんだTIM1とリキッドメタル
5.1.5. TIM1としてはんだ付け
5.1.6. はんだTIM1 - 反りと層間剥離の最小化 (1)
5.1.7. はんだTIM1 - 反りと層間剥離の最小化 (2)
5.1.8. デバイス・パッケージング・ダイナミクス
5.1.9. MacDermid Alpha - 自動車パワーエレクトロニクス用はんだ
5.1.10. 焼結への流れ
5.1.11. 焼結の市場ニュースと動向
5.2. Ag焼結TIM
5.2.1. メタルシート、グラファイトシートAg焼結TIM
5.2.2. Ag焼結ペーストの塗布工程
5.2.3. ダイ・アタッチ・ソリューション - 素材の概要 (1)
5.2.4. ダイ・アタッチ・ソリューション - 素材の概要 (2)
5.2.5. 銀焼結ペースト
5.2.6. はんだ合金と導電性接着剤の特性と性能
5.2.7. はんだオプションと電流ダイ・アタッチ
5.2.8. なぜスライバー焼結なのか
5.2.9. 銀焼結ペーストの性能
5.2.10. 住友ベークライト
5.2.11. ヘンケル - アタッチペースト
5.2.12. 大阪ソーダ灰 - Ag焼結ペースト
5.2.13. マクダーミド・アルファ
5.2.14. アモグリーンテック
5.2.15. 焼結ペーストサプライヤーの会社概要
5.3. 銅焼結TIM
5.3.1. 銅焼結材料
5.3.2. 銅の焼結特徴
5.3.3. 銅焼結継手の信頼性
5.3.4. グラフェン強化焼結銅TIM
5.3.5. 三菱マテリアルCu焼結体、市場参入の兆し
5.3.6. 三菱マテリアル銅合金による電力密度の向上
5.3.7. 三井物産:銅焼結は銀焼結の半分のコスト
5.3.8. 銅の焼結 - 課題
5.3.9. 金属焼結ペーストの気孔率(%)
5.3.10. 日立銅焼結ペースト
5.3.11. インジウム株式会社ナノ銅ペースト
5.3.12. 三井鉱山 - 銅焼結ペースト加圧・無加圧
5.3.13. 三井鉱山ナノ銅がN2の下に
5.3.14. 昭和電工(旧日立化成) - Cu焼結体[P
5.3.15. 昭和電工(旧日立化成) - 銅焼結体[N]、銅焼結体[F
5.3.16. 三井物産:銅焼結-銀焼結の半分のコスト
5.3.17. Cu焼結体[P]、Cu焼結体[N]、Cu焼結体[F]の概要
6. TIM2
6.1. 概要
6.1.1. Thermal Interface Material2 - Summary
6.1.2. TIM2 - IDTechEx'の有望株に関する分析TIM2
6.2. TIM2in Si IGBT
6.2.1. WhyTIM2 is Used in Power Electronics
6.2.2. Where areTIM2 Used in EV IGBTs?
6.3. TIM2EVパワーモジュールの使用例
6.3.1. インフィニオンのIGBTに搭載されたTIM
6.3.2. オンセミIGBTモジュールのTIM
6.3.3. セミクロン・ダンフォス - TIM概要
6.3.4. セミクロン ダンフォス - グラファイトTIM
6.3.5. 三菱電機 TIM - IGBTモジュール NXタイプ
6.3.6. 日産リーフ2012 Inverter
6.4. High-PerformanceTIM2s
6.4.1. アリエカ - 半導体産業向け液体金属ベースポリマーTIM
6.4.2. ジオン - 高性能TIM
6.4.3. Thermexit(ナノラミックラボ):高熱伝導性材料
6.4.4. ワッカー・ケミカル・グループのTIM
6.5. TIM2SiC MOSFET
6.5.1. SiC MOSFETとSi IGBTの比較
6.5.2. オンセミSiC MOSFETのTIM
6.5.3. インフィニオンのCoolSiCに搭載されたプリ・アップドTIM
6.5.4. インフィニオンのSiC MOSFETの熱抵抗
6.5.5. ウルフスピード
6.5.6. TIMs inウルフスピード's SiC Power Modules
6.5.7. マイクロチップ - SiC MOSFET
6.5.8. STマイクロエレクトロニクス
6.5.9. Solders asTIM2s - Package-Attach from Indium Corp
6.6. 熱界面材の除去
6.6.1. なぜTIMを排除しようとするのか?
6.6.2. サーマルグリースその他の欠点
6.6.3. TIMを排除したEVインバーターモジュール (1)
6.6.4. TIMを排除したEVインバータモジュール (2)
6.6.5. 日立DSCパッケージがアウディe-トロンに採用
7. SUMMARY OFTIM2 AND TIM1 IN POWER MODULES
7.1. 概要 ofTIM2SiC MOSFET and Si IGBT - (1)
7.2. 概要 ofTIM2SiC MOSFET and Si IGBT - (2)
7.3. 概要 ofTIM2SiC MOSFET and Si IGBT - (3)
7.4. 概要 of TIM1SiC MOSFET and Si IGBT (1)
7.5. 概要 of TIM1SiC MOSFET and Si IGBT (2)
7.6. インバータのTIMエリアはIGBTとSiCだけではない
7.7. TIM2の特性の概要
7.8. 非結合TIMの選択
7.9. TIM2のBLT比較
7.10. TIM1の熱膨張係数(CTE)の比較
7.11. TIM1の熱伝導率の比較
7.12. TIM1の温度に関する考察
7.13. TIM1 - ダイのサイズ
7.14. Summary of Die Attach Sizes:2024-2034
8. ワイヤーボンディング
8.1. ワイヤー・ボンド
8.2. Alワイヤー・ボンド: A Common Failure Point
8.3. 高度なワイヤーボンディング技術
8.4. テスラの新しい接着技術
8.5. ダイレクトリードボンディング(三ツ星)
8.6. トップシステム - ヘレウス
8.7. ダンフォス・ボンドバッファ - IGBT
8.8. サプライヤー別ワイヤーボンド技術
8.9. ワイヤボンディングのトレンド:銅線とダイレクトリードボンディング
9. 基材
9.1. セラミック基板技術の選択
9.2. セラミック基板技術の選択
9.3. 基板の材質 - 比較
9.4. Al2O3、ZTA、Si3N4基板の比較
9.5. 包装材料
9.6. 基板 - 市場浸透の鍵?
9.7. 基板面積の推定(mm2/kW)
9.8. 基板製造 - SOITECのSiC基板 (1)
9.9. ソイテックのSiC基板 (2)
9.10. メタライゼーションへのアプローチ:DPC、DBC、AMB、厚膜メタライゼーション
9.11. ダブルボンド・カッパー(DBC):長所と短所
9.12. 活性金属ろう付け(AMB):長所と短所
9.13. Si3N4基板:総合的に最高の性能と低い費用対効果
9.14. Si3N4 AgフリーAMB マーケットポジション
9.15. AlN:機械的弱点の克服
10. パワー半導体材料、デバイス、OEMのサプライチェーン
10.1. 自動車用パワーモジュール・サプライヤー市場シェア
10.2. 進化するSiC供給関係
10.3. SiC Supply Chain in2023
10.4. パワーエレクトロニクスのサプライチェーン - SiCへの流れ
10.5. パワーエレクトロニクス・サプライヤーの概要
10.6. 自動車OEM、ティアオン、パワーエレクトロニクスサプライヤーの概要 (1)
10.7. 自動車OEM、ティアオン、パワーエレクトロニクスサプライヤーの概要 (2)
10.8. 自動車OEMとサプライヤーのSiC MOSFET - 主要OEM
11. パワーエレクトロニクスの冷却水または油
11.1. 直接・間接冷却 (1)
11.2. 直接冷却と間接冷却 (2)
11.3. インバーターパッケージ冷却
11.4. インバーター直接油冷の推進要因
11.5. 油冷式インバータの利点、欠点、推進要因
11.6. 直接油冷プロジェクト
11.7. フラウンホーファーとマレリ - 直冷式インバータ
11.8. 日立 - 油冷インバータ
11.9. Jaguar I-PACE2019
11.10. ルシッド - 水冷式車載充電器
11.11. 日産リーフ
11.12. Renault Zoe2013 (Continental)
11.13. リビアン
11.14. シニアフレクソニクス - IGBTヒートシンク設計
11.15. テスラ・モデル3
11.16. VW ID
11.17. ボルグワーナー・ヒートシンク
11.18. 新たな800VプラットフォームとSiCインバータ
11.19. インバータ液冷戦略予測(単位:百万台):2024-2034
12. 使用例
12.1. 使用例直接水冷 - 日立水冷シリーズ
12.2. 使用例GaNシステムズ・ハイブリッドパック
12.3. 使用例:インフィニオン - HybridPACK™ ドライブ
12.4. ユースケース三菱J1シリーズ
12.5. 使用例:セミクロン スキム93
12.6. Use Case:ウルフスピード - Cree FM3, Cree XM 3
12.7. 使用例デンソーパワーカード
12.8. TIM2 -面積の推定STマイクロエレクトロニクス ACEPACK SMIT
12.9. オンセミ
12.10. ボッシュのSiCインバーターの進歩
12.11. インフィニオンおよびSTマイクロ・インバータ・パッケージ材料
12.12. 三菱の新しいパワーモジュール
12.13. 中国の自動車OEM - 垂直統合と現地サプライヤー
13. 予測
13.1. IGBT部品の異なる層の面積と体積の推定
13.2. 面積の推定TIM2
13.3. パワーエレクトロニクス・サプライヤーの概要EV業界で
13.4. SiC MOSFET、Si IGBTおよびGaN HEMTの面積
13.5. SiC MOSFETによるダイサイズの縮小
13.6. ダイサイズのトレンド - Si IGBTとSiC MOSFET
13.7. SiC MOSFETとSi IGBT:インバータ用ダイ面積 - mm2/kW
13.8. インバーター用Si IGBTとSi MOSFETのダイ面積をまとめた表
13.9. インバータ用SiC MOSFETとSi IGBT - mm2/kWの比較
13.10. Yearly TIM Area Forecast for EV Power Electronics (1000m2):2024-2034
13.11. TIMタイプ別年間TIM面積予測
13.12. Yearly Die Attach Area Forecast for BEV & PHEV (1000m2):2024-2034
13.13. Die Attach Area by Technology Forecast - m2:2024-2034
13.14. Yearly Die Attach Area by Vehicle Component Forecast - m2:2024-2034
13.15. Yearly Die Attach Area Forecast by Solder Type (m2):2024-2034
13.16. Market Share of Discrete and Modules:2024-2034
13.17. TIM2インバータの面積推定
13.18. YearlyTIM2 Area Forecast (m2):2024-2034
13.19. Yearly Substrate Attach Area Forecast by Tech (m2):2024-2034
13.20. Cost Forecast -TIM2, Solder Alloy Die-Attach, Solder Alloy Substrate-Attach and Ag-Sintered Paste:2024-2034
13.21. Yearly Market Size Forecast of TIM1 andTIM2 (US$ Millions):2024-2034
13.22. インバータ液冷戦略予測(単位:百万台):2024-2034

 

 

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Summary

この調査レポートでは、SiC、Si、GaN別のダイ・アタッチ、基板アタッチ、TIMの面積、数量、市場価値の詳細予測に加え、従来のはんだ、Ag焼結、新興のCu焼結を含むダイ・アタッチ方法について詳細に調査・分析しています。
 
主な掲載内容(目次より抜粋)
  • パワーエレクトロニクス熱管理
  • 片面冷却
  • 両面冷却
  • はんだと焼結金属
  • 半導体材料
  • OEMのサプライチェーン
 
Report Summary
IDTechEx has observed a growing trend towards 800V platforms and beyond, driven by several automotive OEMs including GM, Hyundai, VW, and Lucid Motors. These platforms, operating at higher voltages, are enhancing efficiency by minimizing joule losses and enabling the downsizing of high-voltage cabling, thereby reducing weight. This transition is facilitated by the adoption of new technologies and materials, particularly silicon carbide (SiC) MOSFETs, which incorporate innovative thermal management techniques and materials such as double-sided cooling (DSC), advanced Ag sintered die-attach, alongside the use of high-performance thermal interface materials.
 
Moving from traditional silicon IGBTs to SiC MOSFETs also entails changes in thermal architecture design. Examples include the implementation of DSC, copper ribbon bonding, and direct liquid cooling to eliminate the need for thermal interface materials (TIMs).
 
In its report titled "Thermal Management for EV Power Electronics 2024-2034: Forecasts, Technologies, Markets, and Trends", IDTechEx offers a comprehensive market forecast for power electronics thermal management strategies, segmented by SiC MOSFET, Si IGBT, and GaN technologies. The report provides detailed projections for die-attach, substrate-attach, and TIM area, volume, and market value by SiC, Si, and GaN, as well as a breakdown of die-attach methods including traditional solders, Ag sintering, and emerging Cu sintering. Additionally, the report covers the market for liquid-cooled inverters, segmented by air, oil, and water-glycol cooling methods.
 
Power Electronics Thermal Material Evolution
As power semiconductors experience increased power density and heat flux, coupled with the transition from Si IGBT to SiC MOSFET, the thermal architecture of power semiconductor packaging is anticipated to undergo significant changes. The diagram provided illustrates the key layers of materials in power modules, comprising die-attach materials, substrate-attach materials, wire bonding, and thermal interface materials.
 
The semiconductor dies are affixed to a double-bonded ceramic (DBC) substrate using die-attach materials. Subsequently, the DBC is connected to a baseplate via another substrate-attach material. Communication between the dies and circuitry is facilitated through wire bonding, traditionally using aluminum but with a growing preference for copper. To ensure protection and stability, the package is potted with thermally conductive silicone gels.
 
Die-attach and substrate-attach materials
Die-attach and substrate-attach materials typically consist of solder alloys like SnPb or SAC (Sn-Ag-Cu). These alloys are chosen for their high bulk thermal conductivity, and upon soldering, they form intermetallics between components, resulting in low interfacial thermal resistance. This maintains low package stress and processing temperature while also mechanically fastening the heat sink. The typical thermal conductivity of solder alloys is around 50W/mK, with melting temperatures around 200°C.
 
However, as heat flux increases due to the transition from Si IGBT to SiC MOSFET, junction temperatures are expected to surpass 175°C, or even 200°C in some cases, posing challenges for traditional solders. This shift has led to a transition from solders to sintered die-attach materials. Some leading automotive OEMs, including Tesla, Hyundai, and BYD, have already begun adopting Ag-sintered die-attach materials. Nonetheless, Ag-sintered pastes are significantly more expensive than traditional solder alloys. While costs are influenced by customer relationships, order volume, and various other factors, IDTechEx estimates that Ag-sintered pastes can be 5 times more expensive than traditional solder alloys. In the short to medium term, it is expected that silver sintered paste will primarily be adopted by leading automotive OEMs due to their greater bargaining power with higher volumes to reduce costs. There is also scope for people to replace Cu-sintered die-attach thanks to their theoretically lower costs compared with Ag-sintered die-attach. However, as of 2024, IDTechEx has not seen any large-scale commercial examples of Cu-sintered die-attach materials. This report compares and analyzes the benefits and drawbacks of Ag and Cu-sintered die-attach, along with the market forecast of these two technologies. Despite the benefits of sintering, many semiconductor suppliers and automotive OEMs will remain with solder alloys due to their reduced cost and advances happening with their application.
 
TIM2:
TIM2 typically comes in two forms in EV power semiconductors: thermal grease, employed between the baseplate and the heatsink, and thermal gel, often utilized as potting materials. The market in 2024 sees thermal greases typically exhibiting a thermal conductivity between 2.5 and 3.5W/mK and a density of around 2.5g/ml. However, there have been advancements in TIMs, such as Honeywell's PTM7000 used in onsemi's VE-Trac, demonstrating a thermal conductivity of 6.5W/mK. IDTechEx predicts a trend towards higher thermal conductivity due to the increasing heat flux resulting from the adoption of SiC technology. Further to this, phase change materials (PCM) also gain significant momentum thanks to their superior latent heat capacity. The thermal impedance using PCM can reduce by over 50% compared with traditional thermal grease, although this largely depends on the materials used, configurations, and many other factors. The report benchmarks a number of commercial TIM2 options and conducts a granular analysis of their mechanical properties.
 
Power Electronics Cooling Strategy
The Thermal Management for EV Power Electronics report also summarizes the emerging trends in thermal architecture evolution. Take the two trends below as an example.
1. Double-sided cooling (DSC): Double-sided cooling has been implemented in some mid- to high-end electric vehicles, such as the Porsche Taycan and Audi e-tron. This approach offers superior cooling capacity where the junction temperature can be reduced by 40%. However, the adoption of double-sided cooling results in a more complicated and expensive design. In contrast to single-sided cooling, DSC replaces wire bonding with lead frames and may potentially double the amount of die attach and TIM used.
2. Direct liquid cooling: Another emerging trend is the transition from traditional cooling methods to direct liquid cooling, where the double-bonded copper (DBC) is directly affixed to a pin-fin structured heatsink. This configuration allows for the elimination of the cold plate and thermal grease.
 
Market Opportunities
The report forecasts that the combined market size of die-attach materials, substrate-attach materials, and TIM2 for EV power electronics will reach approximately US$900 million by 2034, presenting significant market opportunities. As thermal power continues to rise, it is expected that more advanced thermal management strategies will be adopted, thereby accelerating market growth at a double-digit Compound Annual Growth Rate (CAGR) from 2024 to 2034.
 
For a deeper understanding of the market opportunities, active players, competitive landscape, technology benchmarking, and recent market developments, readers are encouraged to refer to IDTechEx's latest report, "Thermal Management for EV Power Electronics 2024-2034: Forecasts, Technologies, Markets, and Trends".
 
Key aspects
This report provides critical market intelligence about the area, volume, weight, and market value of die-attached solders, substrates, and TIM2s for electric vehicle power electronics, in particular, Si IGBT, SiC MOSFET, and GaN.
 
  • A review of the power electronics, including Si IGBT, SiC MOSFET, and GaN.
  • An analysis of the TIMs for different layers in EV power electronics, including die attach, substrate attach and TIM2.
  • A summary of SiC MOSFET suppliers by automotive OEMs and semiconductor suppliers.
  • An in-depth technology analysis and commercial use case analysis of single and double-sided cooling.
  • An in-depth technology analysis of TIM1s (die attach and substrate attach), including solders, silver sintered TIMs, and copper sintered TIMs. An overview of Cu sintering paste suppliers.
  • Technology analysis of TIM2 in Si IGBT and SiC MOSFET. A benchmark comparison of thermal conductivity, thickness, and specific gravity.
  • Wire bonding technologies and trends.
  • Review of substrate materials and market share of EV power semiconductor/module suppliers.
  • A comprehensive analysis of power electronics supply chain, including semiconductor suppliers, power module suppliers to inverter makers and automotive OEMs.
  • Review of water and oil cooling of power modules.
  • Comparison of TIM area per kW of power (mm2/kW) for die attach, substrate attach and TIM2.
  • Die attach material area and market value forecast from 2024 to 2034.
  • Substrate attach material area and market value forecast from 2024 to 2034.
  • TIM2 area and market value forecast from 2024 to 2034.
  • Motor and inverter cooling by air, oil, and water-glyco.

 



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Table of Contents

1. EXECUTIVE SUMMARY
1.1. General Trend of TIMs in Power Electronics (1)
1.2. General Trend of TIMs in Power Electronics (2)
1.3. Where are TIMs used in EV Power Electronics
1.4. SiC MOSFET by Automotive OEMs and Suppliers
1.5. Trend Towards Double-Sided Cooling for Automotive Applications
1.6. Transition to Double-Sided Liquid Cooling
1.7. Market Share of Single and Double-Sided Cooling: 2024-2034
1.8. Summary of TIM2 Properties
1.9. BLT Comparison of TIM2
1.10. Coefficient of Thermal Expansion (CTE) Comparison of Die-Attach and Substrate-Attach
1.11. Thermal Conductivity Comparison of TIM1s
1.12. Yearly Die Attach Area Forecast (1000m2): 2024-2034
1.13. Yearly Die Attach Area Forecast by Type (1000m2): 2024-2034
1.14. Yearly Substrate Attach Area Forecast (1000m2): 2024-2034
1.15. Yearly TIM2 Area Forecast (1000m2): 2024-2034
1.16. Yearly Market Size of TIMs Forecast (US$ Millions): 2024-2034
1.17. Inverter Liquid Cooling Strategy Forecast (Unit: Millions): 2024-2034
2. POWER ELECTRONICS THERMAL MANAGEMENT OVERVIEW
2.1. An Overview of Power Electronics TIMs
2.2. Summary of Cooling Approaches - (1)
2.3. Summary of Cooling Approaches - (2)
2.4. Thermal Management Strategies in Power Electronics (1)
2.5. Thermal Management Strategies in Power Electronics (2)
2.6. What is Power Electronics?
2.7. Power Electronics Use in Electric Vehicles
2.8. Power Electronics Material Evolution
2.9. Transistor History & MOSFET Overview - How Does it Affect Thermal Management?
2.10. Wide Bandgap (WBG) Semiconductor Advantages & Disadvantages
2.11. Benchmarking Silicon, Silicon Carbide & Gallium Nitride Semiconductors
2.12. Advantages of SiC Material
2.13. The Transition to SiC (market share 2015-2023)
2.14. Is all 800V SiC? Audi e-tron 2018 and Porsche Taycan?
2.15. Limitations of SiC Power Devices
2.16. GaN's Potential to Reach High Voltage
2.17. SiC & GaN have Substantial Room for Improvement
2.18. Automotive GaN Device Suppliers are Growing
2.19. SiC Drives 800V Platforms
2.20. GaN to Become Preferred OBC Technology
2.21. Challenges for GaN Devices
2.22. Inverter Overview
2.23. Traditional EV Inverter Power Modules
2.24. Inverter Package Designs
2.25. Power Module Packaging
2.26. Module Packaging Material Dimensions
2.27. Trends Toward Minimization
2.28. Single Side, Dual Side, Indirect, and Direct Cooling
2.29. Baseplate, Heatsink, and Encapsulation Materials
2.30. Cooling Concept Assessment
3. SINGLE-SIDED COOLING
3.1. Key Summary of Single-Sided Cooling
3.2. Benefits and Drawbacks of Single-Sided Cooling
3.3. TIM2 Area Largely Similar for Single-Sided Cooling
3.4. onsemi - EliteSiC Power Module
3.5. ST Microelectronics - Tesla Model 3
4. DOUBLE-SIDED COOLING
4.1. Key Summary of Double-Sided Cooling (DSC)
4.2. Double-Sided Cooling Introduction
4.3. Double-Sided Cooling Examples
4.4. The Need for Double-Sided Cooling in Power Modules
4.5. Infineon's HybridPACK DSC
4.6. Inner Structure of HybridPACK DSC
4.7. onsemi - VE-Trac Family modules
4.8. CRRC
4.9. Hitachi Inverter - Double-Sided Cooling
4.10. Trend Towards Double-Sided Cooling for Automotive Applications
4.11. Market Share of Single and Double-Sided Cooling: 2024-2034
5. TIM1 - SOLDER AND SINTERED METAL
5.1. Overview
5.1.1. Introduction to TIM1
5.1.2. TIM1 in Flip Chip Packaging
5.1.3. Trends of TIM1 in 3D Semiconductor Packaging
5.1.4. Solder TIM1 and Liquid Metal
5.1.5. Solders as TIM1
5.1.6. Solder TIM1 - Minimize Warpage and Delamination (1)
5.1.7. Solder TIM1 - Minimize Warpage and Delamination (2)
5.1.8. Device Packaging Dynamics
5.1.9. MacDermid Alpha - Solders for Automotive Power Electronics
5.1.10. Trend Towards Sintering
5.1.11. Market News and Trends of Sintering
5.2. Ag Sintered TIM
5.2.1. Metal Sheet, Graphite Sheet, and Ag Sintered TIM
5.2.2. Process Steps for Applying Ag Sintered Paste
5.2.3. Die-Attach Solution - Summary of Materials (1)
5.2.4. Die-Attach Solution - Summary of Materials (2)
5.2.5. Silver Sintering Paste
5.2.6. Properties and Performance of Solder Alloys and Conductive Adhesives
5.2.7. Solder Options and Current Die Attach
5.2.8. Why Sliver Sintering
5.2.9. Silver-Sintered Paste Performance
5.2.10. Sumitomo Bakelite
5.2.11. Henkel - Die Attach Paste
5.2.12. Osaka Soda - Ag Sintered Paste
5.2.13. MacDermid Alpha
5.2.14. AMOGREENTECH
5.2.15. Company Profiles for Sintered Paste Suppliers
5.3. Cu Sintered TIM
5.3.1. Cu Sinter Materials
5.3.2. Cu Sintering: Characteristics
5.3.3. Reliability of Cu Sintered Joints
5.3.4. Graphene Enhanced Sintered Copper TIMs
5.3.5. Mitsubishi Materials: Cu Sinter Material Poised for Market Entry
5.3.6. Mitsubishi Materials: Copper Alloys to Improve Power Density
5.3.7. Mitsui: Cu Sinter Half the Cost of Ag Sinter
5.3.8. Copper Sintering - Challenges
5.3.9. Porosity (%) of Metal Sinter Paste
5.3.10. Hitachi: Cu Sintering Paste
5.3.11. Indium Corporation: Nano Copper Paste
5.3.12. Mitsui Mining. - Copper Sinter Paste Pressure and Pressureless
5.3.13. Mitsui Mining: Nano Copper Under N2
5.3.14. Showa Denko, formerly Hitachi Chemical - Cu sinter [P]
5.3.15. Showa Denko, formerly Hitachi Chemical - Cu sinter [N] and Cu sinter [F]
5.3.16. Mitsui: Cu Sinter - Half the Cost of Ag Sinter
5.3.17. Summary of Cu sinter [P], Cu sinter [N], and Cu sinter [F]
6. TIM2
6.1. Overview
6.1.1. Thermal Interface Material 2 - Summary
6.1.2. TIM2 - IDTechEx's Analysis on Promising TIM2
6.2. TIM2 in Si IGBT
6.2.1. Why TIM2 is Used in Power Electronics
6.2.2. Where are TIM2 Used in EV IGBTs?
6.3. TIM2 EV Power Module Use Cases
6.3.1. TIMs in Infineon's IGBT
6.3.2. TIMs in onsemi IGBT Modules
6.3.3. Semikron Danfoss - TIM Overview
6.3.4. Semikron Danfoss - Graphite TIM
6.3.5. TIMs in Mitsubishi Electric - IGBT modules NX type
6.3.6. Nissan Leaf 2012 Inverter
6.4. High-Performance TIM2s
6.4.1. Arieca - Liquid Metal Based Polymer TIM for the Semiconductor Industry
6.4.2. Zeon - High Performance TIMs
6.4.3. Thermexit (Nanoramic Labs): High Thermal Conductivity Materials
6.4.4. TIMs from Wacker Chemical Group
6.5. TIM2 in SiC MOSFET
6.5.1. SiC MOSFETs Compared with Si IGBTs
6.5.2. TIMs in onsemi SiC MOSFET
6.5.3. Pre-Apped TIM in Infineon's CoolSiC
6.5.4. Infineon's SiC MOSFET Thermal Resistance
6.5.5. Wolfspeed
6.5.6. TIMs in Wolfspeed's SiC Power Modules
6.5.7. Microchip - SiC MOSFETs
6.5.8. STMicroelectronics
6.5.9. Solders as TIM2s - Package-Attach from Indium Corp
6.6. Removing Thermal Interface Material
6.6.1. Why the Drive to Eliminate the TIM?
6.6.2. Thermal Grease: Other Shortcomings
6.6.3. EV Inverter Modules Where TIM has Been Eliminated (1)
6.6.4. EV Inverter Modules Where TIM has Been Eliminated (2)
6.6.5. Hitachi DSC package used in Audi e-Tron
7. SUMMARY OF TIM2 AND TIM1 IN POWER MODULES
7.1. Overview of TIM2 in SiC MOSFET and Si IGBT - (1)
7.2. Overview of TIM2 in SiC MOSFET and Si IGBT - (2)
7.3. Overview of TIM2 in SiC MOSFET and Si IGBT - (3)
7.4. Overview of TIM1 in SiC MOSFET and Si IGBT (1)
7.5. Overview of TIM1 in SiC MOSFET and Si IGBT (2)
7.6. IGBTs and SiC are not the Only TIM Area in Inverters
7.7. Summary of TIM2 Properties
7.8. Choice of Non-Bonded TIMs
7.9. BLT Comparison of TIM2
7.10. Coefficient of Thermal Expansion (CTE) Comparison of TIM1
7.11. Thermal Conductivity Comparison of TIM1s
7.12. Temperature Considerations of TIM1s
7.13. TIM1 - Size of the Die
7.14. Summary of Die Attach Sizes: 2024-2034
8. WIRE BONDING
8.1. Wire Bonds
8.2. Al Wire Bonds: A Common Failure Point
8.3. Advanced Wire Bonding Techniques
8.4. Tesla's Novel Bonding Technique
8.5. Direct Lead Bonding (Mitsubshi)
8.6. Die Top System - Heraeus
8.7. Danfoss Bond Buffer - IGBT
8.8. Wire Bond Technology by Supplier
8.9. Wire Bond Trend: Copper Wire and Direct Lead Bonding
9. SUBSTRATE MATERIALS
9.1. The Choice of Ceramic Substrate Technology
9.2. The Choice of Ceramic Substrate Technology
9.3. Materials of Substrate - Comparison
9.4. Comparison of Al2O3, ZTA, and Si3N4 Substrate
9.5. Materials in Packaging
9.6. Substrate - Key for Market Penetration?
9.7. Substrate Area Estimation (mm2/kW)
9.8. Substrate Manufacturing - SOITEC's SiC Substrates (1)
9.9. SOITEC's SiC Substrates (2)
9.10. Approaches to Metallization: DPC, DBC, AMB and Thick Film Metallization
9.11. Double Bonded Copper (DBC): Pros and Cons
9.12. Active Metal Brazing (AMB): Pros and Cons
9.13. Si3N4 Substrate: Overall Best Performance with Low Cost-Effectiveness
9.14. Si3N4 Ag Free AMB Market Position
9.15. AlN: Overcoming its Mechanical Weakness
10. SUPPLY CHAIN FOR POWER SEMICONDUCTOR MATERIALS, DEVICES & OEMS
10.1. Automotive Power Module Supplier Market Shares
10.2. Evolving SiC Supply Relationships
10.3. SiC Supply Chain in 2023
10.4. Power Electronics Supply Chain - Trend Towards SiC
10.5. Summary of Power Electronics Supplier
10.6. Summary of Automotive OEMs, Tier Ones and Power Electronics Suppliers (1)
10.7. Summary of Automotive OEMs, Tier Ones and Power Electronics Suppliers (2)
10.8. SiC MOSFET by Automotive OEMs and Suppliers - Leading OEMs
11. COOLING POWER ELECTRONICS: WATER OR OIL
11.1. Direct and Indirect Cooling (1)
11.2. Direct and Indirect Cooling (2)
11.3. Inverter Package Cooling
11.4. Drivers for Direct Oil Cooling of Inverters
11.5. Advantages, Disadvantages and Drivers for Oil Cooled Inverters
11.6. Direct Oil Cooling Projects
11.7. Fraunhofer and Marelli - Directly Cooled Inverter
11.8. Hitachi - Oil Cooled Inverter
11.9. Jaguar I-PACE 2019
11.10. Lucid - Water Cooled Onboard Charger
11.11. Nissan Leaf
11.12. Renault Zoe 2013 (Continental)
11.13. Rivian
11.14. Senior Flexonics - IGBT Heat Sink Design
11.15. Tesla Model 3
11.16. VW ID
11.17. BorgWarner Heat Sinks
11.18. Emerging 800V Platforms & SiC Inverters
11.19. Inverter Liquid Cooling Strategy Forecast (Unit: Millions): 2024-2034
12. USE CASES
12.1. Use Case: Direct Water Cooling - Hitachi Suijin Series
12.2. Use Case: GaN Systems HybridPack
12.3. Use Case: Infineon - HybridPACK™ Drive
12.4. Use Case: Mitsubishi J1-Series
12.5. Use Case: Semikron Skim 93
12.6. Use Case: Wolfspeed - Cree FM3, Cree XM 3
12.7. Use Case: Denso Power Card
12.8. TIM2 - Area Estimation of STMicroelectronics ACEPACK SMIT
12.9. onsemi
12.10. Bosch's SiC Inverter Progress
12.11. Infineon and STMicro Inverter Package Materials
12.12. New Power Modules from Mitsubishi
12.13. Chinese Automotive OEMs - Vertical Integration and Local Suppliers
13. FORECASTS
13.1. Area and Volume Estimation of Different Layers in IGBT Components
13.2. Area Estimation of TIM2
13.3. Summary of Power Electronics Supplier in EV Industry
13.4. Area of SiC MOSFET, Si IGBT and GaN HEMT
13.5. Shrinking Die Sizes with SiC MOSFETs
13.6. Trend of Die Sizes - Si IGBT and SiC MOSFET
13.7. SiC MOSFET and Si IGBT: Die Area for Inverters - mm2/kW
13.8. Table Summarizing the Si IGBT and Si MOSFET Die Area for Inverters
13.9. SiC MOSFET and Si IGBT - mm2/kW Comparison for Inverters
13.10. Yearly TIM Area Forecast for EV Power Electronics (1000m2): 2024-2034
13.11. Yearly TIM Area Forecast by TIM Type
13.12. Yearly Die Attach Area Forecast for BEV & PHEV (1000m2): 2024-2034
13.13. Die Attach Area by Technology Forecast - m2: 2024-2034
13.14. Yearly Die Attach Area by Vehicle Component Forecast - m2: 2024-2034
13.15. Yearly Die Attach Area Forecast by Solder Type (m2): 2024-2034
13.16. Market Share of Discrete and Modules: 2024-2034
13.17. TIM2 Area Estimation for Inverters
13.18. Yearly TIM2 Area Forecast (m2): 2024-2034
13.19. Yearly Substrate Attach Area Forecast by Tech (m2): 2024-2034
13.20. Cost Forecast - TIM2, Solder Alloy Die-Attach, Solder Alloy Substrate-Attach and Ag-Sintered Paste: 2024-2034
13.21. Yearly Market Size Forecast of TIM1 and TIM2 (US$ Millions): 2024-2034
13.22. Inverter Liquid Cooling Strategy Forecast (Unit: Millions): 2024-2034

 

 

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