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 世界および米国のIGBTおよびMOSFETゲートドライバ・フォトカプラ市場の洞察、2027年までの予測Global and United States IGBT and MOSFET Gate Driver Photocoupler Market Insights, Forecast to 2027 IGBTやMOSFETのゲートドライバ用フォトカプラは、高出力のIGBTやMOSFETの入力信号を、高い電気絶縁性を確保しながら高速に切り替えるための半導体デバイスです。絶縁が重要なのは、潜在的な高電圧を遮断し、グラ... もっと見る
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サマリーIGBTやMOSFETのゲートドライバ用フォトカプラは、高出力のIGBTやMOSFETの入力信号を、高い電気絶縁性を確保しながら高速に切り替えるための半導体デバイスです。絶縁が重要なのは、潜在的な高電圧を遮断し、グランドを絶縁し、低電圧制御回路にノイズ電流が入るのを防ぐためです。このような信号は、回路の動作を妨害したり、敏感な回路を損傷したりする可能性があります。これらは、モーター制御（高速スイッチングがスピードコントローラとして使用できる）、インバータ、スイッチモード電源などのアプリケーションで使用されます。また、安全性に関するコンプライアンス規制を満たすためにも非常に重要となる場合があります。IGBTはInsulated-Gate Bipolar Transistorの略。MOSFETは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）の略。高速の固体スイッチで、デバイス自体にはない。スイッチングされる電流に比べて、オンさせるための電流は極めて少ない。しかし、これらのデバイスは大電流（数百アンペア）を流すことができるため、デバイスをオン/オフするために必要なスイッチング電流は非常に大きくなります。IGBTやMOSFETのゲート入力容量は、ミラー効果または逆転送容量と呼ばれるアンプの負帰還による効果によって一部が作られます。この効果は、スイッチのゲインにほぼ比例してキャパシタンスを増加させます。ドライバー回路には、この負荷を駆動し、パワーIGBTやMOSFETのゲートにかかる電圧レベルを高速に切り替えて、デバイスをオン/オフする機能が必要です。オンとオフの切り替えに時間がかかると、IGBTやMOSFETの電力消費につながり、効率の低下やデバイスの破損につながる可能性があります。 このデバイスには、内部のフォトダイオードをオン/オフできる低電圧入力があります。 これには通常、LEDの順方向電圧（約1〜1.4V）と電流（約10mA）が必要となります。LEDからの光は、電気的に絶縁されたバリアーを越え、フォトディテクターで感知されます。この信号は、デバイス内のIGBTまたはMOSFETドライバーのオン/オフに使用されます。ドライバーは、外部のIGBTまたはMOSFETスイッチの効率を維持するために、どちらのスイッチング遷移においても非常に高速な遷移を提供できなければなりません。つまり、ドライバはこれらのエッジで非常に大きな（時にはアンペアの）電流をシンクまたはソースして、入力キャパシタンスを素早く充電または放電できなければなりません。 ドライバー回路には、負荷によってスイッチに過度のストレスがかかっているか、あるいは何らかの障害状態が発生しているかを知るための障害検出回路が内蔵されている場合があります。これらの信号は、フォトダイオードで絶縁されたバリアを越えて低電圧側に送り返され、絶縁された制御回路で検出できるようになっています。 市場分析と洞察。世界および米国のIGBTおよびMOSFETゲートドライバ・フォトカプラ市場 本レポートでは、世界および米国のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラ市場に焦点を当てています。 2020年のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの世界市場規模はXX百万米ドルで、2021年から2027年の間にXX％のCAGRで、2027年末にはXX百万米ドルに達すると予想されています。米国では、IGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの市場規模は、2020年のXX百万米ドルから2027年にはXX百万米ドルまで、予測期間中にXX%のCAGRで成長すると予測されています。 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの範囲と市場規模 IGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラ市場は、地域（国）別、プレイヤー別、タイプ別、アプリケーション別に分類されています。世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラ市場に参加しているプレイヤー、ステークホルダー、その他の参加者は、このレポートを強力なリソースとして利用することで、優位に立つことができるでしょう。セグメント別分析では、地域（国）別、タイプ別、アプリケーション別に、2016年から2027年までの収益と予測に焦点を当てています。 米国市場では、2016-2027年のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの市場規模を、プレイヤー別、タイプ別、アプリケーション別に分析しています。主要なプレイヤーには、アメリカ合衆国で重要な役割を果たしているグローバルプレイヤーとローカルプレイヤーが含まれています。 タイプ別セグメント 600V 1000V 1500V 2000V その他 用途別セグメント モーターコントロール インバーター スイッチ・モード・パワー その他 地域別 北アメリカ 米国 カナダ ヨーロッパ ドイツ フランス イギリス イタリア ロシア アジアパシフィック 中国 日本 韓国 インド オーストラリア 台湾 インドネシア タイ マレーシア フィリピン ベトナム ラテンアメリカ メキシコ ブラジル アルゼンチン 中近東・アフリカ トルコ サウジアラビア U.A.E. 会社別 カリフォルニア・イースタン・ラボラトリーズ エバータイトエレクトロニクス Isocom Components IXYS ライトオンテクノロジー オン・セミコンダクター ルネサス シャープ シリコンラボ 東芝メモリ ビシェイ 目次1 スタディカバレッジ1.1 IGBTおよびMOSFETゲートドライバ・フォトカプラ製品紹介 1.2 タイプ別市場 1.2.1 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバ・フォトカプラ市場規模のタイプ別成長率 1.2.2 600V 1.2.3 1000V 1.2.4 1500V 1.2.5 2000V 1.2.6 その他 1.3 アプリケーション別市場 1.3.1 世界のIGBT/MOSFETゲートドライバ・フォトカプラ市場規模のアプリケーション別成長率 1.3.2 モーターコントロール 1.3.3 インバーター 1.3.4 スイッチ・モード・パワー 1.3.5 その他 1.4 研究目的 1.5 年間の検討 2 エグゼクティブサマリー 2.1 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバ・フォトカプラの市場規模、推定、予測 2.1.1 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの収益 2016-2027 2.1.2 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの売上高 2016-2027 2.2 IGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの世界市場規模（地域別）：2016年 VS 2021年 VS 2027年 2.3 IGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの地域別歴史的市場規模（2016-2021年 2.3.1 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラの地域別売上高における回顧的市場シナリオ：2016-2021年 2.3.2 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラの地域別収益における回顧的市場シナリオ：2016-2021年 2.4 地域別のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラ市場の推定と予測（2022-2027年 2.4.1 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバ・フォトカプラの地域別売上高予測(2022-2027年) 2.4.2 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの地域別収益予測(2022-2027年) 3 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラのプレーヤー別競合状況 3.1 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの売上高上位メーカー 3.1.1 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのメーカー別売上高(2016-2021) 3.1.2 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのメーカー別売上高シェア(2016-2021) 3.2 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの売上高トップメーカー 3.2.1 IGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラの主要メーカーを網羅。売上高別ランキング 3.2.2 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラのメーカー別収益（2016-2021年 3.2.3 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのメーカー別収益シェア(2016-2021) 3.2.4 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの市場集中率（CR5およびHHI）（2016-2021年 3.2.5 2020年におけるIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの売上高による世界トップ10およびトップ5企業 3.2.6 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラ市場の会社タイプ別シェア（ティア1、ティア2、ティア3) 3.3 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラーのメーカー別価格 3.4 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバ・フォトカプラの製造拠点分布、製品タイプ 3.4.1 IGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのメーカーの製造拠点分布、本社 3.4.2 メーカーのIGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラーの製品タイプ 3.4.3 海外メーカーのIGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラー市場への参入時期 3.5 メーカーのM&A、拡張計画 4 タイプ別内訳データ（2016-2027年 4.1 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのタイプ別市場規模(2016-2021) 4.1.1 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのタイプ別売上高(2016-2021) 4.1.2 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのタイプ別収益（2016-2021年 4.1.3 タイプ別のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラ平均販売価格（ASP）（2016-2021年 4.2 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのタイプ別市場規模予測（2022-2027年 4.2.1 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのタイプ別売上高予測(2022-2027) 4.2.2 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのタイプ別収益予測(2022-2027) 4.2.3 タイプ別のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの平均販売価格（ASP）予測（2022年～2027年 5 アプリケーション別内訳データ(2016-2027) 5.1 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのアプリケーション別市場規模(2016-2021) 5.1.1 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのアプリケーション別売上高(2016-2021) 5.1.2 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのアプリケーション別収益(2016-2021) 5.1.3 アプリケーション別のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの価格（2016-2021 5.2 アプリケーション別のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラ市場規模予測(2022-2027) 5.2.1 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのアプリケーション別売上高予測(2022-2027) 5.2.2 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのアプリケーション別収益予測(2022-2027) 5.2.3 世界のIGBTおよびMOSFETゲートドライバ・フォトカプラのアプリケーション別価格予測 (2022-2027) 6 米国：プレーヤー別、タイプ別、アプリケーション別 6.1 米国のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラ市場規模の前年比成長率2016-2027年 6.1.1 米国のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラ売上高のYoY成長2016-2027 6.1.2 米国 IGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラ収益YoY成長2016-2027 6.1.3 米国のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの世界市場でのシェア 2016-2027 6.2 米国のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのプレイヤー別市場規模（国際およびローカルプレイヤー 6.2.1 米国のIGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラの売上高トッププレイヤー（2016-2021年 6.2.2 米国のIGBTおよびMOSFETゲートドライバ・フォトカプラの売上高上位プレイヤー（2016-2021年 6.3 米国IGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのタイプ別歴史的市場レビュー(2016-2021) 6.3.1 米国のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのタイプ別売上高シェア（2016-2021年 6.3.2 米国のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの収益のタイプ別シェア（2016-2021年 6.3.3 米国のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのタイプ別価格（2016-2021 6.4 米国のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラ市場のタイプ別推定・予測（2022-2027年 6.4.1 米国のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのタイプ別売上高予測(2022-2027年) 6.4.2 米国のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのタイプ別収益予測(2022-2027年) 6.4.3 米国のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのタイプ別価格予測(2022-2027年) 6.5 米国のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのアプリケーション別歴史的市場レビュー(2016-2021) 6.5.1 米国のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのアプリケーション別売上高シェア(2016-2021) 6.5.2 米国のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラ収益のアプリケーション別シェア（2016-2021年 6.5.3 米国のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのアプリケーション別価格（2016-2021年 6.6 米国のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラ市場のアプリケーション別推定・予測(2022-2027) 6.6.1 米国のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのアプリケーション別売上高予測(2022-2027) 6.6.2 米国のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのアプリケーション別収益予測(2022-2027年) 6.6.3 米国のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラのアプリケーション別価格予測(2022-2027) 7 北アメリカ 7.1 北米のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラ市場規模の前年比成長率2016-2027年 7.2 北米の国別IGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラ市場概要 7.2.1 北米IGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの国別販売台数(2016-2021) 7.2.2 北米IGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの国別収益(2016-2021) 7.2.3 米国 7.2.4 カナダ 8 アジア太平洋地域 8.1 アジア太平洋地域のIGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラ市場規模の前年比成長率2016-2027年 8.2 アジア太平洋地域のIGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラの地域別市場概要と数値 8.2.1 アジア太平洋地域のIGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラの地域別売上高(2016-2021) 8.2.2 アジア太平洋地域のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの地域別売上高(2016-2021) 8.2.3 中国 8.2.4 日本 8.2.5 韓国 8.2.6 インド 8.2.7 オーストラリア 8.2.8 オーストラリア 8.2.9 インドネシア 8.2.10 タイ 8.2.11 マレーシア 8.2.12 フィリピン 8.2.13 ベトナム 9 欧州 9.1 欧州のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラ市場規模の前年比成長率2016-2027年 9.2 ヨーロッパの国別IGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラ市場概要と数値 9.2.1 欧州IGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの国別販売台数(2016-2021) 9.2.2 欧州IGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの国別収益(2016-2021) 9.2.3 ドイツ 9.2.4 フランス 9.2.5 イギリス 9.2.6 イタリア 10 ラテンアメリカ 10.1 中南米のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラ市場規模の前年比成長率2016-2027年 10.2 ラテンアメリカの国別IGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラ市場概要と数値 10.2.1 ラテンアメリカのIGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラの国別販売台数(2016-2021) 10.2.2 ラテンアメリカIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラ国別収益(2016-2021) 10.2.3 メキシコ 10.2.4 ブラジル 10.2.5 アルゼンチン 11 中近東・アフリカ 11.1 中東・アフリカのIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラ市場規模の前年比成長率 2016-2027年 11.2 中東・アフリカの国別IGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラ市場概要 11.2.1 中東・アフリカのIGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラの国別販売台数(2016-2021) 11.2.2 中東・アフリカのIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの国別収益(2016-2021) 11.2.3 トルコ 11.2.4 サウジアラビア 11.2.5 アラブ首長国連邦 12 会社概要 12.1 カリフォルニア・イースタン・ラボラトリーズ 12.1.1 カリフォルニア・イースタン・ラボラトリーズ社情報 12.1.2 カリフォルニア・イースタン・ラボラトリーズの概要と事業概要 12.1.3 カリフォルニア・イースタン・ラボラトリーズ社のIGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラの売上高、収益、粗利益（2016-2021年 12.1.4 カリフォルニア・イースタン・ラボラトリーズのIGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラ製品の提供 12.1.5 カリフォルニア・イースタン・ラボラトリーズの最近の開発状況 12.2 エバータイトエレクトロニクス 12.2.1 Evertight Electronics社の情報 12.2.2 エバータイトエレクトロニクス社の概要と事業概要 12.2.3 Evertight Electronics社のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの売上、収益、粗利益（2016-2021年 12.2.4 Evertight Electronics社のIGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラー製品の提供 12.2.5 Evertight Electronics社の最近の開発状況 12.3 イソコム・コンポーネンツ 12.3.1 Isocom Components社の情報 12.3.2 Isocom Components社の概要と事業概要 12.3.3 Isocom Components社のIGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラの売上、収益、粗利益（2016-2021年 12.3.4 Isocom Components社のIGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラ製品の提供 12.3.5 Isocom Components社の最近の開発状況 12.4 IXYS 12.4.1 IXYS社情報 12.4.2 IXYS社の概要と事業概要 12.4.3 IXYS IGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの売上高、収益、粗利益（2016-2021年 12.4.4 IXYS IGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラ製品の提供 12.4.5 IXYSの最近の開発状況 12.5 ライトオンテクノロジー 12.5.1 Lite-On Technology社の情報 12.5.2 Lite-On Technology社の概要と事業概要 12.5.3 ライトオンテクノロジー社のIGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラの売上、収益、粗利益（2016-2021年 12.5.4 ライトオンテクノロジー社のIGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラー製品の提供 12.5.5 Lite-On Technology社の最近の開発状況 12.6 オン・セミコンダクター 12.6.1 オン・セミコンダクター社情報 12.6.2 オン・セミコンダクター社の概要と事業概要 12.6.3 オン・セミコンダクター社のIGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラの売上高、収益、粗利益（2016-2021年 12.6.4 オン・セミコンダクター IGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラー製品の提供 12.6.5 オン・セミコンダクターの最近の開発状況 12.7 ルネサス 12.7.1 ルネサス株式会社情報 12.7.2 ルネサス社の概要と事業概要 12.7.3 ルネサス IGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの売上高、収益および粗利益（2016-2021年 12.7.4 ルネサスIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラ製品の提供 12.7.5 ルネサスの最近の開発状況 12.8 シャープ 12.8.1 シャープ株式会社情報 12.8.2 シャープの概要と事業概要 12.8.3 シャープ IGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの売上、収益、粗利益(2016-2021) 12.8.4 シャープ IGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラ製品の提供 12.8.5 シャープの最近の開発状況 12.9 シリコンラボ 12.9.1 シリコンラボ株式会社情報 12.9.2 シリコンラボ社の説明と事業概要 12.9.3 シリコンラボ社のIGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの売上高、収益、粗利益（2016-2021年 12.9.4 シリコンラボのIGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラ製品の提供 12.9.5 シリコンラボ社の最近の開発状況 12.10 東芝メモリ 12.10.1 東芝メモリ株式会社情報 12.10.2 東芝メモリの説明と事業概要 12.10.3 東芝メモリ IGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラの売上高、収益、粗利益（2016-2021年 12.10.4 東芝メモリ IGBTおよびMOSFETゲートドライバフォトカプラ製品の提供 12.10.5 東芝メモリの最近の開発状況 12.11 カリフォルニア・イースタン・ラボラトリーズ 12.11.1 カリフォルニア・イースタン・ラボラトリーズ社情報 12.11.2 カリフォルニア・イースタン・ラボラトリーズ社の概要と事業概要 12.11.3 カリフォルニア・イースタン・ラボラトリーズ社のIGBTおよびMOSFETゲートドライバーフォトカプラの売上高、収益、粗利益（2016-2021年 12.11.4 カリフォルニア・イースタン・ラボラトリーズ IGBTおよびMOSFETゲートドライバー・フォトカプラ製品の提供 12.11.5 カリフォルニア・イースタン・ラボラトリーズの最近の開発状況 13 市場機会、課題、リスクおよび影響要因の分析 13.1 IGBTおよびMOSFETゲートドライバ・フォトカプラの業界動向 13.2 IGBTおよびMOSFETゲートドライバ・フォトカプラのマーケットドライバ 13.3 IGBTおよびMOSFETゲートドライバ・フォトカプラの市場の課題 13.4 IGBTおよびMOSFETゲートドライバ・フォトカプラの市場の阻害要因 14 バリューチェーンと販売チャネルの分析 14.1 バリューチェーンの分析 14.2 IGBTおよびMOSFETゲートドライバ・フォトカプラの顧客 14.3 販売チャネルの分析 14.3.1 販売チャネル 14.3.2 ディストリビューター 15 調査結果と結論 16 付録 16.1 研究方法論 16.1.1 方法論/リサーチアプローチ 16.1.2 データソース 16.2 著者の詳細 16.3 免責事項
SummaryIGBT and MOSFET gate driver photocouplers are a semiconductor device that provides a way to rapidly switch the input signal of high power IGBTs and MOSFETs while providing for high electrical isolation. Isolation is important because it blocks potential high voltages, isolates the ground and prevents noise currents from entering the low voltage control circuitry. Such signals can interfere with circuit operation and damage sensitive circuits. They are used in applications like motor control (where rapid switching can be used as a speed controller), Inverters and switched-mode power supplies. This may also be very important in meeting safety compliance regulations. Table of Contents1 Study Coverage
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