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レポート名	窒化ガリウム半導体デバイスの世界市場レポート 2024年以下を含む1) コンポーネント別トランジスタ; ダイオード; 整流器; パワーIC2) デバイスタイプ別：デバイスタイプ別：オプト半導体、パワー半導体、RF半導体3)用途別：自動車、民生用電子機器、防衛、RF半導体4）ウエハサイズ別：2インチ、4インチ、6インチ、8インチ対象：テキサス・インスツルメンツ・インコーポレーテッド、東芝インフォメーション・テクノロジー、東芝インフォメーション・テクノロジー、東芝インフォメーション・テクノロジー、東芝インフォメーション・テクノロジー、東芝インフォメーション・テクノロジー、東芝インフォメーション・テクノロジー、東芝インフォメーション・テクノロジー、東芝インフォメーション・テクノロジーTexas Instruments incorporated; Toshiba Corporation; Infineon Technologies AG; Fujitsu Limited; NXP Semiconductors N.V. ams-OSRAM AG
出版社名	The Business Research Company　(TBRC)
出版月	2024年2月
価格	US$ 4,000
URL	https://www.dri.co.jp/auto/report/tbrc/240220-gallium-nitride-semiconductor-devices.html
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