SiCウェハ研磨の世界市場 - 2024-2031Global SiC Wafer Polishing Market - 2024-2031 概要 SiCウェハ研磨の世界市場は2023年に3億米ドルに達し、2031年には38億米ドルに達すると予測され、予測期間2024-2031年のCAGRは37.3%で成長する。 パワーエレクトロニクス、自動車、通信、再生可能エネルギ... もっと見る
サマリー概要SiCウェハ研磨の世界市場は2023年に3億米ドルに達し、2031年には38億米ドルに達すると予測され、予測期間2024-2031年のCAGRは37.3%で成長する。 パワーエレクトロニクス、自動車、通信、再生可能エネルギーなど様々な産業でSiCベースの半導体デバイスの採用が増加しており、予測期間中の市場成長を後押ししている。SiCウエハは、その優れた電気特性と耐久性により、高性能パワーエレクトロニクス、高周波部品、センサの製造に不可欠である。世界的な電気自動車普及の急増は、SiCウェーハと研磨基板の需要を促進している。SiCベースのパワーエレクトロニクスは、その効率性と高速スイッチング機能により、電気自動車のドライブトレインや充電インフラにとって極めて重要である。 主要プレーヤーによる合併・買収戦略の高まりが、予測期間中の市場成長を後押ししている。例えば、2021年12月2日、ソイテックはSiCウエハ技術の強化に役立つNovaSiCを買収した。この買収により、ソイテックはエレクトロモビリティや産業用アプリケーションの電源システム用半導体の開発を推進することができる、とプレスリリースは伝えている。NovaSiC社の買収と、同社のウェハ研磨、研磨、再生に関する専門技術の統合は、ソイテックにとって、最適な最終製品を提供し、SmartSiC製品ラインの工業化段階を準備するための最新の技術基盤をもたらすものです。 北米は、持続可能な輸送に対する消費者の環境規制により、米国とカナダで電気自動車の採用が増加しているため、市場を支配している地域です。SiCウエハは、電気自動車のドライブトレインに使用されるインバータやコンバータなどのパワーエレクトロニクス部品の製造において重要な役割を果たしている。この地域の優れたSiCウェハ・サービスに対する需要は、拡大するEV産業が後押ししている。北米では、風力や太陽エネルギーのような再生可能エネルギーに多大な財源が投入されている。SiCベースのパワーエレクトロニクスは、温度変化に対する耐性が優れているため、再生可能エネルギーシステムに適しています。SiCウェハは、再生可能エネルギー産業の発展に伴い、電力変換やエネルギー管理を含むアプリケーション向けに北米でますます需要が高まっている。 ダイナミクス 世界的な電気自動車(EV)普及の高まり 高度なパワーエレクトロニクス・コンポーネントは、電気自動車の推進システム、バッテリー管理、充電インフラにとって極めて重要である。SiCベースのパワー・デバイスは、従来のシリコン・ベースのものと比較して、効率の向上、スイッチング・インスタンスの高速化、熱性能の向上など、いくつかの利点があります。高出力・高周波パワーモジュール、インバーター、車載充電器の製造に使用されるSiCウェハーと研磨済みコンポーネントは、電気自動車の利用が増加するにつれて需要が高まっている。ヴァータ・グローバル社のデータによると、2021年には世界で67億5,000万台のEVが販売され、2022年にはEVの販売台数が100億台増加する。2022年のEV販売台数は約138億台で、中国が圧倒的に多い。 電気自動車の全体的な効率と航続距離は、SiCベースのパワーエレクトロニクスを使用することで向上する。SiCウエハは電力変換器やインバータに使用され、回生ブレーキを改善し、電力変換時のエネルギー損失を低減し、効率を犠牲にすることなく動作温度を高めることができる。EV市場におけるSiCベースのソリューションの成長は、このような効率性の利点によって牽引されており、これは航続距離の延長、バッテリー寿命の向上、車両性能の向上につながります。 パワーエレクトロニクスと半導体デバイスにおけるSiCウェハーの採用拡大 低スイッチング損失、高熱伝導性、高ブレークアップ電圧など、SiCウェーハの優れた特性により、SiCウェーハはパワーエレクトロニクス分野で人気がある。これらの特性により、SiCベースのパワーデバイスは非常に効率的で、より高い温度と電力密度で機能することができます。パワーエレクトロニクスにおけるSiCウェーハの使用は、産業界がますます電力効率の高いソリューションを求めるようになるにつれて、これらのデバイスの最高の効率と信頼性を保証するための正確な研磨の必要性を高めている。自動車産業、特にEVやHEVは、車載充電インフラ、バッテリー管理システム、ドライブトレインにおいて、SiCベースのパワーエレクトロニクスに大きく依存しています。 SiCベースのパワー・デバイスは、風力発電やエネルギー貯蔵を含むシステム向けに効率的なエネルギー変換とパワー・コンディショニングを提供するため、再生可能エネルギー部門にとって有益である。SiCウェハは、より高い変換効率、より低い損失、再生可能エネルギー・システム用電源の信頼性向上を提供する。さまざまな用途に使用される研磨SiCウェーハのニーズは、世界的な再生可能エネルギー・プロジェクトの拡大によって高まっている。 高い初期投資 研磨パッド、計測機器、化学機械平坦化装置など、SiCウェーハ研磨に必要な機械や装置は、多額の財政投資を必要とします。半導体産業が要求する表面平滑性と平坦性を正確に達成するためには、専門的な工具が不可欠です。SiCウェーハの研磨には、コンタミネーションを防止し、プロセスの再現性を保証するために、湿度とパーティクルレベルを調整したクリーンルーム条件が頻繁に要求されます。クリーンルーム設備の維持・設置には、空調システム、ろ過装置、継続的なクリーンルームのメンテナンスなどが含まれ、初期投資費用は増加する。 また、SiCウェーハの研磨に使用される研磨材や研磨パッドは消耗品であり、ランニングコストの要因となる。業界標準とプロセス要件を満たす高品質の材料と消耗品を調達することは、研磨設備の初期投資と継続的な運用コストを増加させる。SiCウェーハ研磨装置を運用するには、材料科学、半導体製造、研磨技術、および計測の専門知識を持つ熟練した技術者、エンジニア、およびオペレーターが必要です。高度な研磨装置の操作と保守ができる人材の育成と資格のある労働力の構築は、追加的なコストと人的資本への投資となる。 セグメント分析 世界のSiCウェーハ研磨市場は、プロセス、製品、用途、地域によって区分される。 世界的に機械式SiCウェーハ研磨プロセスの採用が拡大 プロセスに基づき、SiCウェーハ研磨市場は機械的、化学機械的、電解研磨、化学的、プラズマアシストおよびその他に区分される。 化学的機械的平坦化や研削などの機械的研磨プロセスは、他の研磨方法と比較して優れた表面品質をもたらします。機械的作用により表面欠陥や汚染物質が除去され、滑らかで均一な欠陥のないSiCウェーハ表面が得られます。高品質な表面は、半導体デバイス製造や電子部品に不可欠です。機械的琢磨技術は、材料除去率、表面平坦度、粗さパラメータ、厚さ均一性を正確に制御することができます。製造業者は、高性能半導体デバイス、微小電気機械システム、センサー、パワーエレクトロニクス、フォトニック用途に使用されるSiCウェーハに要求される厳しい公差と仕様を達成することができます。研磨パラメータを制御する能力は、製品の品質と信頼性を高めます。 機械的SiCウェーハ研磨法に対する主要企業の需要の高まりは、予測期間中の同分野の成長を後押しする。例えば、レバサムは2023年7月6日、同社の主力製品である炭化ケイ素(SiC)化学機械研磨(CMP)プラットフォーム6EZ用の200mmコンバージョンキットの発売を発表した。6EZは150mmのSiC基板の大量生産でその価値が実証されており、200mmコンバージョンキットは現在完全にテストされ、リリースされているため、顧客は現場で6EZシステムをアップグレードすることができる。 地域別普及率 北米がハードウェア製品市場を独占 技術革新は北米、特に半導体と素材産業に集中している。SiCウェーハ研磨技術の開発を推進する大手企業、学術機関、研究センターはこの地域に拠点を置いています。優れた品質と性能を持つSiCウェーハに対する世界的な需要は、絶え間ない技術革新によって満たされています。パワーエレクトロニクス、RFデバイス、高周波アプリケーションに集中する北米には、強力な半導体分野があります。データセンター、再生可能エネルギーシステム、自動車エレクトロニクス、航空宇宙アプリケーションで利用されるハイパワーおよび高周波半導体は、SiCウェハーによって実現されています。SiCウェーハ研磨サービスのニーズは、北米の重要なOEMと半導体企業の存在によって促進されています。 同地域の主要な主要企業による製品発売の増加は、予測期間中の同地域セグメントの成長を後押ししている。例えば、2023年2月21日、Amtech Systems, Inc.は、SiC製造アプリケーションに販売される20番目の新しいOnTrak両面ウェーハスクラバーシステムを予約した。この製品の予約は、北米のEntrepix OnTrakの既存顧客からのものです。新しいOnTrak両面スクラバーは、化合物半導体アプリケーションに適しており、100-200mmウェハに対応し、カスタム設計のキャリアを使用することでさらに小さなウェハにも対応します。 競合状況 市場の主なグローバルプレーヤーには、Kemnet International、Entegris、Ijin Diamond、富士見コーポレーション、サンゴバン、JSR Corporation、Engis Corporation、Ferro Corporation、3M、DuPont Incorporatedが含まれる。 COVID-19 影響分析 世界的な健康被害の流行 世界のサプライチェーン、特に鉱物や半導体製造に関するサプライチェーンは、COVID-19の流行によって影響を受けた。この混乱により、SiCウェーハの研磨作業に必要な部品や原材料の入手が困難になった。SiCウェーハの流通と製造は、生産能力の低下により影響を受けた。SiCウェーハおよび関連品目の需要は、パンデミックの結果として変動した。製造企業が操業停止により活動を縮小した結果、需要が減少した。しかし、パワーエレクトロニクス、再生可能エネルギー、通信などの用途では、遠隔労働への対応やデジタル化の進展により、SiCウェーハの需要は回復の兆しを見せました。 パンデミックの影響は、SiCウェーハのエンドユーザー業界によって異なる。例えば、カーエレクトロニクスやパワーモジュール向けのSiCウェーハ販売は、まず自動車セクターの需要減少の影響を受けた。しかし、これらの業界がリモートワーク、デジタル接続、持続可能なエネルギー・ソリューションに適応するにつれ、データセンター、電気通信、再生可能エネルギーなどの分野でSiCウエハーの需要が急増した。パンデミックの間、一部の半導体メーカーは製造工程を見直し、医療機器、ヘルスケア機器、パンデミック対応イニシアティブに必要な重要部品や技術に集中した。この製造優先順位の変更により、非必須用途向けSiCウェーハの供給と生産量が一時的に影響を受けた。 ロシア・ウクライナ戦争の影響分析 炭化ケイ素のような原料や鉱物の主要生産国のひとつはウクライナである。戦争によって供給網が混乱し、研磨用SiCウェーハの供給不足や供給遅延が発生する可能性がある。SiCウェーハ研磨セクターの事業の操業および生産スケジュールは、この中断により影響を受ける可能性がある。サプライチェーンの混乱による原材料(特に炭化ケイ素)の価格変動。原材料の価格変動は、SiCウェーハ研磨企業の製造コストに影響を及ぼす可能性があり、その結果、製品価格と利益率が変化する可能性があります。 SiCウェーハ研磨業界の顧客、生産者、投資家は、ウクライナとロシアの紛争がもたらす不安定さと予測不可能性により、躊躇している。地政学的環境が安定するまで、企業が成長計画、研究開発費、新製品の投入を延期すれば、市場の成長に影響が及ぶ。欧州市場とユーラシア市場には、それぞれロシアとウクライナが含まれる。これらの地域で混乱が生じた場合、SiCウェーハ研磨製品に対する地域の需要に影響を及ぼす可能性があります。地域の需要パターンの変化は、これらの地域で事業を展開するSiCウェーハ研磨企業の市場力学、競争、価格戦略に影響を与える可能性がある。 プロセス別 - 機械的 - 化学機械 - 電解研磨 - 化学研磨 - プラズマアシスト - その他 製品別 - 研磨パウダー - 研磨パッド - ダイヤモンドスラリー - コロイダルシリカ懸濁液 用途別 - パワーエレクトロニクス - LED - センサーと検出器 - RFおよびマイクロ波デバイス 地域別 - 北米 米国 カナダ o メキシコ - ヨーロッパ o ドイツ o イギリス o フランス o イタリア o スペイン o その他のヨーロッパ - 南アメリカ o ブラジル o アルゼンチン o その他の南米諸国 - アジア太平洋 o 中国 o インド o 日本 o オーストラリア o その他のアジア太平洋地域 - 中東およびアフリカ 主な進展 - 住友電気工業は2020年5月22日、パワーデバイス用SiC単結晶基板CrystEra(直径150mm)を発売した。この新製品は、住友SiCエピタキシャルウエハーEpiEraの製造に使用される。半導体デバイスは、送電、自動車、鉄道、太陽光発電、家電など様々な分野で使用されている。 - 昭和電工は2022年3月28日、SiC系パワー半導体に搭載・加工されるSiCエピタキシャルウエハーの材料となる直径6インチのシック単結晶ウエハーの量産を市場で開始した。 - 2021年12月02日、半導体材料の製造・設計会社であるソイテックは、炭化ケイ素ウェーハの研磨と再生に特化した技術会社であるNovaSiCを買収し、同社の技術開発を加速させ、産業および自動車市場でのポジショニングを強化している。 レポートを購入する理由 - プロセス、製品、用途、地域に基づく世界のSiCウェーハ研磨市場のセグメンテーションを可視化し、主要な商業資産とプレーヤーを理解する。 - トレンドと共同開発の分析による商機の特定。 - SiCウェーハ研磨市場レベルの多数のデータを全セグメントでまとめたExcelデータシート。 - PDFレポートは、徹底的な定性的インタビューと綿密な調査の後の包括的な分析で構成されています。 - 主要企業の主要製品からなる製品マッピングをエクセルで提供。 世界のSiCウェーハ研磨市場レポートは約62の表、57の図、187ページを提供します。 対象読者 - メーカー/バイヤー - 業界投資家/投資銀行家 - 調査専門家 - 新興企業 目次1.方法論と範囲1.1.調査方法 1.2.調査目的と調査範囲 2.定義と概要 3.エグゼクティブサマリー 3.1.プロセス別スニペット 3.2.製品別スニペット 3.3.アプリケーション別スニペット 3.4.地域別スニペット 4.ダイナミクス 4.1.影響要因 4.1.1.推進要因 4.1.1.1.世界的な電気自動車(EV)普及の高まり 4.1.1.2.パワーエレクトロニクスおよび半導体デバイスにおけるSiCウェーハの採用拡大 4.1.2.阻害要因 4.1.2.1.初期投資の高さ 4.1.3.機会 4.1.4.インパクト分析 5.産業分析 5.1.ポーターのファイブフォース分析 5.2.サプライチェーン分析 5.3.価格分析 5.4.規制分析 5.5.ロシア・ウクライナ戦争影響分析 5.6.DMI意見書 6.COVID-19分析 6.1.COVID-19の分析 6.1.1.COVID-19以前のシナリオ 6.1.2.COVID-19開催中のシナリオ 6.1.3.COVID-19後のシナリオ 6.2.COVID-19中の価格ダイナミクス 6.3.需給スペクトラム 6.4.パンデミック時の市場に関する政府の取り組み 6.5.メーカーの戦略的取り組み 6.6.おわりに 7.プロセス別 7.1.はじめに 7.1.1.プロセス別市場規模分析と前年比成長率分析(%) 7.1.2.市場魅力度指数(プロセス別 7.2.メカニカル*市場 7.2.1.はじめに 7.2.2.市場規模分析と前年比成長率分析(%) 7.3.化学-機械 7.4.電解研磨 7.5.化学的 7.6.プラズマアシスト 7.7.その他 8.製品別 8.1.製品紹介 8.1.1.製品別市場規模分析および前年比成長率分析(%) 8.1.2.市場魅力度指数(製品別 8.2.研磨パウダー 8.2.1.はじめに 8.2.2.市場規模分析と前年比成長率分析(%) 8.3.ポリッシングパッド 8.4.ダイヤモンドスラリー 8.5.コロイダルシリカ懸濁液 9.用途別 9.1.はじめに 9.1.1.市場規模分析および前年比成長率分析(%), 用途別 9.1.2.市場魅力度指数(用途別 9.2.パワーエレクトロニクス 9.2.1.序論 9.2.2.市場規模分析と前年比成長率分析(%) 9.3.LED 9.4.センサーと検出器 9.5.RF・マイクロ波デバイス 10.地域別 10.1.はじめに 10.1.1.地域別市場規模分析および前年比成長率分析(%) 10.1.2.市場魅力度指数、地域別 10.2.北米 10.2.1.はじめに 10.2.2.主な地域別ダイナミクス 10.2.3.プロセス別市場規模分析と前年比成長率分析(%) 2.4. 10.2.4.市場規模分析と前年比成長率分析(%), 製品別 10.2.5.市場規模分析および前年比成長率分析(%), アプリケーション別 10.2.6.市場規模分析および前年比成長率分析(%), 国別 10.2.6.1.米国 10.2.6.2.カナダ 10.2.6.3.メキシコ 10.3.ヨーロッパ 10.3.1.はじめに 10.3.2.地域別の主な動き 10.3.3.プロセス別市場規模分析と前年比成長率分析(%) 3.4. 10.3.4.市場規模分析と前年比成長率分析(%), 製品別 10.3.5.市場規模分析および前年比成長率分析(%), アプリケーション別 10.3.6.市場規模分析および前年比成長率分析(%), 国別 10.3.6.1.ドイツ 10.3.6.2.イギリス 10.3.6.3.フランス 10.3.6.4.イタリア 10.3.6.5.スペイン 10.3.6.6.その他のヨーロッパ 10.4.南米 10.4.1.はじめに 10.4.2.地域別主要市場 10.4.3.市場規模分析および前年比成長率分析(%), プロセス別 10.4.4.市場規模分析と前年比成長率分析(%), 製品別 10.4.5.市場規模分析および前年比成長率分析(%), 用途別 10.4.6.市場規模分析および前年比成長率分析(%), 国別 10.4.6.1.ブラジル 10.4.6.2.アルゼンチン 10.4.6.3.その他の南米地域 10.5.アジア太平洋 10.5.1.はじめに 10.5.2.主な地域別ダイナミクス 10.5.3.市場規模分析と前年比成長率分析(%), プロセス別 10.5.4.市場規模分析と前年比成長率分析(%), 製品別 10.5.5.市場規模分析および前年比成長率分析(%), アプリケーション別 10.5.6.市場規模分析および前年比成長率分析(%), 国別 10.5.6.1.中国 10.5.6.2.インド 10.5.6.3.日本 10.5.6.4.オーストラリア 10.5.6.5.その他のアジア太平洋地域 10.6.中東・アフリカ 10.6.1.はじめに 10.6.2.地域別の主な動き 10.6.3.市場規模分析と前年比成長率分析(%), プロセス別 10.6.4.市場規模分析と前年比成長率分析(%), 製品別 10.6.5.市場規模分析および前年比成長率分析(%), 用途別 11.競争環境 11.1.競争シナリオ 11.2.市場ポジショニング/シェア分析 11.3.M&A分析 12.企業プロフィール 12.1.ケムネット・インターナショナル 12.1.1.会社概要 12.1.2.製品ポートフォリオと内容 12.1.3.財務概要 12.1.4.主な展開 12.2.エンテグリス 12.3.伊神ダイヤモンド 12.4.株式会社フジミ 12.5.サンゴバン 12.6.JSR株式会社 12.7.株式会社エンギス 12.8.株式会社フェロー 12.9.3M 12.10.デュポン・インコーポレーテッド リストは網羅的ではない 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2024/11/18 10:26 155.35 円 164.28 円 199.02 円 |