ワイドバンドギャップ半導体市場:材料別(炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、ダイヤモンド、その他)、産業分野別(家電、自動車、航空宇宙・防衛、IT・通信、エネルギー・ユーティリティ、その他):2023年~2032年の世界の機会分析と産業予測Wide Bandgap Semiconductors Market By Material (Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN), Diamond, Others), By Industry Vertical (Consumer Electronics, Automotive, Aerospace and Defense, IT and Telecom, Energy and Utility, Others): Global Opportunity Analysis and Industry Forecast, 2023-2032 ワイドバンドギャップ半導体市場は、2022年には16億ドルと評価され、2023年から2032年までのCAGRは13.17%を示し、2032年には54億ドルに達すると推定されている。 ワイドバンドギャップ半導体として知られる一連... もっと見る
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サマリーワイドバンドギャップ半導体市場は、2022年には16億ドルと評価され、2023年から2032年までのCAGRは13.17%を示し、2032年には54億ドルに達すると推定されている。ワイドバンドギャップ半導体として知られる一連の材料は、広範なエネルギーバンドギャップ、すなわち伝導帯の電子の動きを収容できる最低エネルギーバンドと価電子帯の電子が生息する最高エネルギーバンドとの間のエネルギー差を有する。これらの材料は、バンドギャップが狭いシリコンのような従来の半導体とは異なり、バンドギャップが広い。 高性能でエネルギー効率の高い電子機器へのニーズが、ワイドバンドギャップ半導体産業における革命的な発展を促している。技術革新の先陣を切っているのは炭化ケイ素(SiC)と窒化ガリウム(GaN)であり、パワーエレクトロニクス、電気自動車、5Gインフラ、再生可能エネルギー・システムなどで利用されている。世界中で、産業界が持続可能性と効率性を重視するにつれて、ワイドバンドギャップ半導体の人気が高まっている。現在のトレンドには、技術統合を促進するパートナーシップ、歩留まり向上のための製造技術の改善、現代エレクトロニクスの分野を変革するこれらの半導体の全潜在能力を実現するための粘り強い推進力が含まれる。 窒化ガリウム(GaN)と炭化ケイ素(SiC)は、一般的なワイドバンドギャップ半導体材料である。これらの材料は、バンドギャップが大きいため、より高い温度と電圧で機能することができ、高出力・高周波電子デバイスを必要とするアプリケーションに適している。ワイドバンドギャップ半導体の用途には、パワーエレクトロニクス、高周波(RF)機器、LED照明、電気自動車、再生可能エネルギー源などがある。ワイドバンドギャップ半導体の特別な特性は、いくつかの応用分野において、より優れた性能、より高いエネルギー効率、そして技術的成長を支えている。 ワイドバンドギャップ半導体市場は、材料、用途、電池タイプ、地域に区分される。材料別では、炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、ダイヤモンド、その他に分類される。産業別では、家電、自動車、航空宇宙・防衛、IT・通信、エネルギー・ユーティリティ、その他に二分される。地域別では、北米、欧州、アジア太平洋、LAMEAの各市場とその主要国が分析されている。 地域別では、北米(米国、カナダ、メキシコ)、欧州(英国、ドイツ、フランス、その他欧州)、アジア太平洋(中国、日本、インド、韓国、その他アジア太平洋)、LAMEA(中南米、中東、アフリカ)のワイドバンドギャップ半導体市場動向が分析されています。 本レポートで提供されている世界の主要ワイドバンドギャップ半導体市場プレイヤーの競合分析とプロファイルには、Infineon Technologies AG、Microsemi Corporation、STマイクロエレクトロニクス、Maxell Ltd.、ロームセミコンダクター、Texas Instruments Inc.、Vishay Intertechnology Inc.、パナソニック株式会社、Genesic semiconductor、Nexperia、Wolfspeed, Inc.などが含まれます。ワイドバンドギャップ半導体市場の主要企業が採用する主な戦略は、製品の発売である。 ステークホルダーにとっての主なメリット 本レポートは、2022年から2032年までのワイドバンドギャップ半導体市場分析の市場セグメント、現在の動向、予測、ダイナミクスを定量的に分析し、ワイドバンドギャップ半導体の市場機会を特定します。 市場調査は、主要な促進要因、阻害要因、機会に関する情報とともに提供されます。 ポーターのファイブフォース分析により、バイヤーとサプライヤーの潜在力を明らかにし、ステークホルダーが利益重視のビジネス決定を下し、サプライヤーとバイヤーのネットワークを強化できるようにします。 ワイドバンドギャップ半導体市場のセグメンテーションを詳細に分析することで、市場機会を見極めることができます。 ワイドバンドギャップ半導体市場のセグメンテーションを詳細に分析することで、市場機会を見極めることができます。 市場プレイヤーのポジショニングはベンチマーキングを容易にし、市場プレイヤーの現在のポジションを明確に理解することができます。 ワイドバンドギャップ半導体の地域別および世界市場動向、主要企業、市場セグメント、応用分野、市場成長戦略の分析を含みます。 本レポートをご購入いただくと、以下の特典があります: 四半期ごとの最新情報および*(コーポレート・ライセンスの場合のみ、表示価格でのご提供となります。) ご購入前またはご購入後に、ご希望の企業プロフィールを5社追加で無料アップデート 5ユーザー・ライセンスおよびエンタープライズ・ユーザー・ライセンスのご購入の場合、次期バージョンを無料でご提供します。 アナリストによる16時間のサポート* (購入後、レポートのレビューで追加のデータ要件が見つかった場合、質問や販売後の問い合わせを解決するためにアナリストによる16時間のサポートを受けることができます) 15% の無料カスタマイズ* (レポートの範囲またはセグメントがお客様の要件と一致しない場合、15% は 3 営業日の無料作業に相当します。) ファイブおよびエンタープライズ・ユーザー・ライセンスの無料データ・パック。(エクセル版レポート) レポートが6~12ヶ月以上前の場合、無料で更新。 24時間優先対応 業界の最新情報とホワイトペーパーを無料で提供 本レポートで可能なカスタマイズ(別途費用とスケジュールが必要です。) 製品ベンチマーク/製品仕様と用途 新製品開発/主要メーカーの製品マトリックス 規制ガイドライン 輸出入分析/データ 主要市場セグメント 材料別 窒化ガリウム(GaN) ダイヤモンド その他 炭化ケイ素(SiC) 産業分野別 コンシューマー・エレクトロニクス 自動車 航空宇宙・防衛 IT・通信 エネルギー・ユーティリティ その他 地域別 北米 米国 カナダ メキシコ アジア太平洋 中国 日本 インド 韓国 その他のアジア太平洋地域 ヨーロッパ イギリス ドイツ フランス その他のヨーロッパ LAMEA ラテンアメリカ 中東 アフリカ 主な市場プレイヤー インフィニオンテクノロジーズ STマイクロエレクトロニクス ロームセミコンダクター Vishay Intertechnology Inc. ネクスペリア ジェネシック・セミコンダクター ウルフスピード マイクロセミ・コーポレーション テキサス・インスツルメンツ パナソニック株式会社 目次第1章:はじめに1.1.報告書の記述 1.2.主要市場セグメント 1.3.ステークホルダーにとっての主なメリット 1.4.調査方法 1.4.1.一次調査 1.4.2.二次調査 1.4.3.アナリストのツールとモデル 第2章:エグゼクティブサマリー 2.1.CXOの視点 第3章 市場概要 3.1.市場の定義と範囲 3.2.主な調査結果 3.2.1.主な影響要因 3.2.2.投資ポケットの上位 3.3.ポーターの5つの力分析 3.3.1.サプライヤーの高い交渉力 3.3.2.新規参入の脅威は中程度 3.3.3.低~中程度の代替品の脅威 3.3.4.ライバルの激しさは中程度から高い 3.3.5.買い手の交渉力が中程度から高い 3.4.市場力学 3.4.1.原動力 3.4.1.1.ワイドバンドギャップ材料の研究開発への投資拡大 3.4.1.2.ワイドバンドギャップ半導体の世界市場を牽引するEV需要の急増 3.4.2.阻害要因 3.4.2.1.ワイドバンドギャップ半導体の高コスト 3.4.3.機会 3.4.3.1.電気自動車におけるワイドバンドギャップデバイスの需要拡大 第4章: ワイドバンドギャップ半導体市場、材料別 4.1.概要 4.1.1.市場規模と予測 4.2.炭化ケイ素(SiC) 4.2.1.主な市場動向、成長要因、機会 4.2.2.地域別の市場規模と予測 4.2.3.国別市場シェア分析 4.3.窒化ガリウム(GaN) 4.3.1.主な市場動向、成長要因、機会 4.3.2.地域別の市場規模と予測 4.3.3.国別市場シェア分析 4.4.ダイヤモンド 4.4.1.主な市場動向、成長要因、機会 4.4.2.地域別の市場規模と予測 4.4.3.国別市場シェア分析 4.5.その他 4.5.1.主な市場動向、成長要因、機会 4.5.2.地域別の市場規模と予測 4.5.3.国別市場シェア分析 第5章 ワイドバンドギャップ半導体市場:産業別 5.1.概要 5.1.1.市場規模と予測 5.2.コンシューマー・エレクトロニクス 5.2.1.主な市場動向、成長要因、機会 5.2.2.地域別の市場規模と予測 5.2.3.国別市場シェア分析 5.3.自動車 5.3.1.主な市場動向、成長要因、機会 5.3.2.地域別の市場規模と予測 5.3.3.国別市場シェア分析 5.4.航空宇宙・防衛 5.4.1.主な市場動向、成長要因、機会 5.4.2.地域別の市場規模と予測 5.4.3.国別市場シェア分析 5.5.IT・通信 5.5.1.主な市場動向、成長要因、機会 5.5.2.地域別の市場規模と予測 5.5.3.国別市場シェア分析 5.6.エネルギーとユーティリティ 5.6.1.主な市場動向、成長要因、機会 5.6.2.地域別の市場規模と予測 5.6.3.国別市場シェア分析 5.7.その他 5.7.1.主な市場動向、成長要因、機会 5.7.2.地域別の市場規模と予測 5.7.3.国別市場シェア分析 第6章 ワイドバンドギャップ半導体市場:地域別 6.1.概要 6.1.1.市場規模および予測 地域別 6.2.北米 6.2.1.主な市場動向、成長要因、機会 6.2.2.市場規模および予測、素材別 6.2.3.市場規模・予測:産業別 6.2.4.市場規模・予測:国別 6.2.4.1.米国 6.2.4.1.1.市場規模・予測:素材別 6.2.4.1.2.市場規模・予測:産業別 6.2.4.2.カナダ 6.2.4.2.1.市場規模・予測:素材別 6.2.4.2.2.市場規模・予測:産業別 6.2.4.3.メキシコ 6.2.4.3.1.市場規模・予測:素材別 6.2.4.3.2.市場規模・予測:産業別 6.3.アジア太平洋地域 6.3.1.主要市場動向、成長要因、機会 6.3.2.市場規模および予測(素材別 6.3.3.市場規模・予測:産業別 6.3.4.市場規模・予測:国別 6.3.4.1.中国 6.3.4.1.1.市場規模・予測:素材別 6.3.4.1.2.市場規模・予測:産業別 6.3.4.2.日本 6.3.4.2.1.市場規模・予測:素材別 6.3.4.2.2.市場規模・予測:産業別 6.3.4.3.インド 6.3.4.3.1.市場規模・予測:素材別 6.3.4.3.2.市場規模・予測:産業別 6.3.4.4.韓国 6.3.4.4.1.市場規模・予測:素材別 6.3.4.4.2.市場規模・予測:産業別 6.3.4.5.その他のアジア太平洋地域 6.3.4.5.1.市場規模・予測:素材別 6.3.4.5.2.市場規模および予測:産業別 6.4.欧州 6.4.1.主要市場動向、成長要因、機会 6.4.2.市場規模および予測(素材別 6.4.3.市場規模・予測:産業別 6.4.4.市場規模・予測:国別 6.4.4.1.英国 6.4.4.1.1.市場規模・予測:素材別 6.4.4.1.2.市場規模・予測:産業別 6.4.4.2.ドイツ 6.4.4.2.1.市場規模・予測:素材別 6.4.4.2.2.市場規模・予測:産業別 6.4.4.3.フランス 6.4.4.3.1.市場規模・予測:素材別 6.4.4.3.2.市場規模・予測:産業別 6.4.4.4.その他のヨーロッパ 6.4.4.4.1.市場規模・予測:素材別 6.4.4.4.2.市場規模・予測:産業別 6.5.ラメア 6.5.1.主要市場動向、成長要因、機会 6.5.2.市場規模および予測(素材別 6.5.3.市場規模・予測:産業別 6.5.4.市場規模・予測:国別 6.5.4.1.ラテンアメリカ 6.5.4.1.1.市場規模・予測:素材別 6.5.4.1.2.市場規模・予測:産業別 6.5.4.2.中東 6.5.4.2.1.市場規模・予測:素材別 6.5.4.2.2.市場規模・予測:産業別 6.5.4.3.アフリカ 6.5.4.3.1.市場規模・予測:素材別 6.5.4.3.2.市場規模・予測:産業別 第7章 競争環境 7.1.はじめに 7.2.上位の勝利戦略 7.3.トップ10選手の製品マッピング 7.4.競合ダッシュボード 7.5.競合ヒートマップ 7.6.トッププレーヤーのポジショニング、2022年 第8章 企業プロフィール 8.1.インフィニオンテクノロジーズAG 8.1.1.会社概要 8.1.2.主要役員 8.1.3.スナップショット 8.1.4.事業セグメント 8.1.5.製品ポートフォリオ 8.1.6.業績 8.1.7.主な戦略的動きと展開 8.2.マイクロセミ・コーポレーション 8.2.1.会社概要 8.2.2.主要役員 8.2.3.スナップショット 8.2.4.事業セグメント 8.2.5.製品ポートフォリオ 8.2.6.業績 8.3.STマイクロエレクトロニクス 8.3.1.会社概要 8.3.2.主要役員 8.3.3.スナップショット 8.3.4.事業セグメント 8.3.5.製品ポートフォリオ 8.3.6.業績 8.3.7.主な戦略的動きと展開 8.4.ローム半導体 8.4.1.会社概要 8.4.2.主要役員 8.4.3.スナップショット 8.4.4.事業セグメント 8.4.5.製品ポートフォリオ 8.4.6.業績 8.4.7.主な戦略的動きと展開 8.5.テキサス・インスツルメンツ 8.5.1.会社概要 8.5.2.主要役員 8.5.3.スナップショット 8.5.4.事業セグメント 8.5.5.製品ポートフォリオ 8.5.6.業績 8.5.7.主な戦略的動きと展開 8.6.ビシェイ・インターテクノロジー 8.6.1.会社概要 8.6.2.主要役員 8.6.3.スナップショット 8.6.4.事業セグメント 8.6.5.製品ポートフォリオ 8.6.6.業績 8.7.ジェネシック・セミコンダクター 8.7.1.会社概要 8.7.2.主要役員 8.7.3.スナップショット 8.7.4.事業セグメント 8.7.5.製品ポートフォリオ 8.8.パナソニック株式会社 8.8.1.会社概要 8.8.2.主要役員 8.8.3.スナップショット 8.8.4.事業セグメント 8.8.5.製品ポートフォリオ 8.8.6.業績 8.9.ネクスペリア 8.9.1.会社概要 8.9.2.主要役員 8.9.3.スナップショット 8.9.4.事業セグメント 8.9.5.製品ポートフォリオ 8.9.6.主な戦略的動きと展開 8.10.ウルフスピード 8.10.1.会社概要 8.10.2.主要役員 8.10.3.スナップショット 8.10.4.事業セグメント 8.10.5.製品ポートフォリオ 8.10.6.業績 8.10.7.主な戦略的動きと展開
SummaryThe wide bandgap semiconductor market was valued at $1.6 billion in 2022 and is estimated to reach $5.4 billion by 2032, exhibiting a CAGR of 13.17% from 2023 to 2032. Table of ContentsCHAPTER 1: INTRODUCTION
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