![]() GaNパワーデバイス市場:デバイスタイプ別(パワーディスクリート、パワーモジュール、パワーIC)、最終用途別(通信、産業、自動車、家電、軍事・防衛、エネルギー・電力、その他):2024-2033年の世界機会分析と産業予測GaN Power Device Market By Device Type (Power Discrete, Power Module, Power IC), By End Use (Telecommunication, Industrial, Automotive, Consumer Electronics, Military and Defense, Energy and Power, Others): Global Opportunity Analysis and Industry Forecast, 2024-2033 GaNパワーデバイス市場は、2023年に3億500万ドルと評価され、2033年には128億4930万ドルに達すると推定され、2024年から2033年までのCAGRは45.6%を示す。 GaNパワーデバイス市場には、最適な電力変換とレギュレ... もっと見る
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サマリーGaNパワーデバイス市場は、2023年に3億500万ドルと評価され、2033年には128億4930万ドルに達すると推定され、2024年から2033年までのCAGRは45.6%を示す。GaNパワーデバイス市場には、最適な電力変換とレギュレーションのために設計された窒化ガリウムベースの部品が含まれる。卓越した熱伝導性と効率を利用するGaNデバイスは、電気自動車や再生可能エネルギーなどの分野にわたるコンパクトで高性能なソリューションを容易にし、エネルギー管理や環境に優しい技術におけるイノベーションを推進する。 電子機器の小型化の傾向は、GaNパワーデバイス市場の主要な促進要因であり、業界がより小型で効率的な部品へとシフトしていることを浮き彫りにしています。コンパクトで軽量なデバイスに対する消費者の需要が高まるにつれ、メーカーは限られたスペースで高性能を実現するという課題をますます抱えるようになっています。GaNパワー・デバイスは、従来のシリコン・ベースのデバイスと比較して、その優れた効率、高い電力密度、および小型化により、魅力的なソリューションを提供します。 GaN技術は、性能を損なうことなく小型設計を可能にします。これは、スマートフォン、ノートパソコン、ウェアラブル端末など、コンポーネントを搭載できるスペースが限られているアプリケーションでは特に重要です。GaNデバイスの小型化により、電源やコンバーターがより合理化され、高効率を維持しながらスマートな設計が可能になります。これは、バッテリー寿命と熱管理が重要な考慮事項である携帯電子機器において極めて重要である。さらに、GaNデバイスはスイッチング損失が低く、スイッチング速度が速いため、高周波アプリケーションに最適です。この能力は電源の性能を高めるだけでなく、受動部品の軽量化と小型化を可能にし、小型化にさらに貢献する。 エネルギー効率の高いソリューションに対する需要の高まりと、自動車産業における電子部品の小型化は、特に電気自動車(EV)の台頭により、この傾向から大きな恩恵を受けています。GaNデバイスは、効率的な車載充電器やパワーエレクトロニクスに不可欠であり、これによりメーカーは、性能と航続距離を向上させる小型・軽量の車両システムを構築できる。電子機器の小型化により、より小型で効率的なソリューションが必要となり、GaNパワー・デバイスの需要が高まっています。産業界が小型設計に向けて革新を続ける中、GaN技術への信頼は高まり、GaNは電子機器やシステムの進化における重要なプレーヤーとして位置づけられるでしょう。この傾向は、GaNパワー・デバイス市場を押し上げるだけでなく、より広範な技術の進歩や、効率的で省スペースな製品を求める消費者の嗜好とも一致する。 しかし、効果的な放熱は性能と信頼性にとって極めて重要であるため、熱管理の課題はGaNパワー・デバイス市場に大きな影響を与えている。GaNデバイスはより高い周波数と電力密度で動作するため、従来のシリコンデバイスよりも多くの熱を発生する。GaN技術は優れた効率を提供する一方で、不適切な熱管理は過熱につながり、デバイスの寿命と性能に影響を与えます。ヒートシンク、熱インターフェース材料、革新的なパッケージング技術などの高度な冷却ソリューションの必要性は、設計プロセスを複雑にし、システム・コストを増加させます。さらに、電気自動車や家電製品のようなスペースに制約のあるアプリケーションでは、スペースの制約が効果的な熱管理の妨げになります。メーカーがこうした課題に対処しようと努力するにつれ、統合型熱管理ソリューションの需要が高まり、GaNパワー・デバイス市場の成長を抑制することになる。 さらに、ハイパフォーマンス・コンピューティング(HPC)のニーズの高まりは、GaNパワー・デバイス市場に大きなチャンスをもたらす。人工知能、機械学習、ビッグデータ分析など、データ集約型アプリケーションへの依存度が高まる産業では、効率的な電力管理が重要になる。高効率と電力密度で知られるGaNデバイスは、HPC環境特有のエネルギー要件と性能要件を満たすのに十分な機能を備えています。 GaN技術は、従来のシリコン・デバイスと比較して、より高速なスイッチング速度と電力損失の低減を可能にします。この能力は、効率的な電力変換が性能と運用コストに直接影響するデータセンターやスーパーコンピューティング施設では不可欠です。GaNパワー・デバイスを利用することで、企業はエネルギー消費と発熱を最小限に抑えながら、より高い性能レベルを達成することができ、冷却とインフラストラクチャーにおけるコスト削減につながります。 さらに、クラウド・コンピューティングや高度なコンピューティング・ソリューションに対する世界的な需要が高まり続ける中、GaNデバイスの採用は、よりコンパクトでエネルギー効率の高いサーバー・アーキテクチャの開発を促進することができます。この傾向は、処理能力を向上させるだけでなく、エネルギー使用量の削減がますます優先されるようになるため、持続可能性の目標とも一致します。全体として、HPC へのシフトは、GaN パワーデバイス市場の成長に有利な道を提供し、パワーマネージメントソリュー ションの革新と技術的進歩を促進します。 GaNパワーデバイス市場は、デバイスタイプ、最終用途、地域に区分される。デバイスタイプ別では、市場はパワーディスクリート、パワーモジュール、パワーICに区分される。最終用途別では、通信、産業、自動車、家電、軍事・防衛、エネルギー・電力、その他に区分される。地域別では、北米(米国、カナダ、メキシコ)、欧州(英国、ドイツ、フランス、イタリア、スペイン、その他欧州)、アジア太平洋(中国、日本、インド、韓国、その他アジア太平洋)、LAMEA(中南米、中東、アフリカ)で分析される。 世界のGaNパワーデバイス市場で活動しているプレーヤーには、Efficient Power Conversion Corporation (EPC)、富士通株式会社、GaN Systems、On Semiconductors、パナソニック株式会社、VisIC、Texas Instruments Inc.、東芝株式会社、富士通株式会社、Infineon Technologies AG、Taiwan Semiconductor Manufacturing Companyが含まれる。GaNパワーデバイス市場の主要企業は、GaNパワーデバイスの能力を高め、GaNパワーデバイスの研究開発に投資するため、買収や提携に注力している。 ステークホルダーにとっての主なメリット 本レポートは、2023年から2033年までのGaNパワーデバイス市場分析の市場セグメント、現在の動向、予測、ダイナミクスを定量的に分析し、GaNパワーデバイス市場の有力な機会を特定します。 主要な促進要因、阻害要因、機会に関する情報とともに市場調査を提供します。 ポーターのファイブフォース分析により、バイヤーとサプライヤーの潜在力を明らかにし、ステークホルダーが利益重視のビジネス決定を下し、サプライヤーとバイヤーのネットワークを強化できるようにします。 GaNパワーデバイス市場のセグメンテーションを詳細に分析することで、市場機会を見極めることができます。 各地域の主要国を世界市場への収益貢献度に応じてマッピングしています。 市場プレイヤーのポジショニングはベンチマーキングを容易にし、市場プレイヤーの現在のポジションを明確に理解することができます。 地域別および世界別のGaNパワーデバイス市場動向、主要企業、市場セグメント、応用分野、市場成長戦略の分析を含みます。 本レポートをご購入いただくと、以下の特典があります: 四半期ごとの最新情報および*(コーポレート・ライセンスの場合のみ、表示価格でのご提供となります) 無料アップデートとして、購入前または購入後に、ご希望の会社プロファイルを5つ追加。 5ユーザー・ライセンスおよびエンタープライズ・ユーザー・ライセンスのご購入の場合、次期バージョンを無料でご提供します。 アナリストによる16時間のサポート* (購入後、レポートのレビューで追加のデータ要件が見つかった場合、質問や販売後の問い合わせを解決するためにアナリストによる16時間のサポートを受けることができます) 15% の無料カスタマイズ* (レポートの範囲またはセグメントがお客様の要件と一致しない場合、15% は 3 営業日の無料作業に相当します。) ファイブおよびエンタープライズ・ユーザー・ライセンスの無料データ・パック。(エクセル版レポート) レポートが6~12ヶ月以上前の場合、無料で更新。 24時間優先対応 業界の最新情報とホワイトペーパーを無料で提供 本レポートのカスタマイズの可能性(別途費用とスケジュールが必要です。) 投資機会 地域別の新規参入企業 市場参入戦略 規制ガイドライン 顧客の関心に応じた追加的な企業プロファイル 国または地域の追加分析-市場規模と予測 平均販売価格分析/価格帯分析 ブランドシェア分析 クリスクロスセグメント分析-市場規模と予測 企業プロファイルの拡張リスト 過去の市場データ 輸入輸出分析/データ 主要プレーヤーの詳細(所在地、連絡先、サプライヤー/ベンダーネットワークなどを含む、エクセル形式) 顧客/消費者/原材料サプライヤーのリスト-バリューチェーン分析 世界/地域/国レベルでのプレーヤーの市場シェア分析 SWOT分析 市場規模および予測 主要市場セグメント デバイスタイプ別 パワーディスクリート パワーモジュール パワーIC 最終用途別 産業用 自動車 民生用電子機器 軍事・防衛 電気通信 エネルギー・電力 その他 地域別 北米 米国 カナダ メキシコ ヨーロッパ ドイツ フランス イギリス イタリア その他のヨーロッパ アジア太平洋 中国 インド 日本 韓国 その他のアジア太平洋地域 ラテンアメリカ ラテンアメリカ 中東 アフリカ 主要市場プレイヤー エフィシェント・パワー・コンバージョン・コーポレーション 富士通株式会社 GaN Systems Inc. インフィニオンテクノロジーズ オン・セミコンダクター・コーポレーション パナソニック株式会社 パナソニック株式会社 ○ 台湾半導体製造股份有限公司 テキサス・インスツルメンツ 株式会社東芝 (株)東芝 ○ ビジックテクノロジーズ(株) 目次第1章:序論1.1.報告書の記述 1.2.主要市場セグメント 1.3.ステークホルダーにとっての主なメリット 1.4.調査方法 1.4.1.一次調査 1.4.2.二次調査 1.4.3.アナリストのツールとモデル 第2章:エグゼクティブサマリー 2.1.CXOの視点 第3章 市場概要 3.1.市場の定義と範囲 3.2.主な調査結果 3.2.1.主な影響要因 3.2.2.投資ポケットの上位 3.3.ポーターの5つの力分析 3.4.市場ダイナミクス 3.4.1.促進要因 3.4.2.阻害要因 3.4.3.機会 第4章:ガン用パワーデバイス市場、デバイスタイプ別 4.1.概要 4.1.1.市場規模と予測 4.2.パワー・ディスクリート 4.2.1.主な市場動向、成長要因、機会 4.2.2.地域別市場規模と予測 4.2.3.国別市場シェア分析 4.3.パワーモジュール 4.3.1.主な市場動向、成長要因、機会 4.3.2.地域別の市場規模と予測 4.3.3.国別市場シェア分析 4.4.パワーIC 4.4.1.主な市場動向、成長要因、機会 4.4.2.地域別市場規模と予測 4.4.3.国別市場シェア分析 第5章 癌用パワーデバイス市場:最終用途別 5.1.概要 5.1.1.市場規模と予測 5.2.電気通信 5.2.1.主な市場動向、成長要因、機会 5.2.2.地域別の市場規模と予測 5.2.3.国別市場シェア分析 5.3.工業用 5.3.1.主な市場動向、成長要因、機会 5.3.2.地域別の市場規模と予測 5.3.3.国別市場シェア分析 5.4.自動車 5.4.1.主な市場動向、成長要因、機会 5.4.2.地域別の市場規模と予測 5.4.3.国別市場シェア分析 5.5.家電製品 5.5.1.主要市場動向、成長要因、機会 5.5.2.地域別の市場規模と予測 5.5.3.国別市場シェア分析 5.6.軍事・防衛 5.6.1.主な市場動向、成長要因、機会 5.6.2.地域別の市場規模と予測 5.6.3.国別市場シェア分析 5.7.エネルギーと電力 5.7.1.主な市場動向、成長要因、機会 5.7.2.地域別の市場規模と予測 5.7.3.国別市場シェア分析 5.8.その他 5.8.1.主な市場動向、成長要因、機会 5.8.2.地域別の市場規模と予測 5.8.3.国別市場シェア分析 第6章 ガン用パワーデバイス市場:地域別 6.1.概要 6.1.1.市場規模および予測 地域別 6.2.北米 6.2.1.主な市場動向、成長要因、機会 6.2.2.市場規模および予測(デバイスタイプ別 6.2.3.市場規模・予測:エンドユース別 6.2.4.市場規模・予測:国別 6.2.4.1.米国 6.2.4.1.1.市場規模・予測:デバイスタイプ別 6.2.4.1.2.市場規模・予測:エンドユース別 6.2.4.2.カナダ 6.2.4.2.1.市場規模・予測:デバイスタイプ別 6.2.4.2.2.市場規模・予測:エンドユース別 6.2.4.3.メキシコ 6.2.4.3.1.市場規模・予測:デバイスタイプ別 6.2.4.3.2.市場規模・予測:エンドユース別 6.3.欧州 6.3.1.主要市場動向、成長要因、機会 6.3.2.市場規模および予測(デバイスタイプ別 6.3.3.市場規模・予測:エンドユース別 6.3.4.市場規模・予測:国別 6.3.4.1.ドイツ 6.3.4.1.1.市場規模・予測:デバイスタイプ別 6.3.4.1.2.市場規模・予測:エンドユース別 6.3.4.2.フランス 6.3.4.2.1.市場規模・予測:デバイスタイプ別 6.3.4.2.2.市場規模・予測:エンドユース別 6.3.4.3.イギリス 6.3.4.3.1.市場規模・予測:デバイスタイプ別 6.3.4.3.2.市場規模・予測:エンドユース別 6.3.4.4.イタリア 6.3.4.4.1.市場規模・予測:デバイスタイプ別 6.3.4.4.2.市場規模・予測:エンドユース別 6.3.4.5.その他の欧州 6.3.4.5.1.市場規模および予測:デバイスタイプ別 6.3.4.5.2.市場規模および予測:エンドユース別 6.4.アジア太平洋地域 6.4.1.主要市場動向、成長要因、機会 6.4.2.市場規模および予測(デバイスタイプ別 6.4.3.市場規模・予測:エンドユース別 6.4.4.市場規模・予測:国別 6.4.4.1.中国 6.4.4.1.1.市場規模・予測:デバイスタイプ別 6.4.4.1.2.市場規模・予測:エンドユース別 6.4.4.2.インド 6.4.4.2.1.市場規模・予測:デバイスタイプ別 6.4.4.2.2.市場規模・予測:エンドユース別 6.4.4.3.日本 6.4.4.3.1.市場規模・予測:デバイスタイプ別 6.4.4.3.2.市場規模・予測:エンドユース別 6.4.4.4.韓国 6.4.4.4.1.市場規模および予測:デバイスタイプ別 6.4.4.4.2.市場規模および予測:エンドユース別 6.4.4.5.その他のアジア太平洋地域 6.4.4.5.1.市場規模および予測:デバイスタイプ別 6.4.4.5.2.市場規模および予測:最終用途別 6.5.ラメア 6.5.1.主要市場動向、成長要因、機会 6.5.2.市場規模および予測(デバイスタイプ別 6.5.3.市場規模・予測:エンドユース別 6.5.4.市場規模・予測:国別 6.5.4.1.ラテンアメリカ 6.5.4.1.1.市場規模・予測:デバイスタイプ別 6.5.4.1.2.市場規模および予測:エンドユース別 6.5.4.2.中東 6.5.4.2.1.市場規模および予測:デバイスタイプ別 6.5.4.2.2.市場規模および予測:エンドユース別 6.5.4.3.アフリカ 6.5.4.3.1.市場規模・予測:デバイスタイプ別 6.5.4.3.2.市場規模および予測:エンドユース別 第7章 競争環境 7.1.はじめに 7.2.上位の勝利戦略 7.3.トップ10選手の製品マッピング 7.4.競合ダッシュボード 7.5.競合ヒートマップ 7.6.トッププレーヤーのポジショニング(2023年 第8章 企業プロフィール 8.1.エフィシェント・パワー・コンバージョン・コーポレーション 8.1.1.会社概要 8.1.2.主要役員 8.1.3.スナップショット 8.1.4.事業セグメント 8.1.5.製品ポートフォリオ 8.1.6.業績 8.1.7.主な戦略的動きと展開 8.2.富士通株式会社 8.2.1.会社概要 8.2.2.主要役員 8.2.3.スナップショット 8.2.4.事業セグメント 8.2.5.製品ポートフォリオ 8.2.6.業績 8.2.7.主な戦略的動きと展開 8.3.GaN Systems Inc. 8.3.1.会社概要 8.3.2.主要役員 8.3.3.スナップショット 8.3.4.事業セグメント 8.3.5.製品ポートフォリオ 8.3.6.業績 8.3.7.主な戦略的動きと展開 8.4.インフィニオンテクノロジーズAG 8.4.1.会社概要 8.4.2.主要役員 8.4.3.スナップショット 8.4.4.事業セグメント 8.4.5.製品ポートフォリオ 8.4.6.業績 8.4.7.主な戦略的動きと展開 8.5.オン・セミコンダクター株式会社 8.5.1.会社概要 8.5.2.主要役員 8.5.3.スナップショット 8.5.4.事業セグメント 8.5.5.製品ポートフォリオ 8.5.6.業績 8.5.7.主な戦略的動きと展開 8.6.パナソニック株式会社 8.6.1.会社概要 8.6.2.主要役員 8.6.3.スナップショット 8.6.4.事業セグメント 8.6.5.製品ポートフォリオ 8.6.6.業績 8.6.7.主な戦略的動きと展開 8.7.台湾半導体製造股份有限公司 8.7.1.会社概要 8.7.2.主要役員 8.7.3.スナップショット 8.7.4.事業セグメント 8.7.5.製品ポートフォリオ 8.7.6.業績 8.7.7.主な戦略的動きと展開 8.8.テキサス・インスツルメンツ 8.8.1.会社概要 8.8.2.主要役員 8.8.3.スナップショット 8.8.4.事業セグメント 8.8.5.製品ポートフォリオ 8.8.6.業績 8.8.7.主な戦略的動きと展開 8.9.株式会社東芝 8.9.1.会社概要 8.9.2.主要役員 8.9.3.スナップショット 8.9.4.事業セグメント 8.9.5.製品ポートフォリオ 8.9.6.業績 8.9.7.主な戦略的動きと展開 8.10.ビジックテクノロジーズ 8.10.1.会社概要 8.10.2.主要役員 8.10.3.スナップショット 8.10.4.事業セグメント 8.10.5.製品ポートフォリオ 8.10.6.業績 8.10.7.主な戦略的動きと展開
SummaryThe GaN power device market was valued at $ 305.0 million in 2023 and is estimated to reach $12,849.3 million by 2033, exhibiting a CAGR of 45.6% from 2024 to 2033. Table of ContentsCHAPTER 1: INTRODUCTION
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2025/04/11 10:26 144.54 円 163.80 円 190.87 円 |