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レポート名	窒化ガリウム半導体デバイスの世界市場：2031年までの事業機会と戦略1) コンポーネント別トランジスタ、ダイオード、整流器、パワーIC2) デバイスタイプ別：デバイスタイプ別：オプト半導体、パワー半導体、RF半導体3)用途別：自動車、民生用電子機器、防衛、RF半導体：用途別：自動車、民生用電子機器、防衛・航空宇宙、ヘルスケア、産業・電力、情報通信技術4）ウエハサイズ別：2インチ、4インチ、6インチ、8インチTexas Instruments Incorporated; Toshiba Corporation; Infineon Technologies AG; Fujitsu Limited; NXP Semiconductors N.V.
出版社名	The Business Research Company　(TBRC)
出版月	2023年1月
価格	US$ 4,000
URL	https://www.dri.co.jp/auto/report/tbrc/230127-gallium-nitride-semiconductor-devices.html
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