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 世界および日本のIGBTおよびサイリスタ市場の洞察、2027年までの予測Global and Japan IGBT and Thyristor Market Insights, Forecast to 2027 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）やサイリスタは、MOSFETに比べてスイッチング時間やスイッチング損失が少ないという利点があります。また、バイポーラ・ジャンクション・トランジスタ（BJT）では、絶... もっと見る
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サマリー絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）やサイリスタは、MOSFETに比べてスイッチング時間やスイッチング損失が少ないという利点があります。また、バイポーラ・ジャンクション・トランジスタ（BJT）では、絶縁破壊電圧が高く、伝導損失が少ないという利点があり、現在の電力需要を満たすことができます。FACTSシステムやHVDCでは、電力変換や電力品質の制御にパワーエレクトロニクス・コンバータが使用されています。以前は、IGBTやサイリスタがHVDCやFACTSコンバータの主要部品として長年使用されていましたが、現在ではより高い電力用に開発されています。これらのデバイスは、現在の電力要求を満たすために、高耐圧とBJTの伝導損失も利用しています。市場分析と洞察。世界と日本のIGBTとサイリスタ市場 本レポートでは、世界および日本のIGBTとサイリスタ市場に焦点を当てています。 2020年のIGBTおよびサイリスタの世界市場規模はXX百万米ドルで、2021-2027年の間にXX％のCAGRで、2027年末にはXX百万米ドルに達すると予想されています。日本では、IGBTとサイリスタの市場規模は、2020年のXX百万米ドルから2027年にはXX百万米ドルまで、予測期間中にXX％のCAGRで成長すると予測されています。 世界のIGBTとサイリスタの範囲と市場規模 IGBTとサイリスタの市場は、地域（国）別、プレーヤー別、タイプ別、アプリケーション別に分類されています。世界のIGBTおよびサイリスタ市場に参加するプレイヤー、ステークホルダー、その他の参加者は、このレポートを強力なリソースとして利用することで、優位に立つことができるでしょう。セグメント分析では、2016年から2027年までの地域（国）別、タイプ別、アプリケーション別の売上高と予測に焦点を当てています。 日本市場では、2016-2027年のIGBTとサイリスタの市場規模を、プレーヤー別、タイプ別、アプリケーション別に分析しています。主要なプレーヤーには、日本で重要な役割を果たしているグローバルプレーヤーとローカルプレーヤーが含まれています。 タイプ別セグメント ハイパワー ミディアムパワー 低消費電力 アプリケーション別セグメント フレキシブルACトランスミッションシステム(FACTS) HVDC 地域別 北アメリカ 米国 カナダ ヨーロッパ ドイツ フランス イギリス イタリア ロシア アジアパシフィック 中国 日本 韓国 インド オーストラリア 台湾 インドネシア タイ マレーシア フィリピン ベトナム ラテンアメリカ メキシコ ブラジル アルゼンチン 中近東・アフリカ トルコ サウジアラビア U.A.E. 会社別 富士電機 ABB インフィニオン・テクノロジーズ オン・セミコンダクター 日立製作所 三菱電機 リテルヒューズ(IXYS) 東芝 セミクロン ダンフォス スターパワー半導体 目次1 スタディカバレッジ1.1 IGBTおよびサイリスタ製品の紹介 1.2 タイプ別市場 1.2.1 世界のIGBTおよびサイリスタ市場規模のタイプ別成長率 1.2.2 ハイパワー 1.2.3 ミディアムパワー 1.2.4 ローパワー 1.3 アプリケーション別市場 1.3.1 世界のIGBTとサイリスタの市場規模のアプリケーション別成長率 1.3.2 フレキシブルACトランスミッションシステム(FACTS) 1.3.3 HVDC 1.4 研究目的 1.5 検討期間 2 エグゼクティブサマリー 2.1 世界のIGBTおよびサイリスタの市場規模、推定値、および予測 2.1.1 世界のIGBTとサイリスタの収益2016-2027 2.1.2 世界のIGBTおよびサイリスタの売上高 2016-2027 2.2 世界のIGBTおよびサイリスタ、地域別市場規模：2016年 VS 2021年 VS 2027年 2.3 IGBTおよびサイリスタの歴史的な地域別市場規模（2016-2021年 2.3.1 世界のIGBTおよびサイリスタの地域別売上高における回顧的市場シナリオ：2016-2021年 2.3.2 地域別収益における世界のIGBTおよびサイリスタの歴史的市場シナリオ：2016-2021年 2.4 IGBTおよびサイリスタの地域別市場推定・予測（2022-2027年 2.4.1 世界のIGBTとサイリスタの地域別売上高予測(2022-2027年) 2.4.2 世界のIGBTおよびサイリスタの地域別売上高予測(2022-2027年) 3 世界のIGBTおよびサイリスタのプレーヤー別競合状況 3.1 世界のトップIGBTおよびサイリスタメーカーの売上高推移 3.1.1 世界のIGBTおよびサイリスタのメーカー別売上高(2016-2021) 3.1.2 世界のIGBTおよびサイリスタのメーカー別売上高シェア(2016-2021) 3.2 世界のIGBTおよびサイリスタの売上高上位メーカー 3.2.1 主要なIGBTおよびサイリスタメーカーを網羅。売上高によるランキング 3.2.2 世界のIGBTおよびサイリスタのメーカー別収益(2016-2021) 3.2.3 世界のIGBTおよびサイリスタのメーカー別収益シェア(2016-2021) 3.2.4 世界のIGBTおよびサイリスタ市場の集中比（CR5およびHHI）（2016-2021年 3.2.5 2020年におけるIGBTおよびサイリスタの収益による世界トップ10およびトップ5企業 3.2.6 会社タイプ別（Tier1、Tier2、Tier3）のIGBTおよびサイリスタの世界市場シェア 3.3 メーカー別の世界のIGBTおよびサイリスタの価格 3.4 世界のIGBTおよびサイリスタの製造拠点分布、製品タイプ 3.4.1 IGBTおよびサイリスタのメーカーの製造拠点分布、本部 3.4.2 メーカーのIGBTおよびサイリスタの製品タイプ 3.4.3 海外メーカーのIGBT・サイリスタ市場への参入時期 3.5 メーカーのM&A、拡張計画 4 タイプ別内訳データ（2016-2027年 4.1 世界のIGBTおよびサイリスタのタイプ別市場規模(2016-2021) 4.1.1 世界のIGBTおよびサイリスタのタイプ別売上高(2016-2021) 4.1.2 世界のIGBTおよびサイリスタのタイプ別収益(2016-2021) 4.1.3 タイプ別のIGBTおよびサイリスタ平均販売価格（ASP）（2016-2021年 4.2 世界のIGBTおよびサイリスタのタイプ別市場規模予測（2022年～2027年 4.2.1 世界のIGBTおよびサイリスタのタイプ別売上高予測(2022-2027) 4.2.2 世界のIGBTおよびサイリスタのタイプ別収益予測(2022-2027年) 4.2.3 IGBTおよびサイリスタの平均販売価格（ASP）のタイプ別予測（2022-2027年 5 アプリケーション別内訳データ（2016-2027年 5.1 世界のIGBTおよびサイリスタのアプリケーション別市場規模(2016-2021) 5.1.1 世界のIGBTおよびサイリスタのアプリケーション別売上高(2016-2021) 5.1.2 世界のIGBTおよびサイリスタのアプリケーション別収益(2016-2021) 5.1.3 アプリケーション別のIGBTおよびサイリスタの価格（2016-2021) 5.2 アプリケーション別のIGBTおよびサイリスタの市場規模予測(2022-2027) 5.2.1 世界のIGBTおよびサイリスタのアプリケーション別売上高予測(2022-2027) 5.2.2 世界のIGBTおよびサイリスタのアプリケーション別収益予測(2022-2027) 5.2.3 世界のIGBTおよびサイリスタの価格のアプリケーション別予測(2022-2027) 6 日本：プレーヤー別、タイプ別、アプリケーション別 6.1 日本のIGBTおよびサイリスタ市場規模の前年比成長率2016-2027年 6.1.1 日本のIGBTおよびサイリスタ売上高の前年同期比成長率 2016-2027 6.1.2 日本のIGBTおよびサイリスタの収益YoY成長 2016-2027 6.1.3 日本のIGBT・サイリスタの世界市場でのシェア 2016-2027 6.2 日本のIGBTおよびサイリスタのプレーヤー別市場規模（国際およびローカルプレーヤー 6.2.1 日本のIGBTおよびサイリスタの売上高上位プレイヤー（2016-2021年 6.2.2 日本のIGBTおよびサイリスタのトッププレイヤーの収益別（2016-2021年 6.3 日本のIGBTおよびサイリスタのタイプ別歴史的市場レビュー（2016～2021年 6.3.1 日本のIGBTおよびサイリスタのタイプ別売上高シェア（2016～2021年 6.3.2 日本のIGBTおよびサイリスタの売上高はタイプ別にシェアされている（2016-2021 6.3.3 日本のIGBTおよびサイリスタのタイプ別価格（2016-2021年 6.4 日本のIGBTおよびサイリスタ市場のタイプ別推定・予測（2022年～2027年 6.4.1 日本のIGBTおよびサイリスタのタイプ別売上高予測(2022-2027) 6.4.2 日本のIGBTおよびサイリスタのタイプ別収益予測(2022-2027年) 6.4.3 日本のIGBTおよびサイリスタのタイプ別価格予測(2022-2027) 6.5 日本のIGBTおよびサイリスタのアプリケーション別歴史的市場レビュー（2016～2021年 6.5.1 日本のIGBTおよびサイリスタのアプリケーション別売上高シェア（2016-2021年 6.5.2 日本のIGBTおよびサイリスタの売上高はアプリケーション別にシェアされる（2016-2021 6.5.3 日本のIGBTおよびサイリスタのアプリケーション別価格（2016-2021年 6.6 日本のIGBTおよびサイリスタ市場のアプリケーション別推定・予測（2022-2027年 6.6.1 日本のIGBTおよびサイリスタのアプリケーション別売上高予測(2022-2027) 6.6.2 日本のIGBTおよびサイリスタのアプリケーション別収益予測(2022-2027) 6.6.3 日本のIGBTおよびサイリスタのアプリケーション別価格予測(2022-2027) 7 北アメリカ 7.1 北米のIGBTおよびサイリスタ市場規模の前年比成長率2016-2027年 7.2 北米の国別IGBTおよびサイリスタ市場規模推移 7.2.1 北米の国別IGBTおよびサイリスタ販売台数（2016-2021年 7.2.2 北米の国別IGBT・サイリスタ収益（2016-2021年 7.2.3 米国 7.2.4 カナダ 8 アジア太平洋地域 8.1 アジア太平洋地域のIGBTおよびサイリスタ市場規模の前年比成長率2016-2027年 8.2 アジア太平洋地域のIGBTおよびサイリスタの地域別市場概況 8.2.1 アジア太平洋地域のIGBTおよびサイリスタの地域別売上高(2016-2021) 8.2.2 アジア太平洋地域のIGBTおよびサイリスタの地域別収益(2016-2021) 8.2.3 中国 8.2.4 日本 8.2.5 韓国 8.2.6 インド 8.2.7 オーストラリア 8.2.8 オーストラリア 8.2.9 インドネシア 8.2.10 タイ 8.2.11 マレーシア 8.2.12 フィリピン 8.2.13 ベトナム 9 欧州 9.1 欧州のIGBTおよびサイリスタ市場規模の前年比成長率2016-2027年 9.2 欧州のIGBTおよびサイリスタの国別市場規模推移 9.2.1 欧州の国別IGBTおよびサイリスタ売上高(2016-2021) 9.2.2 欧州IGBT・サイリスタ国別収益(2016-2021) 9.2.3 ドイツ 9.2.4 フランス 9.2.5 イギリス 9.2.6 イタリア 10 ラテンアメリカ 10.1 中南米のIGBTおよびサイリスタ市場規模の前年比成長率2016-2027年 10.2 ラテンアメリカの国別IGBTおよびサイリスタ市場の概要と数値 10.2.1 ラテンアメリカの国別IGBTおよびサイリスタ売上高（2016-2021年 10.2.2 ラテンアメリカの国別IGBT・サイリスタ収益(2016-2021) 10.2.3 メキシコ 10.2.4 ブラジル 10.2.5 アルゼンチン 11 中東・アフリカ 11.1 中東・アフリカのIGBTおよびサイリスタ市場規模の前年比成長率2016-2027年 11.2 中東・アフリカのIGBTとサイリスタの国別市場概況 11.2.1 中東・アフリカの国別IGBT・サイリスタ販売台数（2016-2021年 11.2.2 中東・アフリカの国別のIGBT・サイリスタ収益(2016-2021) 11.2.3 トルコ 11.2.4 サウジアラビア 11.2.5 アラブ首長国連邦 12 会社概要 12.1 富士電機 12.1.1 富士電機株式会社情報 12.1.2 富士電機の説明と事業概要 12.1.3 富士電機のIGBTおよびサイリスタの売上高、収益、粗利益(2016-2021) 12.1.4 富士電機のIGBTおよびサイリスタ製品の提供 12.1.5 富士電機の最近の開発状況 12.2 ABB 12.2.1 ABB社の情報 12.2.2 ABB社の概要と事業概要 12.2.3 ABB IGBTおよびサイリスタの売上高、収益、粗利益(2016-2021) 12.2.4 ABB IGBTおよびサイリスタ製品の提供 12.2.5 ABBの最近の開発状況 12.3 インフィニオン・テクノロジーズ 12.3.1 インフィニオンテクノロジーズ社情報 12.3.2 インフィニオンテクノロジーズ社の概要と事業概要 12.3.3 インフィニオンテクノロジーズ社のIGBTおよびサイリスタの売上高、収益、粗利益（2016-2021年 12.3.4 インフィニオンテクノロジーズのIGBTおよびサイリスタ製品の提供 12.3.5 インフィニオンテクノロジーズの最近の開発状況 12.4 オン・セミコンダクター 12.4.1 オン・セミコンダクター社情報 12.4.2 オン・セミコンダクター社の説明と事業概要 12.4.3 オン・セミコンダクター社のIGBTおよびサイリスタの売上高、収益、粗利益（2016-2021年 12.4.4 オン・セミコンダクターIGBTおよびサイリスタ製品の提供 12.4.5 オン・セミコンダクターの最近の開発状況 12.5 日立製作所 12.5.1 日立製作所情報 12.5.2 日立の概要と事業概要 12.5.3 日立のIGBTおよびサイリスタの売上高、収益、粗利益(2016-2021) 12.5.4 日立のIGBTおよびサイリスタ製品の提供 12.5.5 日立の最近の開発状況 12.6 三菱電機 12.6.1 三菱電機株式会社情報 12.6.2 三菱電機の概要と事業概要 12.6.3 三菱電機 IGBTおよびサイリスタの売上高、収益および粗利益（2016-2021年 12.6.4 三菱電機のIGBTおよびサイリスタ製品の提供 12.6.5 三菱電機の最近の開発状況 12.7 リテルヒューズ(IXYS) 12.7.1 リテルヒューズ（IXYS）株式会社情報 12.7.2 リテルヒューズ(IXYS)社の説明と事業概要 12.7.3 リテルヒューズ(IXYS)社のIGBTおよびサイリスタの売上高、収益、および粗利益(2016-2021年) 12.7.4 リテルヒューズ（IXYS）のIGBTおよびサイリスタ製品の提供 12.7.5 リテルヒューズ(IXYS)社の最近の開発状況 12.8 東芝 12.8.1 株式会社東芝情報 12.8.2 東芝の概要と事業概要 12.8.3 東芝 IGBTおよびサイリスタの売上高、収益および粗利益(2016-2021) 12.8.4 東芝 IGBTおよびサイリスタ製品の提供 12.8.5 東芝の最近の開発状況 12.9 セミクロン 12.9.1 セミクロン社情報 12.9.2 SEMIKRON社の概要と事業概要 12.9.3 セミクロン IGBTおよびサイリスタの売上高、収益および粗利益(2016-2021) 12.9.4 セミクロンのIGBTおよびサイリスタ製品の提供 12.9.5 セミクロン（SEMIKRON）の最近の開発状況 12.10 ダンフォス 12.10.1 ダンフォス社情報 12.10.2 ダンフォス社の概要と事業概要 12.10.3 ダンフォス社のIGBTおよびサイリスタの売上、収益、粗利益(2016-2021) 12.10.4 ダンフォス社のIGBTおよびサイリスタ製品の提供 12.10.5 Danfoss社の最近の開発状況 12.11 富士電機 12.11.1 富士電機株式会社情報 12.11.2 富士電機の概要と事業概要 12.11.3 富士電機のIGBTおよびサイリスタの売上高、収益および粗利益（2016-2021年 12.11.4 富士電機のIGBTおよびサイリスタ製品の提供 12.11.5 富士電機の最近の開発状況 13 市場機会、課題、リスク、影響要因の分析 13.1 IGBTおよびサイリスタの業界動向 13.2 IGBTおよびサイリスタの市場ドライバー 13.3 IGBTおよびサイリスタの市場課題 13.4 IGBTおよびサイリスタの市場の拘束力 14 バリューチェーンと販売チャネルの分析 14.1 バリューチェーンの分析 14.2 IGBTおよびサイリスタの顧客 14.3 販売チャネルの分析 14.3.1 販売チャネル 14.3.2 ディストリビューター 15 調査結果と結論 16 付録 16.1 研究方法論 16.1.1 方法論/リサーチアプローチ 16.1.2 データソース 16.2 著者の詳細 16.3 免責事項
SummaryThe insulated gate bipolar transistor (IGBT) and thyristor provide the advantage over metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) for minimum switching time and switching losses. In addition, it also provides the advantage over elevated breakdown voltage and less conduction losses of the bipolar junction transistor (BJT) in order to meet current power need. FACTS systems and HVDC use power electronic converters for power conversion and control power quality. Earlier, IGBTs and thyristors were used as key components in HVDC and FACTS converters for many years and now have been developed for higher power use. These devices also use high breakdown voltage and conduction losses in BJT to fulfill current power requirement. Table of Contents1 Study Coverage
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